投影光学系统PL配置在腔室CH内。(光致抗蚀剂)等的膜的基板。基板P实质上为圆板状。(reticule)。以利用曝光用液体LQ来充满曝光光EL的光路空间。曝光装置EX利用曝光用液体LQ在喷嘴部件8和基板P之间形成液浸空间,借助曝光用液体LQ对基板P照射曝光光EL,对该基板P进行曝光。供给的清洗用液体LC形成液浸空间。液浸空间是由液体(曝光用液体LQ、清洗用液体LC)充满的空间。FL具有射出曝光光EL的光射出面(下表面)。FL的光射出侧(投影光学系统PL的像面侧)移动。FL的光射出侧(投影光学系统PL的像面侧)与基板工作台2独立地移动。PL的终端光学元件FL附近。2和计测工作台3中的至少一方。和喷嘴部件8相对移动。FL和喷嘴部件8相对移动。(g线、h线、i线)和KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、ArF准分子激光(波长193nm)、以及F2激光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。使用ArF准分子激光。4,在x轴、Y轴和ez方向上移动。6的激光干涉仪6M计测。1的计测反射镜1R,计测掩模工作台1的关于x轴、y轴和ez方向的位置。1上的掩模M的位置进行控制。P上投影掩模M的图案的像。