LCD装置高的透光性。优选地,公共电极26比像素电极27更靠近液晶层13。IPS型有源矩阵寻址LCD装置5。图19示出沿图18中的F-F'线的截面图。25由单层的无机层,即SiNx层25a形成。embodiments.下面,介绍第五实施例的LCD装置5的制造方法。30a和30b、数据线24以及像素电位层42a和42b。对这样形成的SiNx层25a进行选择性蚀刻,形成接触孔39a、39b和39c。27的接触孔39b使SiNx第一中间介电层23曝光。26b的接触孔39a。这样,孔39b露出源极30b,孔39c露出像素电位层42a或42b,而孔39a露出公共电极线26a或26b。