IPS型有源矩阵寻址LCD装置4。图16示出沿图15中的F-F'线的截面图。27形成的互连电极43彼此电连接。27的第四中间介电层47上。embodiments.下面,参照图17说明第四实施例的LCD装置4的制造方法。25以覆盖源极和漏极30a和30b、数据线24以及像素电位层42a和42b。25b进行选择性曝光,并显影,烧结,从而形成接触孔39a、39b和39c。27的接触孔39b使第二中间介电层25的较低的SiNx次层25a曝光。27的接触孔39c使第二中间介电层25的较低的SiNx次层25a曝光。26b的接触孔39a使第二中间介电层25的较低的SiNx次层25a曝光。25的被曝光的SiNx次层25a。这样,孔39b露出源极30b,孔39c露出像素电位层42a或42b,而孔39a露出公共电极线26a或26b。26b.然后在整个玻璃板22上沉积ITO层46,以覆盖接触孔39a、39b和39c。这样,这些孔39a、39b和39c的内面被ITO层46覆盖。(即有机材料)制成的第四介电层47以覆盖像素电极27。26b的接触孔39a。47上沉积ITO层(未未),从而覆盖接触孔39a、39b和39c。