P型MOSFETll的栅上。例如,希望假定电容C1为P型MOSFETll的栅电容的5倍以上的大小。从而能使P型MOSFETll可靠地关断。Officials压成为更接近的值,从而是所希望的。与P型M0SFET14的尺寸不同。型M0SFET14的沟道长度L及/或沟道宽度W。(即,使工作速度降低)。该数字电路30具有CMOS倒相电路31作为开关电路。阈值电压为V,的P型M0SFET32和阈值电压为VTHN的N型MOSFET33。VSS(在本例中,为地电位V哪)连接。33的漏互相连接,其连接点(节点)N4与输出端OUT连接。signal.基于本发明,校正电路34被连接在P型MOSFET32的栅与输入端IN之间。VTHP的设定工作用的P型M0SFET35和开关SW2。C2与P型M0SFET32的栅之间的节点N5上,其源经开关SW2与高电平电源电位VDD连接。此外,P型M0SFET35的栅与漏连接,形成二极管连接。connection.另外,校正电路36被连接在N型MOSFET33的栅与输入端IN之间。VTHN的设定工作用的N型MOSFET37和开关SW3。上,其源经开关SW3与低电平电源电位VSS连接。的栅与漏连接,形成二极管连接。