新デザインに移行します。メニューから切り替えられます。Chineseこのアプリケーションの一部のコンテンツは現在ご利用になれません。この状況が続く場合は、次のお問い合わせ先までご連絡ください。本発明は、ファセット成長による転位などの欠陥が低減された半導体装置等に有用な結晶品質に優れたコランダム構造を有するエピタキシャル膜を提供する。ファセット成長領域を実質的に含まず、結晶成長方向がc軸または略c軸方向であり、c軸または略c軸方向に伸びている転位線を含んでおり、c軸または略c軸方向に結晶成長が拡がった結晶性酸化物同士が互いに接合している。