图3A清楚地示出,位于前级TFT30的栅极30c附近的像素电位层42a与其上的源极30b相连。与此不同地,位于前级TFT30的栅极30c=附近的像素电位层42b没有和其上的源极30b相连,而是隔开的。apart.接着,通过采用漏极30a和源极30b作为掩模对a-Si岛41(即构图的a-Si层32和33)进行选择性蚀刻,从而在漏极30a和源极30b之间形成开口,如图6A所示。a-Si层32的内部。这样,形成了TFT30的沟道区。