×この技術を簡単クリック査定この機能をご利用いただくには、会員登録(無料)が必要です。出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。関連する未来課題-重要な関連分野-※この項目の情報は公開日時点(2019年4月18日)のものです。(9)課題・解決手段ガルバノミラー(10)は、鏡面を有するミラーサーフェイス部(10A)と、鏡面の裏面側に接合される背面補強部(12)とを有し、ミラーサーフェイス部(10A)を単結晶SiCウェハにより構成し、背面補強部(12)をC/SiC材により形成する。これにより、ミラーサーフェイス部の剛性を高めるとともに、ミラーサーフェイス部を薄くし、ミラーサーフェイス部の背面補強部を軽量化する。これにより、ガルバノミラーの共振周波数を高め、高速に移動させても、高精度で歪みにくいガルバノミラーを得る。搭載される基板の高集積化が進み、加工機の高精度化、高速化が要求されている。基板を加工するレーザ加工機では、レーザビームをガルバノミラーで走査させている。このガルバノミラーの駆動には、ガルバノスキャナが使用されている。したがって、加工を高速化するためには、このガルバノスキャナによるガルバノミラーの駆動を高速化する必要がある。従来のガルバノスキャナは、ハウジングに固定されたステータと、回転可能に支持されたロータシャフトと、ロータシャフトに取り付けられたガルバノミラーとを有している。ステータが有するコイルに発生した磁力により、永久磁石を有するロータシャフトが回転されて、ガルバノミラーが回転駆動される。ガルバノミラーの回転は、モータなどの回転電機と異なり、基準位置に対して±数十度の範囲内で揺動するものである。連続して被加工物に穿孔を行うレーザ加工では、ガルバノミラーでレーザを走査するために、ロータシャフトの回転を加速と停止を繰り返し行うため、高速に動作させると駆動電流の周波数が高くなる。このため、永久磁石に渦電流が流れて渦損が発生し、永久磁石の温度が高くなる。永久磁石の温度が高くなると、熱減磁が発生して磁石特性が劣化し、ガルバノスキャナの動作に支障が生じる。ガルバノスキャナを高速動作させると、ガルバノミラーが固定されたロータシャフトに大きな負荷が加わる。そのため、動作速度を速くすると、ロータシャフトのねじれが増大し、ガルバノミラーに位置ずれが生じる、また、ガルバノミラー自体も高速で動作させると変形するためミラーの反射面が歪んで、レーザの走査のずれが大きくなり加工精度が劣化してしまう。このため、ガルバノミラーの材料に、低比重で剛性の高いベリリウム合金を使用し、さらに、ガルバノミラーの固定部に切れ込みを入れて、ねじ止めによる応力がミラー面に伝達されることを軽減している(例えば特許文献1参照)。用いてミラーをロッドと一体成形することにより、ミラーの支持部を軽量化して、高速な振幅を可能とするものが知られている(例えば特許文献2参照)。概要ガルバノミラー(10)は、鏡面を有するミラーサーフェイス部(10A)と、鏡面の裏面側に接合される背面補強部(12)とを有し、ミラーサーフェイス部(10A)を単結晶SiCウェハにより構成し、背面補強部(12)をC/SiC材により形成する。これにより、ミラーサーフェイス部の剛性を高めるとともに、ミラーサーフェイス部を薄くし、ミラーサーフェイス部の背面補強部を軽量化する。請求項1鏡面を有するミラーサーフェイス部と、前記鏡面の裏面側に接合される背面補強部とを有するガルバノミラーであって、前記ミラーサーフェイス部は、単結晶ウェハにより構成される、ガルバノミラー。請求項2前記背面補強部は、C/SiC材により構成される、請求項1に記載のガルバノミラー。請求項3前記単結晶ウェハが、単結晶SiCウェハである、請求項1に記載のガルバノミラー。請求項4前記単結晶ウェハが、単結晶サファイヤウェハである、請求項1に記載のガルバノミラー。請求項5前記ミラーサーフェイス部と前記背面補強部とは、炭化ケイ素により一体に接合される、請求項1から4のいずれか1項に記載のガルバノミラー。請求項6前記ミラーサーフェイス部と前記背面補強部とは、ロウ付けにより一体に接合される、請求項1から4のいずれか1項に記載のガルバノミラー。請求項7請求項1から6のいずれか1項に記載のガルバノミラーを用いた、ガルバノスキャナ。請求項8請求項1から6のいずれか1項に記載のガルバノミラーを用いた、レーザ加工機。前記背面補強部の形状に加工する工程と、前記背面補強部の、前記ミラーサーフェイス部と接合する面をメタライズする工程と、前記ミラーサーフェイス部と、前記背面補強部とを接合する工程と、を有するガルバノミラーの製造方法。0001本発明は、レーザビームを走査させるガルバノスキャナに用いられる、ガルバノミラー、ガルバノミラーを用いたガルバノスキャナ、ガルバノミラーを用いたレーザ加工機及びガルバノミラーの製造方法に関するものである。背景技術0002近年、電子機器に搭載される基板の高集積化が進み、加工機の高精度化、高速化が要求されている。基板を加工するレーザ加工機では、レーザビームをガルバノミラーで走査させている。このガルバノミラーの駆動には、ガルバノスキャナが使用されている。したがって、加工を高速化するためには、このガルバノスキャナによるガルバノミラーの駆動を高速化する必要がある。0003従来のガルバノスキャナは、ハウジングに固定されたステータと、回転可能に支持されたロータシャフトと、ロータシャフトに取り付けられたガルバノミラーとを有している。ステータが有するコイルに発生した磁力により、永久磁石を有するロータシャフトが回転されて、ガルバノミラーが回転駆動される。ガルバノミラーの回転は、モータなどの回転電機と異なり、基準位置に対して±数十度の範囲内で揺動するものである。0004連続して被加工物に穿孔を行うレーザ加工では、ガルバノミラーでレーザを走査するために、ロータシャフトの回転を加速と停止を繰り返し行うため、高速に動作させると駆動電流の周波数が高くなる。このため、永久磁石に渦電流が流れて渦損が発生し、永久磁石の温度が高くなる。永久磁石の温度が高くなると、熱減磁が発生して磁石特性が劣化し、ガルバノスキャナの動作に支障が生じる。0005ガルバノスキャナを高速動作させると、ガルバノミラーが固定されたロータシャフトに大きな負荷が加わる。そのため、動作速度を速くすると、ロータシャフトのねじれが増大し、ガルバノミラーに位置ずれが生じる、また、ガルバノミラー自体も高速で動作させると変形するためミラーの反射面が歪んで、レーザの走査のずれが大きくなり加工精度が劣化してしまう。0006このため、ガルバノミラーの材料に、低比重で剛性の高いベリリウム合金を使用し、さらに、ガルバノミラーの固定部に切れ込みを入れて、ねじ止めによる応力がミラー面に伝達されることを軽減している(例えば特許文献1参照)。用いてミラーをロッドと一体成形することにより、ミラーの支持部を軽量化して、高速な振幅を可能とするものが知られている(例えば特許文献2参照)。発明が解決しようとする課題0008しかしながら、特許文献1では、ガルバノミラーの固定部近傍の張りに、切り込みを入れているため、固定部の剛性が低下して、高速駆動時に加工位置ずれが発生するおそれがある。特許文献2は、共振を利用しているため、速度を変化させる装置には適用できない。0009本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、高速に移動させても、高精度で歪みにくいガルバノミラーを得るものである。課題を解決するための手段0010本発明に係るガルバノミラーは、鏡面を有するミラーサーフェイス部と、鏡面の裏面側に接合される背面補強部とを有し、ミラーサーフェイス部を、単結晶SiCウェハにより構成する。発明の効果0011本発明は、ミラーサーフェイス部を薄くし、さらに軽量化することにより、ガルバノミラーの共振周波数を高めている。これにより、高速に揺動させても高精度で歪みにくいガルバノミラーを得ることができる。図面の簡単な説明0012本発明の実施の形態1のガルバノミラーを用いたレーザ加工機の模式図である。実施の形態1によるガルバノミラーを背面から見た斜視図である。実施の形態1におけるガルバノミラーの背面図である。実施の形態1におけるガルバノミラーの側面図である。実施の形態1のガルバノミラーを用いたガルバノスキャナを示す模式図である。実施の形態1のガルバノミラーの製造プロセスを示す図である。実施の形態1のガルバノミラーと従来例及び比較例のガルバノミラーの特性を比較した図である。図7の各ガルバノミラーの共振周波数を比較した図である。図7実施例0013以下、本発明のガルバノミラー及びガルバノミラーの製造方法の好適な実施の形態につき、図面を用いて説明する。0014実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1におけるガルバノミラー10を用いたレーザ加工機1の模式図である。図1に示すように、レーザ加工機1は、レーザ発振器300と、ガルバノミラー10を有する2台のガルバノスキャナ100A及び100Bと、fθレンズ400を有している。図10015レーザ加工機1は、レーザ発振器300から、ガルバノスキャナ100Aのガルバノミラー10に向けて、レーザビーム300Aを照射する。ガルバノスキャナ100Aは、ガルバノミラー10を揺動させて、ガルバノミラー10により反射させたレーザビーム300Aを、ガルバノスキャナ100Bのガルバノミラー10に向けて照射する。0016ガルバノスキャナ100Bのガルバノミラー10は、ガルバノミラー10を往復回転駆動させて、ガルバノミラー10により反射させたレーザビーム300Aを、fθレンズ400に向けて照射する。fθレンズ400に入光したレーザビーム300Aは、被加工物200上にスポットSを形成する。レーザビーム300AのスポットSは、各ガルバノミラー10の往復回転移動に伴って、被加工物200の上を2次元方向に移動し、被加工物200に穿孔、切断などの加工を施す。0017次に、ガルバノミラー10について説明する。図2は、実施の形態1によるガルバノミラー10の背面側を示す斜視図である。図3は、ガルバノミラー10の背面図であり、図4は、ガルバノミラー10の側面図である。図2図3図40018図2〜図4に示すように、実施の形態1によるガルバノミラー10は、ミラーサーフェイス部10Aと、背面補強部12とを有している。ミラーサーフェイス部10Aは、レーザビーム300Aを反射する鏡面Rを有している。背面補強部12は、主骨格12Aと、主骨格12Aから延出する複数の副骨格12Bと、主骨格12Aの基部側に形成されたロータ接合部12Cとを有している。背面補強部12は、主骨格12A及び複数の副骨格12Bにより、ミラーサーフェイス部10Aを鏡面Rの裏面側から補強して、鏡面Rの振動、歪み、捻じれを抑制している。図2図3図40019図2及び図3に示すように、複数の副骨格12Bは、主骨格12Aから、斜めに延出しており、主骨格12Aから離れるにしたがって、主骨格12Aの先端側に向かうように形成されている。複数の副骨格12Bは、幅及び高さが、主骨格12Aから離れるにしたがって、小さくなるように形成されている。このような形状にすることにより、背面補強部12を軽量化している。図2図30020なお、複数の副骨格12Bは、幅及び高さのいずれか一方が、主骨格12Aから離れるにしたがって、小さくなるように形成してもよい。複数の副骨格12Bは、主骨格12Aから垂直な方向に延出させてもよい。複数の副骨格12Bは、主骨格12Aから離れるにしたがって、主骨格12Aの基部側に向かうように形成すると、補強効果が弱くなるため好ましくない。副骨格12Bは、ミラーサーフェイス部10Aの周辺端部まで延出させなくともよい。12は、炭素繊維のミルド繊維と粉末樹脂と黒鉛粉末とを混合して得られた材料を、平面に研削加工して形成される。このようにして得られたミラーサーフェイス部10Aと背面補強部12とを一体に接合することにより、ガルバノミラー10が得られる。ガルバノミラー10の製造方法の詳細については、後述する。0022このように、実施の形態1によるガルバノミラー10は、ミラーサーフェイス部10Aと、ミラーサーフェイス部10Aを背面から補強する背面補強部12とを有している。背面補強部12に、主骨格12Aと、主骨格12Aから延出する複数の副骨格12Bと有している。これにより、ガルバノミラー10が往復回転移動された場合に、ミラーサーフェイス部10Aの鏡面Rの振動、歪み、捻じれを抑制することができる。0023次に、ガルバノスキャナ100について説明する。図5は、ガルバノスキャナ100の断面図である。図5に示すように、ガルバノスキャナ100は、ハウジング20と、ロータシャフト21と、ガルバノミラー10とを有している。ロータシャフト21は、ハウジング20に一対のベアリング23によって回転可能に支持されている。ガルバノミラー10は、ロータシャフト21の一端側に接続されており、ロータシャフト21の他端側には、エンコーダ板24が取付けられている。ロータシャフト21は、永久磁石22を内蔵している。ハウジング20の内壁には、ロータシャフト21の周囲を覆うように、コイル25が取付けられている。図50024ロータシャフト21は、例えば、C/SiC(Carbon/Siliconcarbide)複合材料によって形成される。永久磁石22は、例えばネオジム焼結磁石により形成され、接着剤によってロータシャフト21に固定されている。エンコーダ板24は、図示しないセンサヘッドと協動して、ガルバノミラー10の角度変位をフィードバック制御するためのロータリエンコーダを構成している。ロータリエンコーダに代えて、レゾルバを用いてもよい。0025次に、ガルバノミラー10の製造方法の詳細について、図6を用いて説明する。図6は、この発明の実施の形態1に係るガルバノミラー10の製造プロセスのフローを示している。図60026図6に示すように、ガルバノミラー10の製造プロセスは、ミラーサーフェイス部10Aを形成するプロセスAと、背面補強部12を形成するプロセスBと、ミラーサーフェイス部10Aと背面補強部12とを一体化するプロセスCとからなる。以下、プロセスAからプロセスCまでを順番に説明する。図60027プロセスAでは、まず、単結晶SiCのインゴットをスライスしたウェハを用意する(A1)。厚さ350μmのCree社製4H−Ntypeを使用する。Square))以下、平面度をλ/2(λ=633nm)に仕上げる(A2)。0029次に、ワイヤー放電加工機を用いて、ウェハをミラーサーフェイス部10Aの形状にトリミング加工する(A3)。トリミング加工は、レーザ加工法やダイヤモンドツールによる研削加工によって行ってもよいが、ミラーサーフェイス部10Aにチッピングやクラックなどのダメージが発生しないように注意する必要がある。0030次に、ウェハの鏡面Rとなる面の裏面側を、蒸着又はスパッタによりメタライズする(A4)。メタライズで使用する材質は、拡散接合が可能な母材あるいは固溶体を形成する材質が好ましい。ここでは、金属シリコンを使用したスパッタにより、厚さ1μmの成膜を行う。メタライズで使用する材質は、Cu、Au、Ni、Pt、Ag、Ti、Alでもよい。以上によりミラーサーフェイス部10Aが形成され、プロセスAは終了する。0031プロセスBでは、まず、PAN系炭素繊維のミルド繊維と、ピッチ系炭素繊維のミルド繊維と、粉末フェノール樹脂及び黒鉛粉末との4種類の原料を、定められた比率で配合し、均質に混合させる(B1)。Plastics)のブロックを形成する(B2)。CFRPブロックの成形温度は、120°Cから170°Cの範囲が好ましい。成形後のCFRPブロックのかさ比重が0.85〜0.95となるように、成形圧力を設定するとよい。matrix−composite)のブロックを得る(B3)。このB3の炭素化工程では、少なくとも600°C以上で熱処理をする必要があり、好ましくは800°C以上がよい。0034次に、C/Cのブロックに形状加工を行い、ミラーサーフェイス部10Aを補強する背面補強部12を得る(B4)。この形状加工において、背面補強部12の最終形状にあわせた形状に加工する。C/Cのブロックは、ミルド繊維で強化された、ポーラス形状を有する複合材料である。C/Cのブロックは加工性が良く、十分な強度を有しているため、SUS及びアルミ材と比較して、加工が簡単であり、十分な精度を得ることができる。通常のセラミックス材は硬くて脆いため、加工性が悪く、微細で複雑な構造の加工には不向きである。0035次に、加工した背面補強部12に、1600°C程度の温度で溶融させた金属シリコンを含浸させ、炭素と金属シリコンを反応させてC/SiC化させた背面補強部12を得る(B5)。0036次に、背面補強部12の、ミラーサーフェイス部10Aとの接合面を平面に加工して、仕上げを行う(B6)。C/Cのブロックの状態で最終形状に加工して、接合面の平面加工だけをC/SiC化した後に行っているのは、C/SiC化した後のほうが、C/Cの状態のときより、硬くてもろいため、加工性が悪くなるためである。そのため、寸法精度が必要な部分以外は、C/SiC化する前の加工性の良いC/Cの状態のときに加工を行う。0037次に、背面補強部12の、ミラーサーフェイス部10Aとの接合面をメタライズする(B7)。メタライズに使用する材質は、ミラーサーフェイス部10Aのメタライズプロセス(A4)と同様に、拡散接合が可能な母材あるいは固溶体を形成する材質が好ましい。ミラーサーフェイス部10Aのメタライズに金属シリコンを用いたので、ここでは、ミラーサーフェイス部10Aとは異なるAuを選定して、背面補強部12の接合面に、スパッタにより0.1μmの成膜を行う。異なる材質を選定してメタライズを行うのは、ミラーサーフェイス部10Aと背面補強部12とを、共晶化現象を利用して、より低温で一体化させるためである。0038以上により背面補強部12が形成され、プロセスBは終了する。この後、プロセスAで得られた単結晶SiCからなるミラーサーフェイス部10Aと、プロセスBで得られたC/SiC製の背面補強部12とを、プロセスCで一体化させる。0039プロセスCでは、まず、単結晶SiCからなるミラーサーフェイス部10Aの接合面と、背面補強部12の接合面とを合わせた状態で、不活性雰囲気の電気炉内で加圧及び加熱する拡散接合により一体化させる(C1)。加熱する温度は、次のコーティング工程で、ミラーサーフェイス部10Aと背面補強部12のそれぞれに用いられるコーティング材の組合せにより異なる。背面補強部12のコーティング材がAuで、ミラーサーフェイス部10Aのコーティング材がSiの場合、AuとSiの体積比率が4:1の時に、共晶化する温度が363°C程度まで低下することが知られている。よって、この場合には、450°C程度まで加熱して一体化させる。0040次に、ミラーサーフェイス部10Aの鏡面Rに、Au又はAgなどによる増反射コーティングを行う(C2)。以上により、ガルバノミラー10が形成され、プロセスCは終了する。0041なお、実施の形態1のガルバノミラー10の製造方法では、拡散接合により、ミラーサーフェイス部10Aと背面補強部12とを一体化させていたが、これに限るものではない。一体化のプロセスには、ロウ付けを用いてもよい。ロウ付けによって接合する場合には、ロウ剤を整合部付近に配置した状態で、ロウ剤が溶融する温度まで加熱処理を行う。0042このように、実施の形態1によるガルバノミラー10の製造方法によれば、ガルバノミラー10の背面補強部12にC/SiC材を用いることにより、ニアネット形状で、C/SiC化が可能となる。これにより、加工時間の短縮が可能となり、金属並みの薄肉加工が可能となる。よって、金属部品からの置き換えも可能となる。0043さらに、単結晶SiCウェハで形成したミラーサーフェイス部10Aは、単独で鏡面加工することができるため、背面補強部12と一体化した後に鏡面仕上げをする必要がない。よって、従来のガルバノミラーのミラーサーフェイス部より薄く、軽いミラーサーフェイス部10Aを形成することが可能となり、ガルバノミラー10が軽量化されて、高速駆動が可能となる。0044また、ミラーサーフェイス部10Aの材料である単結晶SiCと、背面補強部12の材料であるC/SiCは、主組成がいずれもSiCであるため、熱膨張率などの物性が類似している。これにより、ミラーサーフェイス部10Aと背面補強部12とを熱処理プロセスによって接合する場合に、接合前後でほとんど変形を生じることがない。よって、鏡面精度の高いガルバノミラー10を得ることができる。0045ガルバノミラー10は、駆動速度を速くしていくと、ある特定の速度において、振動の振幅が大きくなる共振現象が発生する。この共振現象が発生するときの振動の周波数を共振周波数又は固有周波数という。共振周波数は、ガルバノミラー10の構造と比剛性(ヤング率/比重)の関係によって定まるものである。共振現象が生じると、ガルバノミラー10は駆動速度に追随できなくなる。このため、ガルバノミラー10は、共振周波数以下の速度で駆動させる必要がある。したがって、ガルバノミラー10の共振周波数が高いほど、ガルバノミラー10は高速で駆動させることができることになる。0046図7は、実施の形態1によるガルバノミラー10(No.1)及び4つの比較例のガルバノミラーNo.2〜No.5の特性を、従来品のガルバノミラーC1,C2と比較した結果である。実施の形態1によるガルバノミラー10(No.1)は、SiCでミラーサーフェイス部10Aが構成され、C/SiCで背面補強部12が構成されている。4つの比較例のガルバノミラーNo.2〜No.5は、それぞれ、Al,Si3N4,B4C,Al2O3の単一材料で、ミラーサーフェイス部と背面補強部が構成されている。従来品のガルバノミラーC1には、BeCuの単一材料により、ミラーサーフェイス部と背面補強部が構成されているものを用い、従来品のガルバノミラーC2には、焼結工程により製造されるSiC材の単一材料により、ミラーサーフェイス部と背面補強部が構成されているものを用いた。図70047図7において、「◎」は「従来品より良い」、「○」は「従来品よりやや良い」、「△」は「従来品と同等」、「▲」は「従来品よりやや悪い」、「×」は「従来品より悪い」という結果を示している。図7における「鏡面精度」は、各ガルバノミラーを、永久磁石22を組み込んだロータシャフト21に組み付けた後に確認した。図7における「共振周波数」は、ロータシャフト21を高速で駆動して測定した。図70048図8は、図7の各ガルバノミラーの共振周波数の測定値を比較したものである。図8において、横軸のC1及びC2は従来品のガルバノミラー、1は実施の形態1のガルバノミラー10(No.1)、2〜5は比較例のガルバノミラーNo.2〜No.5を示している。図8の縦軸は、各ガルバノミラーの共振周波数Fを、従来品のガルバノミラーC1の共振周波数を1とした相対比較値で示している。図7図80049図7及び図8に示すように、実施の形態1のガルバノミラー10(No.1)は、共振周波数Fについて、従来品のガルバノミラーC1,C2及び比較例のガルバノミラーNo.2〜No.5より向上することが確認できた。よって、実施の形態1のガルバノミラー10(No.1)は、高速駆動が可能であることが確認できた。図7に示すように、実施の形態1のガルバノミラー10(No.1)は、鏡面精度及び加工性についても、従来品のガルバノミラーC1,C2及び比較例のガルバノミラーNo.2〜No.5より向上することが確認できた。加工コストにおいては、従来品のガルバノミラーC1,C2及び比較例のガルバノミラーNo.2〜No.5と同等以上であることが確認できた。図7図80050図8に示すように、SiCのみを用いて形成された従来例のガルバノミラー10(C2)よりも、SiCを用いて形成されたミラーサーフェイス部10Aと、C/SiCを用いて形成された背面補強部12とを接合した実施の形態1のガルバノミラー10の方が、共振周波数Fが高い。これは、SiCを用いて形成されたミラーサーフェイス部10Aに、C/SiCを用いて形成した背面補強部12を接合することにより、SiCのみで形成した場合よりも、比剛性が高くなったものである。図80051なお、実施の形態1では、ミラーサーフェイス部10AにSiCを用いて形成されたウェハを用いていたが、これに限るものではない。SiCに代えて、サファイヤ(Al2O3)、二酸化チタン(TiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化アルミ(AlN)、炭窒化チタン(TiCN)、炭化ホウ素(B4C)、ベリリウム(Be)、シリコン(Si)からなるウェハを用いてもよい。データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。”未来を創るためのプラットフォーム”astamuseは、世界中で未来を創るための「仕組み」を提供するため日々改善を進めています。専門用語を解析し、意味や用法を知ることが出来るキーワード情報そしてこれらの情報を最大限活用することで、挑戦したい社会課題を独自の切り口で編集。社会に大きな変化を起こし、未来を創るために活動し続けるのは容易なことではありません。行う為に必要なサービスの提供を行っていきます。それが私たちの考える“未来を創ること”です。