Japanese)集積回路、薄膜トランジスタの如き半導体デバイスには、パターン状に形成されたシリコン膜、例えばアモルファスシリコン膜、多結晶シリコン膜、単結晶シリコン膜が使用されている。Deposition)法の如き気相プロセスによって全面にシリコン膜を形成した後、フォトリソグラフィーによって不要部分を除去するプロセスで行われることが一般的である。この方法では気相プロセスを用いるため、大掛かりな装置が必要であること、原料の使用効率が悪いこと、原料が気体であるため扱いにくいこと、大量の廃棄物が発生すること等の問題がある。保護膜としてはシリコン酸化膜が多用されている。シリコン酸化膜の形成方法としては、気相プロセス、ゾルゲル法等が知られている。上記気相プロセスとしては、例えばシリコンを空気中で熱酸化する方法、シランガスやジシランガスを原料として酸素、酸化窒素の如き酸化性ガス中で行うプラズマCVD法、石英から直接スパッタリング法で形成する方法等を;上記ゾルゲル法としては、例えばテトラエトキシシランの如きアルコキシシランを部分加水分解したゾル状態で基板に塗布した後に加熱分解する方法等を、それぞれ挙げることができる。これらのうち、気相プロセスはシリコン膜形成の場合と同様の問題点がある。ゾルゲル法は、反応が進むにつれて水が生成するため、緻密なシリコン酸化膜が得られにくく、膜中の内部応力の発生に起因する亀裂が発生しやすい欠点があるほか、高温で加熱する工程を経るため、耐熱性の低い基板、例えばプラスチック基板には適用できなかった。そこで、液相プロセスを用いるシリコン膜およびシリコン酸化膜の形成方法が種々検討されている。上記液体状のシラン化合物に紫外線を照射することによって光重合させて得られる高次シラン化合物と、デカリン、テトラリン、メチルナフタレン、トルエン、デカン、オクタン、キシレン、ベンゼン等の溶媒とを含有する高次シラン組成物を原料として用い、この高次シラン組成物を基板上に塗布し、溶媒を除去した後、熱処理することによってシリコン膜またはシリコン酸化膜を形成する方法が提案されている。この液相プロセスによると、重厚長大な装置は不要となるため、工程面およびコスト面で大きな利点がある。アスペクト比の大きいパターンを形成するためには未だフォトリソグラフィーの如き付加的な工程を要し、工程の煩雑性は完全には解消されていない。環境面の負荷についての懸念も払拭されてはいない。ところで近年、ナノインプリント技術が開発され、注目されている。非特許文献1および非特許文献2には、金型に形成した数十~数百nmの凹凸パターンを、基板上に塗布した樹脂材料に押し付けることにより、樹脂材料にパターンを転写する技術が記載されている。ナノインプリント工程は、低コストにて短い工程時間で行うことができ、形成しうるパターン形状の自由度が大きい等の利点がある。ナノインプリント工程自体の工程コストは低廉であるが、パターンの元型となる金型が高価であるとの問題がある。有機樹脂材料に限られているため、上記半導体デバイスのシリコン膜またはシリコン酸化膜には、もとより適用しうるべくもない。最近、上記ゾルゲル法とナノインプリント技術を組み合わせた技術が報告された。特許文献3には、アルコキシシランの如き加水分解性シラン化合物の部分加水分解をゾル状態で基板に塗布し、凹凸パターンを有する金型を押し付けた後に加熱焼成してさらに加水分解することにより、パターン状シリコン酸化膜を形成する技術が記載されている。この技術は、結局はゾルゲル法であるため、緻密なシリコン酸化膜が得られにくいこと、膜中に亀裂が発生しやすいこと、耐熱性の低いプラスチック基板等には適用できないことといった上記したゾルゲル法の欠点を継承しているほか、原理上、パターン状シリコン膜を形成することができるものではない。Japanese)本発明は、パターンの形成方法に関する。(3)(上記式中、Xは、それぞれ、水素原子またはハロゲン原子であり、iは3~8の整数であり、jは4~14の整数である。(3)(上記式中、Xは、それぞれ、水素原子またはハロゲン原子であり、iは3~8の整数であり、jは4~14の整数である。前記第二の工程の少なくとも一部が酸素含有雰囲気下で行われ、形成されるパターンがシリコン酸化物からなるものである、請求項1~7のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。