8以下は非対応となっております。ProcessTMは、汎用1次元/2次元プロセス・シュミレータとしての機能と、レイアウト・ドリブン3次元プロセス・シミュレータとしての機能を併せ持つシミュレータで、以下のようなプロセス・シミュレーションに使用できます。階層的な酸化モデルを使用可能ストレス・シミュレーションストレス履歴を考慮したストレス・エンジニアリングはじめにTCADツールの最も重要な用途の一つは、新しいデバイス・テクノロジを詳しく探求できることです。その時、デバイス技術者は、数多くの解析シミュレーションを行い、解析するテクノロジの有益性や欠点について、より良い理解を得ることができます。そのような用途においては、複数のシミュレーションを順次実行し、各シミュレーションの結果ごとにその解析評価を行う必要があります。シミュレーション・サイクルの多くは、便宜上、割り当てられた期間内に完了することが求められ、シミュレーションの実行時間をできるだけ短くすることに高い優先順位が置かれます。現在、フルフローの標準CMOSシミュレーションでは、1次元と2次元のシミュレーションを組み合わせて実行する方式が最も一般的です。TCADシミュレーションを通じて得られることが期待される情報の大半は、単純化によって、デバイスを奥行き方向において一様に扱うこと(2次元シミュレーション)ができるようにすることで抽出可能となります。FinFETのように本質的に3次元であるデバイスの場合、あるいは、イオン注入時のシャドーイング効果やパワー・デバイスにおける降伏電圧のトレンチ形状を調査する場合には、3次元シミュレーションを行う必要があります。プロセス・シミュレーションの最終的な目的は、活性ドーパント分布、ストレス分布、デバイス形状について正確な予測を行うことにあります。デバイス寸法の縮小傾向を背景に、ドーパント・プロファイルやストレス・プロファイルの精度向上を求める声は、ますます大きくなっています。そのため、さらなる高精度を求める要望に対応できるよう、各デバイス世代に対して新たなプロセス・モデルを追加していきます。Processを開発しました。Processは、スタンフォード大学が開発した2次元ツールをベースに業界を牽引してきた技術をさらに拡張して組み込んだ、新世代のプロセス・シミュレータです。ファウンドリ/ファブレスのビジネス・モデルの違いに関係なくご活用いただけます。3次元構造のプロトタイピングを高速に実行します。全機能を備えたレベル・セット法に基づくプロセス・シミュレータであり、複雑な物理ベースのエッチング、デポジション、リデポジション、イオン・ビーム・ミリング実験、ストレス依存の酸化分析など、プロセス・ベースの詳細解析により適しています。