共同で、新構造の採用により性能を従来から2倍向上させたインジウムガリウムヒ素(InGaAs)トランジスタを開発した。四角形断面を持つInGaAsの立体構造上に、適切な条件でInGaAsを再成長させて、両斜面が(111)B面である三角形断面の立体構造を作製した。この立体構造をチャネルとしたトランジスタは、(111)B面に起因する高移動度と、再成長時の表面平坦化により、従来のInGaAsトランジスタの2倍の電子移動度を示した。これにより、トランジスタの動作電圧を下げられるので、従来の四角形断面構造に比べ、集積回路の消費電力が最大で6割程度低減することが期待される。研究グループは今後、p型トランジスタの高性能化に適したゲルマニウム(Ge)の立体チャネルトランジスタと組み合わせ、CMOS回路としての動作を検証していく。トランジスタ単体の性能だけでなく、Si-CMOS回路を上回る回路性能、あるいは低消費電力化を目指す。光ファイバ通信技術に焦点をあて、研究開発の変遷、要素デバイス、WDMやデジタルコヒーレント伝送技術に至るシステムに必須技術を分かりやすく解説。X線、レーザー、オプティクスなどの技術分野が一堂に会する専門展です。求職者と求人企業、双方によりメリットのある「採用・就職」のお手伝いをいたします。