Japanese)SiO2膜を形成する方法は枚挙にいとまがないが、主に高温の電気炉内にケイ素基板を設置し、酸素ガスや水蒸気等の雰囲気で熱酸化させる方法と、加熱した基板上に反応ガスの分解によって膜形成する方法とに大別される。任意の位置にSiO2層の再形成が可能という特徴も有する。そのため、本発明の用途は電気電子のみならずあらゆる分野で有用である。SiO2化した改質層を形成して硬化させる請求項5記載のSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法。Japanese)ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。