過酷な温度環境においても安定して動作するデバイスを実現するため、我々はダイヤモンドを使って温度の変化に依存しないFET動作を目標とした研究をしています。表面を水素終端したダイヤモンドに現れる二次元正孔ガスは広い温度領域において伝導性があまり変化しないという特徴があります。我々はこれをFETに応用することにより温度に依存しない安定したFET動作が実現できると考えました。この二次元正孔ガスに不可欠な水素終端の高温における安定性については700°Cまで安定であることを確認しています。このような水素終端を外部環境から保護し、かつ二次元正孔ガスに必要なもう一つの要因である表面吸着層を維持・創生する技術を開発しており、酸化剤にH2Oを用いたALD法により比較的高温にてAl2O3を成膜することにより400°Cという高温でのFET動作を実現しています。図1の上半分は実際作製したデバイスの写真図、下半分はデバイス断面の模式図です。図2の測定装置の測定範囲は-263°C~400°Cです。10.1063/1.4881524)。