[0001]【産業上の利用分野】本発明は、保持基板に熱可塑性樹脂にて半導体基板を接着し、薄葉化を含む裏面処理を施した後、該保持基板から薄葉化された半導体基板を剥離する剥離装置並びに剥離方法に関する。薄型、軽量化のニーズが要求され、携帯電話や、ICカードで代表されるようにますます薄型化が進展している。薄いプリント基板としては、全芳香族ポリアミドペーパーを基材とするもの、ポリイミドフィルムを使用したものが増えてきている。0.05mm、0.03mmなどの要求がある。usually,セラミックスは硬く、変形しないものであり、曲げ可能な薄ガラス板などの例外を除き、薄くした場合には、極めて割れやすいという問題がある。厚で、50mm×50mmが薄膜法のセラミックス基板の最大のワークサイズであった。method.【0003】同様に、電子部品そのものの薄型化も進展している。これも、小型化と高性能化との要請による。Si)は、ワークサイズが8インチから12インチへとサイズアップのための開発が盛んに行われている。現在の製造工程は、金属を含む電子回路を両面同時に形成する方法がないことから、片面づつ形成する必要がある。-1と大きく、予め薄くして用いると反りが生じ、次工程が出来ない場合や破損する場合が生じる。研磨し、薄くした後、適宜、裏面用の半導体回路を形成し、保持基板から剥離しチップサイズに切断するか又は個々のチップサイズに切断した後、保持基板から剥離するという製造法をとる必要がある。°C)溶融して、プレスによって、ウェハーを貼り付け、研磨した後、加熱して、ワックスを溶かし、左右にそれぞれ引っ張り剥離する例がある。この方法では、金蒸着などの工程に耐えうるものではない。切断加工用保持などに用いるものとして、UV照射剥離型のテープ、加熱剥離型のテープなどが市販されている。これらも金蒸着などの工程に耐えうるものではない。°C程度以上の高温と、該高温でプラズマ処理やイオンプレーティングが可能な真空下での保持が必要となる。required.また、高温処理工程を必要としない場合にも、用いる薬品などにより、使用可能な接着保持剤の種類、保持基板の種類などが大きく制限されてくる。半導体基板は、脆いことから、保持基板に接着保持する工程、さらに剥離する工程にて割れなどの発生のない方法が必須となる。essential.【0007】上記の課題を一挙に解決する手段を見いだすことは極めて困難である。このことから、例えば、再現性の高い接着保持方法が開発できれば、条件選択によって、必要な期間または工程に限定した信頼性の高い接着保持、その後の易剥離が可能となる。使用可能な接着用材料の範囲が広がれば、必要な物性値と剥離性とのバランスの選択の可能性も大幅に広がることとなる。装置化して、それぞれの方法の実施をより再現性の高い、熟練を必要としない方法として確立すれば、多量生産への道を開くことが可能となる。[0008]【課題を解決するための手段】そこで、接着保持した基板より、薄葉化した半導体基板の割れることのない剥離、再現性の高い剥離の方法について鋭意検討した結果、本発明を完成した。ために片開き方向に移動をするための機構を備えてなるものである薄葉化半導体基板の剥離装置である。substrate.【0009】該装置において、真空吸着ヘッドの片開き側に剥離のための起点(きっかけ)を作る機構を設けてなるものであること、剥離のための起点をオリエンテーション・フラット部分に形成すること、剥離のための起点を作る機構がナイフエッジを押し当てるようにしたものであること、または、該剥離のための起点を作る機構が真空吸着ヘッドの少なくとも片開き側が穏やかな曲面とされ、該曲面にて吸着して曲げ応力を発生させるようにしたものである。保持基板から剥がす薄葉化基板の剥離法である。以上添加してなるものであることが好ましい。preferable.【0012】まず、本装置の一例を図面にて具体的に説明する。図1および図2は、本発明の剥離機の概略の断面図であり、図3、図5および図6は剥離機の吸着部分の断面図であり、図4は図3の平面図である。上部まで移動し、そこで位置合わせを行い、下降させ吸着盤4でも吸着する。エアシリンダー1にて、吸着盤3は上方向に引っ張られる。エアシリンダー2にて、吸着盤4は右側端から片開きする方向の力にて下方に引っ張られる。固定され、この稼働てこアーム5は左側で回転自在に固定されていることによる。右端側から順次剥離が左側に移動するような形式で保持基板から剥離される。12,シリコーンゴム・シートを介して吸着盤3が固定されたものである。この結果、吸着盤3によっても、右側端から片開きする方向の力を負荷できる。3,4は、押し上げピン(22)をオリフラ部分に設けた場合の断面図及び平面図である。surface,保持基板エッジ加工部(32)、挿入ナイフ稼働部(31)を設けて、ナイフエッジにて剥離のきっかけを形成するものである。(44)としてやや湾曲させての保持をより強力に可能とする。powerful.【0015】以上、図示した方法は適宜、併用可能であり、図1または図2に、図3または図5、さらに図6の方法を適宜組み合わせることができる。図1の吸着盤3、4を図6のような曲面を設けたものとし、さらに、図5に示したようにナイフエッジにて剥離のきっかけを形成する機構を付加することなどであり、曲面吸着により応力を発生させ、さらに、ナイフエッジにより、物理的きっかけを形成することは有利な方法である。示したものであり、剥離を促進するための予備処理を適用したものとして好適に使用できる。release.【0017】これらを以下、簡単に説明する。挙げられ、適宜使用できる。appropriately.【0018】これらはその表面に形成した半導体の処理の種類によって、接着性、剥離性が大きく作用される。affected.これら表面処理としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化複合膜、ポリイミド、シリコン変性ポリイミド膜などの絶縁膜:;アルミニウム膜、銅膜、金膜の他に、タングステン、ニッケル、クロム、ニッケル−クロムなどの金属回路材が挙げられ、特に、金パッド、アルミニウム・パッドが多い。aluminum·パッドは、温水や、酸、アルカリにより、腐食し易い為、剥離工程では、特に注意が必要である。熱硬化性樹脂を含侵し硬化したものが好適に使用される。アモルファスカ−ボンおよび炭素繊維強化炭素などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シアナト樹脂、ポリイミド樹脂、ラダーシリコーン樹脂などが例示され、ポリイミド樹脂やラダーシリコーン樹脂などは溶液として含侵し、乾燥して溶剤を除去する工程を適宜、2回以上繰り返す方法を使用する。クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体(E/CTFE)などがあげられる。これら樹脂をそのままで用いる場合には通常、吸水率が1%以上のポリイミド、ポリアミド、エチレン−ビニルアルコール共重合体などが好ましい。preferred.【0021】これら接着樹脂は、接着を促進する目的で、またはその逆に剥離促進操作時により剥離性を向上させる目的で種々の変性をおこなったものとして好適に使用できる。添加による水処理による剥離性の向上、その他が挙げられる。10μm以下の接着層として用いる方法、(3).樹脂溶液を用い、スクリーン印刷や、コート機を用い、保持基板に厚み10〜50μmの塗布を行う方法がある。water,アンモニア水、アミン、または水とアミン類の混合液溶液中に浸積する方法や水蒸気にて処理する方法がある。amines.更に、これら工程中に適宜、超音波処理を併用する事により、時間を短縮できる。水としては、浸透性や基板の汚染防止の点から、純水が好ましい。半導体回路表面の露出物が腐食や溶解することはさけるべきであり、例えば、表面にアルミニウム回路が露出している場合に温水を用いる場合、珪素(Si)を前もって溶解した温水を使用するのが好ましい。より本発明を具体的に説明する。実施例等中の「%」は、特に断らない限り重量基準である。125.0mmのシリコン・ウェハー製の半導体基板を準備した。熱可塑性ポリイミド樹脂(商品名:ユーピレックスVT441S、宇部興産製)を仮接着したものを準備した。130mmの穴をくり抜いて額縁状とした枠を準備した。耐熱クッションを入れたものを上部側の熱盤に固定した。320°Cに加熱保持した。0.2MPaまで昇圧し、この圧力を14分設維持した。接着した後、窒素ガスを入れ、冷却兼大気圧化を行い、上盤を上げ、一体化したウェハーとセラジンを取り出した。100μmまで研削し、更に、#1200のダイヤモンド・ブレードにより、シリコン厚み84μmまで研削した。より、化学的ポリッシング加工により、シリコン厚み80μmまで加工した。nitrogen360°C/1時間加熱処理を行った。3.0mmのプラネタリウム処理を行い、外周、及び接着層、保持基板の露出部に、金が蒸着しないようにした。deposited.【0028】次いで、剥離工程に入った。water,80°Cに加熱した石英製の容器の中に、上記で得た薄葉化半導体付き保持基板を1時間浸積した後、取り出し、室温の純水に浸積し、冷却し、水切りを行い、図1の剥離機にセットした。薄葉化半導体側から及び保持基板側から、それぞれ充分真空吸着させた後、主エアシリンダーおよび加工用副エアシリンダーを同時に低速で稼働させた。上側吸着盤に、接着層付き保持基板は下側吸着盤にそれぞれ吸着された状態で分離した。thickness80μmの薄葉化半導体基板を取り出した。150.0mm、絶縁膜が酸化膜のものを用いた。