45.随后,在第一中间介电层23上依次形成a-Si层32和n+-型a-Si层33。30的a-Si岛41。接触孔44a和44b是用于互连电极43的。从而形成了TFT30的漏极和源极30a和30b、数据线24和像素电位层42a和42b。42a和一个像素电位层42b,所述像素电位层42a和像素电位层42b是彼此分开的。在每个像素中,如图13A和13B所示,像素电位层42a与互连电极43重叠,并且通过接触孔44a与同一个电极43接触。相似地,像素电位层42b与互连电极43重叠,并且通过接触孔44b与该电极43接触。43.如图13B清楚地所示,靠近所述级的TFT30的栅极30c的像素电位层42a与其上的源极30b相连。与此不同地,靠近前级TFT30的栅极30c的像素电位层42b没有与其上的源极30b相连,而是隔开。embodiment.具体地,通过用漏极30a和源极30b作掩模对a-Si岛41进行选择性蚀刻,从而在漏极30a和源极30b之间形成开口。a-Si层32的内部。这样,形成了TFT30的沟道。