マスク層上に横方向成長させる際に、マスク層の凹部上に空洞を有して窒化物系半導体層が形成される。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。下地を、凹凸形状に形成するとともに、その凸部上に、マスク層を形成することによって、そのマスク層をオーバーハング形状にすれば、マスク層のオーバーハング部下の部分には原料が供給されにくくなるので、オーバーハング部下と、それ以外の部分とで成長速度差が生じる。これにより、成長速度の遅いオーバーハング部下の部分では、ごく初期段階から横方向成長が支配的になるので、転位は初期段階から横方向に曲がり始める。その結果、転位が窒化物系半導体層の表面に達するのをより有効に防止することができる。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。その結果、結晶性のより良好な窒化物系半導体層を得ることができる。おいて、好ましくは、マスク層の凹部は、マスク層の上面の一部に設けられた凹み部を含む。マスク層上に横方向成長させる際に、その凹み部によりマスク層上に容易に空洞を形成することができる。おいて、好ましくは、マスク層の凹部は、マスク層の上面が凹状に反った形状を有する。マスク層上に横方向成長させる際に、マスク層の凹状に反った形状によりマスク層上に容易に空洞を形成することができる。layer.この場合、マスク層は、オーバーハング形状を有し、オーバーハング形状のマスク層の上面が、凹状に反った形状を有するのが好ましい。この場合、オーバーハング形状のマスク層は、下地上に形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に形成され、第1絶縁膜よりもエッチング速度の小さい第2絶縁膜とを含むのが好ましい。このように構成すれば、第1絶縁膜および第2絶縁膜を形成した後、第2絶縁膜および第1絶縁膜をエッチングすることによって、第2絶縁膜が横方向に突出したオーバーハング形状のマスク層を容易に得ることができる。成長させる工程とを備えている。マスク層上に横方向成長させる際に、マスク層の凹部上に空洞を有して窒化物系半導体層が形成される。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。下地を、実質的に平坦な形状に形成することによって、従来のように窒化物系半導体などからなる下地に凹凸形状を形成するために長時間エッチングする必要がない。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。その結果、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、結晶性の良好な窒化物系半導体層を容易に形成することができる。成長させる工程とを備えている。マスク層上に横方向成長させる際に、マスク層の凹部上に空洞を有して窒化物系半導体層が形成される。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。overhang,マスク層のオーバーハング部下の部分には原料が供給されにくくなるので、オーバーハング部下と、それ以外の部分とで成長速度差が生じる。これにより、成長速度の遅いオーバーハング部下の部分では、ごく初期段階から横方向成長が支配的になるので、転位は初期段階から横方向に曲がり始める。その結果、転位が窒化物系半導体層の表面に達するのをより有効に防止することができる。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。axis).その結果、結晶性のより良好な窒化物系半導体層を容易に形成することができる。【0024】この第3または第4の局面による窒化物系半導体の形成方法において、好ましくは、マスク層を形成する工程は、下地上の所定領域にマスク層を形成した後、マスク層の上面の一部をエッチングすることによってマスク層の上面に凹部を形成する工程を含む。このように構成すれば、上面に凹部を有するマスク層を容易に形成することができる。firstマスク材料層および第2マスク材料層からなるとともに、上面に凹部を有するマスク層を形成する工程とを含む。このように構成すれば、上面に凹部を有するマスク層を容易に形成することができる。成長させる工程とを備えている。成長させる際、成長中の窒化物系半導体層からオーバーハング形状のマスク層の突出部に上方向の力が加わり、オーバーハング形状のマスク層の上面が反って凹み部が形成される。これにより、そのマスク層の反った凹み部の上面上に空洞を有して窒化物系半導体層が形成される。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。この場合、マスク層の反った凹み部によって、マスク層の上面と成長層との接触面積がより少なくなるので、c軸のずれをほとんど0°にまで低減することができる。その結果、結晶性のより良好な窒化物系半導体層を容易に形成することができる。下地を、実質的に平坦な形状に形成することによって、従来のように窒化物系半導体などからなる下地に凹凸形状を形成するために長時間エッチングする必要がない。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。その結果、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、結晶性のより良好な窒化物系半導体層を容易に形成することができる。成長させる工程とを備えている。成長させる際、成長中の窒化物系半導体層からオーバーハング形状のマスク層の突出部に上方向の力が加わり、オーバーハング形状のマスク層の上面が反って凹み部が形成される。これにより、そのマスク層の反った凹み部の上面上に空洞を有して窒化物系半導体層が形成される。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。この場合、マスク層の反った凹み部によって、マスク層の上面と成長層との接触面積がより小さくなるので、c軸のずれをほとんど0°にまで低減することができる。その結果、結晶性のより良好な窒化物系半導体層を容易に形成することができる。shape,その凸部上に、マスク層を形成することによって、そのマスク層をオーバーハング形状にすれば、マスク層のオーバーハング部下の部分には原料が供給されにくくなるので、オーバーハング部下と、それ以外の部分とで成長速度差が生じる。これにより、成長速度の遅いオーバーハング部下の部分では、ごく初期段階から横方向成長が支配的になるので、転位は初期段階から横方向に曲がり始める。その結果、転位が窒化物系半導体層の表面に達するのをより有効に防止することができる。c軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。その結果、結晶性のより良好な窒化物系半導体層を容易に形成することができる。成長させる工程は、オーバーハング形状を有するマスク層の下部から窒化物系半導体層を成長させてマスク層のオーバハング部の下部から力を加えることによって、オーバーハング形状のマスク層の上面を反らせる工程を含む。このように構成すれば、上面が沿って凹み部が形成されるので、そのマスク層の凹み部上に容易に空洞を有して窒化物系半導体層を形成することができる。secondマスク材料層とをエッチングすることによって、第1マスク材料層および第2マスク材料層を有するオーバーハング形状のマスク層を形成する工程とを含む。このように構成すれば、オーバーハング形状のマスク層を容易に形成することができる。成長させる工程をさらに備える。容易に形成することができる。具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。【0034】(第1実施形態)図1〜図4は、本発明の第1実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。以下図1〜図4を参照して、第1実施形態の窒化物系半導体の形成方法について説明する。【0035】まず、図1に示すように、サファイア基板1上に、GaNまたはAlGaNからなる低温バッファ層2を約20nm〜約30nmの厚みで成長させる。)またはHVPE法(ハライド気相成長法)を用いて、約2μm以上の厚みを有する下地層となるアンドープGaN層3を成長させる。マスク層4上の所定領域に、レジスト7を形成する。10μm程度の周期を有するように形成する。この後、レジスト7を除去する。【0036】次に、図3に示すように、マスク層4の端部およびアンドープGaN層3の露出された部分を覆うようにレジスト8を形成する。レジスト8をマスクとして、マスク層4の上面の一部をエッチングすることによって、マスク層4の上面中央に凹部4aを形成する。m,凹部4aは、約4μmの幅を有するように形成する。マスク層4の端部は、約0.5μmの厚みを有するように形成し、マスク層4の凹部4aが形成される部分は、約0.2μm〜約0.3μmの厚みになるようにエッチングする。この後、レジスト8を除去する。GaN層3上およびマスク層4上にアンドープGaN層5を選択横方向成長させる。overgrowth,マスク層4の凹部4a上には、空洞部6を有して平坦な上面を有するアンドープGaN層5が形成される。surfaceの上面上に、凹部4aを有するマスク層4を形成することによって、アンドープGaN層5をマスク層4上に横方向成長させる際に、マスク層4の凹部4a上に空洞部6を有してアンドープGaN層5が形成される。GaN層5のc軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。5軸のずれを、約0.1°以下に低減することができる。baseは、平坦な形状を有するので、図30に示した従来の提案された構造と異なり、凹凸形状を形成するために長時間エッチングする必要がない。このため、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、選択横方向成長されるアンドープGaN層5のc軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。その結果、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、結晶性の良好なアンドープGaN層5を容易に形成することができる。【0040】図5は、上記した第1実施形態の窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子の断面図である。n型GaNコンタクト層11が形成されている。Nクラック防止層12が形成されている。Nクラッド層13が形成されている。13上には、量子井戸構造を有するMQW発光層14が形成されている。Nキャップ層(Mgドープ)および約0.1μmのGaNガイド層(Mgドープ)を含んでいる。0.4μmNクラッド層15が形成されている。Nクラッド層15上には、約0.1μmの厚みを有するMgがドープされたp型GaNコンタクト層16が形成されている。p型GaNコンタクト層16上には、p型電極17が形成されている。GaNコンタクト層11の露出された表面上には、n型電極18が形成されている。各層11〜16の側面および上面を覆うように、絶縁膜からなる保護膜19が形成されている。11-16を形成するので、各層11〜16において、良好な結晶性を実現することができる。process,良好な素子特性を有する半導体レーザ素子を得ることができる。【0045】(第2実施形態)図6〜図10は、本発明の第2実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。選択横方向成長させる方法について説明する。以下、詳細に説明する。SiN.2μm〜約0.3μmの厚みで形成する。第1マスク材料層22b上の所定領域に、レジスト26を形成する。26.そして、そのレジスト26をマスクとして、第1マスク材料層22bをエッチングすることによって、図7に示されるような、パターンニングされた第1マスク材料層22bを形成する。この後、レジスト26を除去する。2またはSiNからなる第2マスク材料層22cを形成する。これにより、第2マスク材料層22cの表面に凹部22aが形成される。その凹部22aおよびその凹部22aの両端近傍を覆うようにレジスト27を形成する。22cをエッチングすることによって、図9に示されるような、パターンニングされた第1マスク材料層22bおよび第2マスク材料層22cからなるマスク層22が形成される。そのマスク層22の上面には、凹部22aが形成されている。0.2μm~約0.3μmの中央部厚みと、約4μmの凹部22aの幅とを有するように形成される。22は、約10μm程度の周期を有するように、ストライプ状に形成される。この後、レジスト27を除去する。20nm〜約30nmの厚みを有するGaNからなる低温バッファ層23を成長させる。24を選択横方向成長させることによって、平坦な上面を有するアンドープGaN層24を形成する。case,マスク層22の凹部22a上には、空洞部25が形成される。この空洞部25によって、この第2実施形態においても、横方向成長したアンドープGaN層24の歪みが緩和されるので、アンドープGaN層24のc軸(結晶軸)のずれを約0.1°以下に低減することができる。GaN層に凹凸形状を形成するための長時間のエッチングプロセスを行う必要がない。このため、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、アンドープGaN層24のc軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。その結果、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、結晶性の良好なアンドープGaN層24を得ることができる。GaN層を設ける必要がない。このため、第1実施形態に比べて製造プロセスをより簡略化することができる。【0050】図11は、上記した第2実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した断面図である。516と、各電極17および18と、保護膜19とが形成されている。【0051】この第2実施形態の半導体レーザ素子では、図7〜図10に示した第2実施形態の形成方法を用いて長時間のエッチングプロセスを行うことなく形成されたc軸のずれが低減されたアンドープGaN層24上に、各層11〜16を形成するので、各層11〜16において、良好な結晶性を実現することができる。したがって、この第2実施形態では、第1実施形態と同様、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、良好な素子特性を有する半導体レーザ素子を得ることができる。【0052】(第3実施形態)図12〜図14は、本発明の第3実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。以下、図12〜図14を参照して、第3実施形態の窒化物系半導体の形成方法について説明する。30nmaNまたはAlGaNからなる低温バッファ層32を成長させる。その低温バッファ層32上に、MOCVD法またはHVPE法を用いて、下地層としてのアンドープGaN層33を約2μm以上の厚みで成長させる。125WiNからなる第1マスク材料層34bを形成する。method,250WのRFパワーで約0.45μmの厚みを有するSiNからなる第2マスク材料層34cを形成する。第2マスク材料層34c上の所定領域に、レジスト37を形成する。【0054】そして、レジスト37をマスクとして、第2マスク材料層34cおよび第1マスク材料層34bをバッファードフッ酸によってウェットエッチングする。acid.この場合、上記のような形成条件で形成した第1マスク材料層34bは、第2マスク材料層34cに比べてエッチングされやすいので、レジスト37をマスクとして第2マスク材料層34cおよび第1マスク材料層34bをオーバーエッチングすることによって、図13に示されるような、オーバーハング形状を有する第1マスク材料層34bおよび第2マスク材料層34cからなるストライプ状のマスク層34が形成される。このストライプ状のマスク層34は、約7μm程度の周期を有するように形成する。この後、レジスト37を除去する。surfaceaN層35を形成する。growth層35からオーバーハング形状のマスク層34の突出部(オーバーハング部)に上方向の力が加わるので、オーバーハング形状のマスク層34の上面が反った形状になる。これにより、マスク層34の上面に凹み部34aが形成される。この凹み部34aを有した状態で、アンドープGaN層35を成長し続けると、凹み部34a上に、空洞部36が形成される。【0057】このような空洞部36によって、横方向成長したアンドープGaN層35の歪みが緩和されるので、アンドープGaN層35のc軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。35との接触面積がより少なくなるので、c軸のずれをほぼ0°にまで低減することができる。third実施形態では、第1および第2実施形態に比べて、より結晶性の良好なアンドープGaN層35を形成することができる。baseの上面は平坦な形状を有しているので、図30に示した従来例のように、GaNからなる下地層の表面に凹凸形状を形成するために長時間のエッチングプロセスを行う必要がない。その結果、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、アンドープGaN層35のc軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。これにより、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、結晶性のより良好なアンドープGaN層35を容易に形成することができる。【0059】図15は、上記した第3実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した断面図である。18,保護膜19とが形成されている。これにより、第3実施形態の半導体レーザ素子では、図12〜図14を用いて長時間のエッチングプロセスを行うことなく形成されたc軸のずれのほとんどないアンドープGaN層35上に、各層11〜16を形成するので、各層11〜16において、より良好な結晶性を実現することができる。process,より良好な素子特性を有する半導体レーザ素子を得ることができる。【0060】(第4実施形態)図16〜図18は、本発明の第4実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。選択横方向成長させる例について説明する。SiN(プラズマCVD,RFパワー250W)からなる約0.45μmの厚みを有する第2マスク材料層42cとからなるオーバーハング形状のマスク層42を形成する。7μmの周期を有するストライプ状に形成する。30nmの厚みで成長させる。この状態では、オーバーハング形状のマスク層42の上面は、反っていない。GaN層44を選択横方向成長させる。この場合、マスク層42の突出部(オーバーハング部)下に成長中のアンドープGaN層44からマスク層42のオーバーハング部に上方向の力が加わるので、マスク層42の上面が反って凹み部42aが形成される。この凹み部42aを有した状態でさらにアンドープGaN層44の成長が進むと、凹み部42a上に空洞部45を有して上面が平坦なアンドープGaN層44が形成される。【0064】このような空洞部45によって、横方向成長したアンドープGaN層44の歪みが緩和されるので、アンドープGaN層44のc軸(結晶軸)のずれを抑制することができる。422aを形成するので、上記した第1および第2実施形態に比べて、マスク層42の上面と成長層であるアンドープGaN層44との接触面積がより少なくなる。これにより、c軸のずれをほぼ0°にまで低減することができる。その結果、第4実施形態では、第1および第2実施形態に比べて、より結晶性の良好なアンドープGaN層44を形成することができる。30に示した従来例のように、下地となるGaN層の表面に凹凸形状を形成するために長時間エッチングプロセスを行う必要がない。このため、第4実施形態では、第3実施形態と同様、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、アンドープGaN層44のc軸(結晶軸)のずれをほぼ0°にすることができる。その結果、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、結晶性のより良好なアンドープGaN層44を形成することができる。【0066】さらに、この第4実施形態では、上記した第3実施形態と異なり、GaNからなる下地層を用いることなく、サファイア基板41上に直接低温バッファ層43を介してアンドープGaN層44を選択横方向成長させるので、下地となるGaN層を設ける必要がない。embodiment,より製造プロセスを簡略化することができる。【0067】図19は、上記した第4実施形態の窒化物系半導体の形成方法を用いて形成した半導体レーザ素子を示した断面図である。図19参照して、この第4実施形態の半導体レーザ素子では、図18に示したアンドープGaN層44上に、図5に示した第1実施形態と同様の各層11〜16と、各電極17および18と、保護膜19とが形成されている。1116において、より良好な結晶性を実現することができる。その結果、第4実施形態では、第3実施形態と同様、長時間のエッチングプロセスを行うことなく、より良好な素子特性を有する半導体レーザ素子を得ることができる。【0068】(第5実施形態)図20〜図22は、本発明の第5実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。以下、図20〜図22を参照して、第5実施形態の窒化物系半導体の形成方法について説明する。【0069】まず、図20に示すように、サファイア基板51上に、GaNまたはAlGaNからなる低温バッファ層52を約20nm〜約30nmの厚みで成長させる。base3を約2μm以上の厚みで成長させる。2からなるマスク層54を約0.2μmの厚みと約4μmの幅で形成する。7μmの周期を有するようにストライプ状に形成する。マスク層54をマスクとして、下地となるアンドープGaN層53をウェットエッチングエッチングすることによって、アンドープGaN層53に凹部53aを形成する。この凹部53aは、マスク層54の両端部下に位置するアンドープGaN層53の領域が抉られた形状になるまでエッチングする。54の両端部は、アンドープGaN層53の凹部53aの端部の上方に突出したオーバーハング形状となる。base層53の凹部53a上およびマスク層54上に、アンドープGaN層55を選択横方向成長させる。subordinatesN層55から、マスク層54のオーバーハング部に上方向に向かう力が加わるので、オーバーハング形状のマスク層54の上面が反って凹み部54aが形成される。55がさらに成長すると、凹み部54a上に空洞部56を有して上面が平坦なアンドープGaN層55が形成される。【0071】この空洞部56によって、横方向成長したアンドープGaN層55のひずみが緩和されるので、アンドープGaN層55のc軸のずれを抑制することができる。GaN層55との接触面積がより少なくなるので、c軸のずれをほぼ0°にまで低減することができる。これにより、第5実施形態では、第1および第2実施形態に比べて、より結晶性の良好なアンドープGaN層55を形成することができる。55の成長時に原料が供給されにくくなるので、オーバーハング部下と、それ以外の部分とでアンドープGaN層55の成長速度差が生じる。これにより、成長速度の遅いオーバーハング部下の部分では、ごく初期段階から横方向成長が支配的になるので、図22に示すように、転位57は初期段階から横方向に曲がり始める。このため、転位57は、アンドープGaN層55の上面にほとんど達しない。これにより、図31に示した従来例に比べて、よりアンドープGaN層55の転位57を低減することができる。その結果、第5実施形態では、転位をより低減しながら、アンドープGaN層55のc軸のずれをほぼ0°に低減することができる。これにより、上記した第1〜第4実施形態に比べて、結晶性のより良好なアンドープGaN層55を得ることができる。【0073】図23は、上記した第5実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造された半導体レーザ素子を示した断面図である。18と、保護膜19とが形成されている。11〜16を成長させるので、各層11〜16において、より良好な結晶性を実現することができる。Therefore,この第5実施形態では、より良好な素子特性を有する半導体レーザ素子を得ることができる。【0074】(第6実施形態)図24〜図27は、本発明の第6実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。この第6実施形態では、上記した第5実施形態において、下地層を用いずに直接基板上に窒化物系半導体層を成長させる場合の例を示している。図24〜図27を参照して、以下に第6実施形態の窒化物系半導体の形成方法について詳細に説明する。2またはSiNからなるマスク層62を約0.2μmの厚みと約4μmの幅とを有するように形成する。7μm程度の周期でストライプ状に形成する。この凹部61aは、マスク層62の両端部下まで抉られた形状になるまでエッチングする。これにより、マスク層62の両端部は、n型Si基板61の凹部61aの端部の上方に突出したオーバーハング形状となる。maskの凹部61aの表面上に、GaNまたはAlGaNからなる低温バッファ層63を約20nm〜約30nmの厚みで成長させる。62N層64を選択横方向成長させる。62のオーバーハング部に上方向の力が加わるので、マスク層62の上面が反って凹み部62aが形成される。この凹み部62aを有した状態でアンドープGaN層64をさらに成長させると、凹み部62a上に空洞部65を有して上面が平坦なアンドープGaN層64が形成される。less,上記した第5実施形態と同様、横方向成長したアンドープGaN層64のc軸のずれをほぼ0°にまで低減することが可能となる。【0079】また、この第6実施形態では、オーバーハング形状のマスク層62のオーバーハング部下の部分には、アンドープGaN層64の成長時に原料が供給されにくくなるので、オーバーハング部下とそれ以外の部分とでアンドープGaN層64に成長速度差が生じる。stages,図27に示すように、転位66は初期段階から横方向に曲がり始める。GaN層64の表面に達するのをより有効に防止することができる。これにより、第6実施形態では、図31に示した従来例に比べて、よりアンドープGaN層64の転位を低減することができる。embodiment,転位をより低減しながら、c軸のずれをほぼ0°のまで低減することができるので、第5実施形態と同様、より結晶性の良好なアンドープGaN層64を得ることができる。63を介してアンドープGaN層64を形成するので、下地層としてのGaN層を設ける必要がない分、第5実施形態に比べて、より製造プロセスを簡略化することができる。【0081】図28は、上記した第6実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造された半導体レーザ素子を示した断面図である。図28を参照して、この第6実施形態では、上記した第1実施形態〜第5実施形態の半導体レーザ素子と異なり、導電性のn型Si基板61を用いているので、n型Si基板61の裏面にn型電極78が設けられている。【0082】また、図26に示したアンドープGaN層64上には、Siがドープされたn型GaNコンタクト層71が約5μmの厚みで形成されている。Nクラック防止層72が約0.1μmの厚みで形成されている。Nクラッド層73が約1μmの厚みで形成されている。Nクラッド層73上には、量子井戸構造を有するMQW発光層74が形成されている。0.4μmNクラッド層75が形成されている。Nクラッド層75上には、約0.1μmの厚みを有するMgがドープされたp型GaNコンタクト層76が形成されている。76,p型電極77が形成されている。71-76を形成するので、各層71〜76において、より良好な結晶性を実現することができる。したがって、この第6実施形態では、より良好な素子特性を有する半導体レーザ素子を得ることができる。【0085】なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。2によって形成したが、本発明はこれに限らず、他の絶縁膜材料や高融点金属材料によって形成してもよい。embodiment,オーバーハング形状のマスク層を、プラズマCVD法のRFパワーを変化させて形成した2層のSiN層をエッチングすることにより形成したが、本発明はこれに限らず、他の形成方法によってオーバーハング形状のマスク層を形成してもよい。etching,オーバーハング形状のマスク層を形成することは可能である。これは、上記のように形成した下層の第1マスク材料層が上層の第2マスク材料層に比べてエッチングされやすいからである。embodiment,凹部を有するマスク層の形成方法として、それぞれ異なる形成方法を示したが、本発明はこれに限らず、第1実施形態の構造において、第2実施形態のマスク層の形成方法を用いて形成したマスク層を採用してもよいし、第2実施形態の構造において、第1実施形態のマスク層の形成方法を用いて形成した凹部を有するマスク層を採用してもよい。提供することができる。【図1】本発明の第1実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図2】本発明の第1実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図3】本発明の第1実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図4】本発明の第1実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図5】本発明の第1実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した断面図である。【図6】本発明の第2実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図7】本発明の第2実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図8】本発明の第2実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図9】本発明の第2実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図10】本発明の第2実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図11】本発明の第2実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した断面図である。【図12】本発明の第3実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図13】本発明の第3実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図14】本発明の第3実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図15】本発明の第3実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した断面図である。【図16】本発明の第4実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図17】本発明の第4実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図18】本発明の第4実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図19】本発明の第4実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した断面図である。【図20】本発明の第5実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図21】本発明の第5実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図22】本発明の第5実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図23】本発明の第5実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した断面図である。【図24】本発明の第6実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図25】本発明の第6実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図26】本発明の第6実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図27】本発明の第6実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図28】本発明の第6実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した断面図である。【図29】従来の窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図30】従来の提案された窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。【図31】図30に示した従来の提案された窒化物系半導体の形成方法の問題点を説明するための断面図である。成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。7または8に記載の窒化物系半導体の形成方法。前記第1マスク材料層が残るように、前記第2マスク材料層をエッチングすることによって、前記第1マスク材料層および前記第2マスク材料層からなるとともに、上面に凹部を有するマスク層を形成する工程とを含む、請求項7または8に記載の窒化物系半導体の形成方法。成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。成長させて前記マスク層のオーバハング部の下部から力を加えることによって、前記オーバーハング形状のマスク層の上面を反らせる工程を含む、請求項11または12に記載の窒化物系半導体の形成方法。前記第1マスク材料層と前記第2マスク材料層とをエッチングすることによって、前記第1マスク材料層および前記第2マスク材料層を有するオーバーハング形状のマスク層を形成する工程とを含む、請求項11〜13のいずれか1項に記載の窒化物系半導体の形成方法。成長させる工程をさらに備える、請求項7〜14のいずれか1項に記載の窒化物系半導体の形成方法。