初始化信号(146)为高电平。故P型M0SFET139和N型M0SFET141为关断状态。沟道设定工作中,在阶段I,视频信号(IN)仍为低电平,N沟道控制信号(143)为高电平。VSS,进行电容C9的充电。沟道控制信号(142)为低电平。VDD流向输入端IN,进行电容C8的充电。在阶段n,返回到高电平。将E1〜E4组合在一起,可得到16级灰度)。154,利用这4个MOSFET151~154形成NAND电路。型M0SFET154的栅与第2输入端IN2连接。VDD连接,其漏在均与N型M0SFET154的漏连接的同时,也与输出端OUT连接。(在本例中,为地电位VGND)连接。known.基于本发明,对M0SFET151〜154分别;殳置校正电路155~158。M0SFET串联连接的开关。164,利用这4个MOSFET161〜164形成NOR电路。型MOSFET164的栅与第2输入端IN2连接。VDD连接,其漏与P型MOSFET162的源连接。164的漏连接的同时,也与输出端0UT连接。(在本例中,为地电位VGND)连接。art.基于本发明,对M0SFET161〜164分别设置校正电路165~168。M0SFET串联连接的开关。