Japanese)半導体装置は、酸化物の磁性材料からなる活性層と、活性層の上に設けられた、水を含有する多孔質誘電体とを含み、水の電気分解で形成された水素および酸素を用いて、強磁性金属と反強磁性絶縁体との間で活性層の結晶構造を変化させる。Japanese)近年、磁性材料中の微小な磁石である電子スピンを、磁界に代えて電界で制御する次世代スピントロニクスが大きな注目を集めており、その一例が磁性材料を活性層に用いてゲート電圧で活性層の磁気を制御する強磁性薄膜トランジスタである。ここで、磁性材料の多くは金属並みの高い電子(またはホール)キャリア濃度(1022cm-3程度)を有するため、半導体エレクトロニクスで用いられる誘電体をゲート絶縁膜に用いた場合、キャリア濃度を十分に変調することができない。このため、イオン液体を用いて強磁性体のキャリア濃度を変調する電気二重層トランジスタが提案されている(例えば、非特許文献1、2参照)。Japanese)本発明は、酸化物の磁性体を活性層に用いた半導体装置に関し、特に、活性層の結晶構造を変化させて、強磁性金属と反強磁性絶縁体との間で活性層の特性を切り替える半導体装置に関する。空孔率が5~70体積%で、水分含有率が23~100体積%の多孔質誘電体からなることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体装置。