出願した特許の牽制数、引用された数などを知る事ができます。気になる技術や特許をブックマークしておけば、いつでも後から読むことができます。後で印刷するために、公報をPDFでダウンロードできます。会員登録してastamuseを使えば、もっと簡単に便利にお使いいただけます。会員登録(無料)「astamuse」は世界中の挑戦したい社会課題に挑戦し、未来を創る人のプラットフォームです。関連する技術を397,664件開発しています。含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。接触させ、前記シリコン上に、前記元素からなる金属を析出させる析出工程と、前記シリコン上に析出した前記元素からなる金属を回収する回収工程を含む、金属の回収方法。炭素を活物質として利用する負極を比較的簡単で安価な製造方法で提供すること。容易に均等な厚さで塗布できる筒形カットアウト用のシリコン塗布具を提供する。含む、前記ゲート誘電体層と、前記ゲート誘電体層の上に配置されるスパッタされた金属ゲートであって、2原子パーセント〜10原子パーセントのシリコンを含む、前記スパッタされた金属ゲートと、前記スパッタされた金属ゲートに近接するソース及びドレインコンタクトホールに配置されるコンタクト金属と、を含み、前記金属ゲートがチタンタングステンを含む、半導体デバイス。(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、又はマグネシウム(Mg)の少なくとも1つを含んでなる、請求項1に記載のLiイオン電池負極。溶解又は乳化状態を損なわない程度の添加量に限られる。量はヘリウムの空洞を含む領域において減じられる。空洞の内部表面は事実上、素子における、電子および正孔の両方のキャリアのための再結合中心である。貫通電極構造を有する半導体基板を研磨する時に、シリコンの研磨速度を低下させない一方で、銅又は銅合金の研磨速度については、ある一定以上の研磨速度を維持しつつ、シリコンの研磨速度よりも低い研磨速度に抑えるとともに、ウェーハの研磨により生じうる、銅によるシリコンの汚染を防止することができる研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いる研磨方法を提供する。系離型剤を用いている。シリコン系離型剤の中でも反応完了型や一液付加重合型のシリコンでは金型表面に被膜を形成しにくいため、離型性の面ではスリーブの脱型には不適当であった。四塩化シリコン、四臭化シリコン、四ヨウ素化シリコン、三塩化ヒ素、三臭化ヒ素、三ヨウ化ヒ素、四塩化セレン、四臭化セレン、四塩化テルル、四臭化テルルおよび四ヨウ化テルルが挙げられる。切られるので、シリコンの溝の深さを知ることは、すべての中間層の全体の溝深さと厚さとの両方に関する認識を必要としている。水とからなる多機能塗料を提供して上記課題を解決する。有機系光電変換層であってもよい。単結晶のネックからショルダにおける結晶前半の単結晶化率を向上できるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置を提供する。テトラハロゲン化チタン、テトラハロゲン化ゲルマニウム、テトラハロゲン化ジルコニムの一部をトリハロゲン化シリコン、トリハロゲン化チタン、トリハロゲン化ゲルマニウム、トリハロゲン化ジルコニムまたはジハロゲン化シリコン、ジハロゲン化チタン、ジハロゲン化ゲルマニウム、ジハロゲン化ジルコニウムを用いてもよい。結晶粒界の数を最小化するための、垂直方向に対する特性の向上はもとより水平方向及び垂直方向に対する異方性をも改善するシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置を提供する。データ等)を元に構成されています。出典元のデータには一部間違いやノイズがあり、情報の正確さについては保証致しかねます。一時的に、各データの収録範囲や更新周期によって、一部の情報が正しく表示されないことがございます。当サイトの情報を元にした諸問題、不利益等について当方は何ら責任を負いかねることを予めご承知おきのほど宜しくお願い申し上げます。”未来を創るためのプラットフォーム”astamuseは、世界中で未来を創るための「仕組み」を提供するため日々改善を進めています。専門用語を解析し、意味や用法を知ることが出来るキーワード情報そしてこれらの情報を最大限活用することで、挑戦したい社会課題を独自の切り口で編集。社会に大きな変化を起こし、未来を創るために活動し続けるのは容易なことではありません。行う為に必要なサービスの提供を行っていきます。それが私たちの考える“未来を創ること”です。