VcH大致相同的电位V〜上。大致相同的电位V^上。VINL之间的输入信号。1闩锁电路82和闩锁从第1闩锁电路82传送来的数据的第2闩锁电路83。86的时钟信号(或时钟补信号)的振幅比电源电压(高电平电源电位VDD-低电平电源电位VSS)小。在本图中,另一钟控倒相器86和倒相器87省略了图示。connection.P型MOSFET93的栅经校正电路97与时钟补信号线95连接,N型MOSFET94的栅经校正电路98与时钟4言号线96连接。的栅之间的节点N9与高电平电源电位VDD之间。与N型M0SFET94的栅之间的节点N10与低电平电源电位VSS之间。型M0SFET100的栅经倒相器103与第1控制信号线104连接,N型M0SFET102的栅直接与第1控制信号线104连接。连接,N型M0SFET94的栅经电容C7与时钟补信号线95连接,P型MOSFET100和N型MOSFET102的栅与第2控制信号线105连接。初始化信号线108的电位为高电平。的栅连接的电容C6施加低电平电位V『向与N型M0SFET94的栅连接的电容C7施加高电平电位VCH。C7进行电荷蓄积的第2设定工作构成。控制信号线105和时钟信号线96的电位为低电平。85a中的i殳定工作结束。时钟补信号线95的电位为低电平。