Japanese)Cu系の超伝導薄膜((Cu1-xTlx)Ba2Ca2Cu3Oy:(Cu,Tl-1223),(Cu1-xTlx)Ba2Ca3Cu4Oy:(Cu,Tl-1234))を作製するのにアモルファス相エピタキシー法(APE)と自己形成エピタキシー法(SAE)を適用した。APE法では,SrTiO3基板上に高周波マグネトロンスパッタリングでCu,Tl-1223とCu,Tl-1234アモルファス膜を形成し,銀カプセル中でアニールして,単相および二軸配向薄膜を得た。膜のTc域は105~118K間にあり,Jcの磁場依存性は図1にある。TcおよびJc共にYBCOのそれより高かった。SAE法では,TlBa2CuO5-y:(1201)とCaCuO2の2種のターゲットを用いた。1201は基板と格子が略一致し,SrTiO3(100)基板上に超格子が成長し,X線回折(図2)での検証により超格子のλ(=1.868nm)はCu,Tl-1234のそれに近いことが分った。CaCuO2とSrxCa1-xCuO2は面内の格子定数が良く一致するため,[CaCuO2]m/[SrxCa1-xCuO2]nの人工超格子を成長させた。同様にX線回折(図3)から正方晶の無限層構造を形成していることが分った。