ダイオードの製造方法。製造方法」(2ケ所)の齟齬の整合をとるものであって、請求書の要旨を変更しない。あるのを、『半導体発光ダイオード』と訂正する。(2)訂正事項b特許請求の範囲の請求項1において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく、150°以下のテーパ角を持つ側面を有し、」とあるのを、『前記GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく、140°以下のテーパ角を持つ側面を有し、』と訂正する。前記凸部が、基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり、かつ、前記GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく、150°以下のテーパ角を持つ側面を有し、前記多角形が大略正三角形又は正六角形であり、前記GaN系半導体層のA軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記A軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であることにより、前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したGaN系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋めることを特徴とする。前記凸部が、基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であり、かつ、前記GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく、140°以下のテーパ角を持つ側面を有し、前記多角形が大略正三角形又は正六角形であり、前記GaN系半導体層のA軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記A軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であることにより、前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したGaN系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋めることを特徴とする。製造方法」とあるのを、『窒化物半導体ダイオードの製造方法』と訂正する。「半導体発光ダイオード」に限定するものであるから、平成23年法律第63号改正附則第2条第18項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法(以下「平成23年改正前特許法」という。)特許法第134条の2第1項第1号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。一例が「半導体発光ダイオード」であることが記載されているものと認められる。したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成23年改正前特許法第134条の2第5項において準用する同法第126条第3項及び第4項の規定に適合するものである。(2)訂正事項bについて本訂正事項は、請求項1に係る発明において「前記GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく、150°以下のテーパ角を持つ側面を有し、」とあるのを、「前記GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく、140°以下のテーパ角を持つ側面を有し、」に数値範囲を限定するものであるから、平成23年改正前特許法第134条の2第1項第1号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。本件特許明細書には、「半導体層によって凹凸を埋めるためには、凹凸のテーパ角θが少なくとも90°以上であることが必要である。散乱又は回折による出力向上の観点からは、凹凸のテーパ角θが90°より大きいことが好ましく、望ましくは105°以上、より望ましくは115°以上とする。凹凸のテーパ角θがあまり大き過ぎると、却って散乱又は回折の効率が低下し、また、半導体層にピットが発生し易くなる。そこで、テーパ角θは、好ましくは160°以下、より好ましくは150°以下、さらに好ましくは140°以下とする。」(段落【0050】)、及び、「また、凸部側面の傾斜角は120°であった。」(段落【0081】)との記載があるから、本件特許明細書には、「前記GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく、140°以下のテーパ角を持つ側面を有し」ていることが記載されているものと認められる。したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成23年改正前特許法第134条の2第5項において準用する同法第126条第3項及び第4項の規定に適合するものである。(3)訂正事項c及びdについて本訂正事項は、発明の詳細な説明の記載について、訂正事項a及びbとの整合を図り記載を明りょうにするために行うものと認められるから、平成23年改正前特許法第134条の2第1項第3号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。上記(1)?(2)における訂正事項a及びbについての検討と同様の理由により、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、平成23年改正前特許法第134条の2第5項において準用する同法第126条第3項及び第4項の規定に適合するものである。本件訂正についてのむすび以上のとおりであるから、本件訂正を認める。上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許第4356723号の請求項1ないし4に係る発明(以下、請求項1ないし4に係る発明を「本件訂正発明1」ないし「本件訂正発明4」という。)は、次の各請求項に記載されたとおりのものと認められる。上記GaN系半導体中における発光波長をλ、上記GaN系半導体の屈折率をnとしたとき、上記凸部の大きさが、少なくともλ/4n以上、20μm以下である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化物半導体ダイオードの製造方法。本件訂正発明1を分説すると、次のとおりである。ことを特徴とする窒化物半導体ダイオードの製造方法。本願は以下の出願ア及びイを優先権主張の基礎とし、出願ウを原出願として分割出願を行ったものである。前記凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したGaN系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋める」ものである。上記出願ア及びイの願書に最初に添付した明細書又は図面には、「凸部」が、「基板上面から見て多角形又は角が丸みを帯びた多角形であ」ること、かつ、「GaN系半導体層の積層方向に対して傾斜することで120°より大きく、140°以下のテーパ角を持つ側面を有」することは記載されておらず、また、「GaN系半導体層のA軸を構成辺とする正六角形を想定したときに前記多角形の構成辺が上記A軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交する形状であること」及び「凸部の上面と前記凸部の形成されていない平坦面とから成長したGaN系半導体が前記凸部側面付近で出会い、前記凸部を平坦に埋める」ものであることについても記載されていない。出願ア及びイの願書に最初に添付した明細書又は図面に接した当業者にとって、上記構成要件B、D-1及びD-2が自明な事項であると認めることもできない。よって、本件訂正発明1ないし4について、上記出願ア及びイを基礎出願とした特許法第41条の規定による優先権主張の効果は認められない。本件特許の遡及出願日前に頒布された刊行物である甲第1号証(特開2002-164296号公報)には、以下の記載がある(下線は当審で付した。