27和公共电极26时,显示“黑色”。27和公共电极26,从而在液晶层13中产生与基板11和12大致平行的电场时,显示“白色”。IPS型有源矩阵寻址LCD装置2。图8示出沿图7中的F-F'线的截面图。element.特别地,对于第一实施例的LCD装置1,像素电位层42a和42b通过透明像素电极27彼此电连接。43彼此电连接,如图8和9所示。12.下面参照图10A至10C说明第二实施例的LCD装置2的制造方法。Cr层构图,从而在玻璃板22上形成栅极30c,扫描线28以及公共电极线26a和26b,而如图10A所示,在板22上用同样的Cr层形成了互连电极43,。SiO2次层和SiNx次层,然后,在层23上形成TFT30的a-Si岛41。),如图9A和10B所示。从而形成了TFT30的漏极和源极30a和30b、数据线24和像素电位层42a和42b。42a和一个像素电位层42b。42b.在每个像素中,如图10B所示,像素电位层42a与互连电极43重叠,并且通过接触孔44a与该电极43接触。相似地,像素电位层42b设置得与互连电极43重叠,并且通过接触孔44b与该电极43接触。此阶段的状态如图10B所示。10B.如图9B清楚所示,靠近所述级TFT30的栅极30c的像素电位层42a与其上的源极30b相连。与此不同地,靠近前级TFT30的栅极30c的像素电位层42b没有与其上的源极30b相连,而是隔开的。apart.接着,如图10C所示,通过用漏极30a和源极30b作掩模对a-Si岛41进行选择性蚀刻,从而在漏极30a和源极30b之间形成开口。a-Si层32的内部。这样,形成了TFT30的沟道。