Japanese)超伝導体は電気抵抗をゼロにすることや磁気浮上できることから、超伝導体を利用することで電力の無駄な損失の解消、機械的摩擦の除去が実現でき、超伝導体の応用範囲は全ての工業分野で広がり続けている。超伝導体の応用を更に開拓するために、超伝導体の転移温度(常伝導状態から超伝導状態に転移する温度)をより上昇させる努力が行われている。ここで、超伝導体の温度特性、すなわち、転移温度と抵抗率の温度依存性を測定する場合、測定しようとする超伝導体毎に電極を付けて測定を行うことが多く、測定コストが上昇するという問題を有している。転移温度が高い表面超伝導層が形成されることが理論的に予言されている。超伝導体の薄膜は、シャープな周波数特性を有し、かつ低損失なマイクロ波帯のフィルターとしての利用が期待されている。フィルター特性を決定付ける表面抵抗を精度よく測定する方法は未だ確立されていない(例えば、非特許文献1参照)。Japanese)本発明は、超伝導体(超電導体ともいう)に関する。請求項1~5のいずれか1項に記載の超伝導体において、前記薄膜の厚みは1~10μmであることを特徴とする超伝導体。