28%のアンモニア水に20分浸積する他は同様の剥離促進処理を行った。剥離機として、図5を使用する他は同様とし、真空吸着を停止して、外観異常のない厚み80μmの薄葉化半導体基板を取り出した。diameter100.0mmの半導体基板を用いた。円板に、アルミニウム系化合物による熱処理・熱分解による表面処理し、樹脂含浸し、減圧プレス硬化し、さらに表面粗さRa=0.3μmまで表面研磨しものを保持基板とし、その片面に厚み25μmの熱可塑性ポリアミド樹脂(ナイロン6)を仮接着したものを用いた。release,外観異常のない厚み50μmの薄葉化半導体基板を取り出した。剥がし、保持基板は再利用出来るなど、生産性の高い新規な加工法としてその意義は高い。DRAWINGS【図1】上下一対で、下側に下動てこアームを設けた吸着盤を用いた剥離装置の概略を示す断面図。side.【図2】上下吸着盤にそれぞれ動てこアームを設けた剥離装置の概略を示す断面図。cup.【図3】押し上げピン付き下側吸着盤とした剥離装置の概略を示す断面図。device.【図4】図3の装置の平面図。FIG.【図5】挿入ナイフ稼働部を設けた剥離装置の概略を示す断面図。下側吸着盤を設けた剥離装置の概略を示す断面図。ために片開き方向に移動をするための機構を備えてなるものである薄葉化半導体基板の剥離装置。peeling記載の薄葉化半導体基板の剥離装置。該剥離のための起点を、オリエンテーション・フラット部分に形成する請求項2記載の薄葉化半導体基板の剥離法。該剥離のための起点を作る機構が、ナイフエッジを押し当てることによるものである請求項2または3記載の薄葉化半導体基板の剥離装置。該剥離のための起点を作る機構が、真空吸着ヘッドの少なくとも片開き側が穏やかな曲面とされ、該曲面にて吸着して曲げ応力を発生させるようにしたものである請求項2記載の薄葉化半導体基板の剥離装置。保持基板から剥がす薄葉化基板の剥離法。°Cの水溶液に浸積したものである請求項6記載の薄葉化半導体基板の剥離方法。以上添加してなるものである請求項7記載の薄葉化半導体基板の剥離方法。