Japanese)半導体と磁性体との融合化により,磁性金属と磁性絶縁体との間に横たわる未踏範囲を切り開き,スピンの絡む新現象や効果を発見・応用することを目的とする。(In,Mn)Asという物質は,InAsというIII-V族化合物半導体に多量のMnが添加された希薄磁性半導体である。この物質を超薄膜GaAs-Feグラニュー構造化して,非磁性のIII-V族化合物半導体GaAs上に積層しヘテロ構造を形成したあとで光照射を行うと,(In,Mn)As層の磁気秩序が常磁性から強磁性へ変化することが明らかとなった。次に,Mn以外の磁性原子を半導体中に大量に添加できれば,素材の磁性とキャリア濃度をより広範囲に制御できると期待されるので,本研究では多量のFe原子をGaAs母体中に多量に添加することを集中的に検討した。GaAs-Feグラニュー複合構造薄膜では,室温を含む広い温度領域で,光照射により磁化が可逆的に増減することも見出した。195,144-148(1998)。