(a-Si)层32和n+型a-Si层33。在n+型a-Si层33大量地掺杂n型掺杂剂。a-Si层32和33上构图,以形成TFT30的a-Si岛41,如图5B所示。岛41由a-Si层32和33形成。33.然后,在第一中间介电层23上形成Cr层作为第二金属层,以覆盖a-Si岛41。Cr层上构图,从而形成了TFT30的漏极30a和源极30b、数据线24以及像素电位层42a和42b,如图5C所示。42a和一个像素电位层42b,所述像素电位层42a和像素电位层42b是彼此分离的。