90mm×长约70mm×厚约0.7mm的玻璃基板(コ-ニンゲ公司制#1737)作为密封基板120。simply.如图5(a)所示,采用CVD法等在元件基板130的一面上堆积例如SiN膜131及SiO2膜132作为阻隔膜。再在其上面采用CVD法堆积适当膜厚(例如约50nm)的非晶硅膜133。形成门绝缘膜(未图示)、门配线137、源/漏极配线134、层间绝缘膜135及钝化膜136。TFT上分别形成阴极111A′。(R、G、B)用的绝缘性的隔壁(以下称像素分离壁)138。111B′1、绿色发光有机膜111B′2及蓝色发光有机膜111B′3。Alq3膜(膜厚约60nm)。