=(RL+R)×C.........1设定1式,达到dv/dt耐量以下时,C=0.632VA/((dv/dt)×(RL+R))...2选择C=0.1μF~0.2μF后,可将dv/dt控制在数V~数+Vμs以下。100V线路中使用250V~400V,200V线路中使用400V~600V。SSD内部的元件,因此需要插入R。一般在100V线路时插入R=10Ω~100Ω、在200V线路时插入R=20W~100W。线中使用1/2W,在200V线路中便用2W以上。C=0.1μF、R=20~100Ω。1×2×3×4=(100×√2)×1.1×1.1×1.1=188(V)的ZNR。SSD浪涌导通电流值的50%以下。因此需要充分注意SSD的容许电压。SSD浪涌导通电流值的50%以下。冲击电流,因此请注意。