这里,使用宽度约50mm×长度约50mm×厚度约0.7mm的玻璃基板(コ-ニング公司制#1737)作为元件基板110,使用宽度约40mm×长度约40mm×厚度约0.7mm的玻璃基板(コ-ニング公司制#1737)作为密封基板120。110的元件形成面110A上形成如图2(a)所示的有机EL元件111。111A的透明导体膜(例如,ITO膜、IZO膜等)。例如,按间距约4mm形成7条带状的宽度约2mm×长度约48mm×膜厚约120nm的抗蚀剂图形。在元件基板110的元件形成面110A上形成阴极111A。formed.在这样形成的阴极111A上分别层合有机膜111B。(triphenyldiamine,TPD)、双[N-(1-萘基)-N-苯基]联苯胺(α-NPD)等,发光层可以使用三(8-羟基喹啉)铝配位化合物(Alq3)、双(苯并喹啉)铍配位化合物(BeBq)等。(PPV)、聚芴衍生物(PDAF)、咔唑衍生物(PVK)等。111C的膜厚约200nm的金属膜。可列举Mg-Ag、Al-Li、Al-LiF、Al-Ca等。由此,在元件基板110上完成如图2(a)所示的有机EL元件111。121、内周干燥剂图形122A及外周干燥剂图形122C。211的行列的线宽200μm的框状开口图形(宽约35mm×长约35mm、宽约38mm×长约38mm)的网膜。(约31.1重量%)将A3型沸石(约66.4重量%)的粉体(平均粒径4μm)混炼生成的粘度598Pa·s的膏。method.由此,干燥剂膏230通过各开口图形211、212A、212C,分别用干燥剂膏230在密封基板120上转印各开口图形211、212A、212C的形状。故在约100°C下将干燥剂图形121、122A、122C加热30分钟后,再在约180°C下加热30分钟,从干燥剂图形121、122A、122C中除去有机溶剂。可以将干燥剂图形121、122A、122C在大约400°C下热处理2小时左右。122A、122C成为线宽约230μm、膜厚约26μm的框状图形。120从常温加热到约180°C之后,把该温度保持约10分钟。122A、122C而渗到空间S侧及外部。优选固化温度为100°C以下的材料。material.然后,如图2(d)所示,将元件基板110与密封基板120重合以使有机EL元件111与内部干燥剂图形121对置。边对这些基板110、120进行加压,边使密封材料122B固化。122B时,通过从元件基板110侧照射紫外光X,使密封材料122B第1次固化,再使用热板,以适当的时间(例如60分钟)加热到适当的温度(例如80°C),使密封材料122B第2次固化(正式固化)。111B.由此,完成无源型的有机EL面板100。