不会关断那样的值),低电平输入电位V皿等于地电位V哪(即,为使P型MOSFETll导通的充分低的值)。由此,如图中的箭头所示,通过P型M0SFET14流过电流,电容C1被充电。如具有充分的时间,则电容C1两端的电压上升,由此,P型MOSFETll的栅.源间电压V(;s的绝对值减小,最终,P型M0SFET14关断,电流停止。两端的电压为VDD-V则-1VTHPI。型MOSFETll关断,没有漏泄电流。由此,在输出端OUT输出地电位VGND。