【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタアレイ基板およびそれを用いた液晶表示装置に関するものである。通常、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)などが設けられた薄膜トランジスタアレイ基板(以下、TFTアレイ基板という)とカラーフィルターおよびブラックマトリクスをおよび対向電極が設けられた対向基板の2枚の基板の間に液晶などの表示材料が狭持され、この表示材料に選択的に電圧が印加されるように構成されている。【0003】このような、TFTアレイは、通常、逆スタガー型薄膜トランジスタからなり、ガラス基板上にゲート配線およびゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜および半導体層を形成した後、ソース電極線、ソース電極およびドレイン電極と画素電極を形成する。画素の開口率を向上させるため、上記、ゲート電極線を形成すると、同時に、ゲート電極材料で、浮遊電極を画素電極の外周部に形成する。このとき、浮遊電極は、画素外周部からの漏れ光を防ぐ役割を果たし、カラーフィルター(CF)側のブラックマスクと併用することで、画素電極周辺部からの不要な漏れ光を防止し、画質を向上させる。このように、TFTアレイ基板側に遮光膜を形成すると、TFTアレイ基板内の層間の重ね合わせ精度がCF基板とTFT基板との間の重ね合わせ精度に比べて優れていることから、遮光部分の面積を低減でき、画素の高開口率化が可能になる。4が直列に存在し、この容量が、クロストークやショットムラ等の表示不良の原因となっていた。【0005】図7の(a)は、従来のTFTアレイ基板の画素の平面図、図7の(b)は図7(a)の要部拡大図、図8は、TFT部の断面図、図9は、ソース電極線部分の断面図である。【0006】つぎに、従来例のTFTアレイ基板の形成方法について説明する。ゲート電極線3および浮遊電極11をCr等金属材料で形成する。5およびリンドープアモルファスシリコンからなるコンタクト層6を形成する。アモルファスシリコンをアイランド上にパターニングし、ソース電極線7およびドレイン電極8を形成する。チャネル部分の不良なリンドープアモルファスシリコン層を除去したのち、透明電極からなる画素電極9を形成したのち、保護膜10を形成して、TFTアレイを作製する。【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置においては、このように、高開口率化のために、浮遊電極の遮光膜を画素電極の外周部に配置して、ブラックマトリックスを形成するため、ソース電極線と浮遊電極および画素電極の間にカップリング容量が大きくなり、クロストークやショットムラ、輝度バラツキ等の表示不良の原因となる問題があった。【0008】本発明は、前記のような従来の問題を解決するためになされたもので、輝度ムラ、クロストーク等による表示品質の低下なしに、大画面で高精細な高開口率の液晶表示装置を得るためのTFTアレイを実現することを目的とするものである。膜トランジスタアレイである。【0010】また、この保護膜を低誘電率の有機膜で形成することで、より一層、画素電極と浮遊電極との間の重なり容量を低減させたことを特徴とするものである。【0011】さらに、この浮遊電極をソース電極線したままで延在させることにより、遮光性を一層高め、高開口率を実現し、ソース電極線を挟んで左右に存在する上記フローティング遮光膜の一部を繋げることにより電気的に接続し、ソース電極線と浮遊電極間容量のショット間差をなくしたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイである。【0012】本発明によるTFTアレイ基板を用いれば、浮遊電極のカップリング容量による、クロストークやショットムラ等の表示不良の発生なしに、高開口率の大面積で高精細な液晶表示装置が構成できる。【発明の実施の形態】つぎに、本発明の液晶表示装置について説明する。B-B線断面図である。図4〜5は、実施の形態2にかかわる液晶表示装置の画素部分の平面図および断面図を示している。図6は実施の形態3にかかわる液晶表示装置の画素部分の平面図を示している。Al等の多層構造で形成する。ゲート絶縁膜4およびノンドープアモルファスシリコン層5およびリンドープアモルファスシリコンからなるコンタクト層6を形成する。アモルファスシリコンをアイランド状にパターニングする。ソース電極線7とソース電極7′およびドレイン電極8をCr等の単層構造あるいは、Cr/Al、Cr/Al/Cr等の多層構造で形成し、チャネル部の不要なリンドープアモルファスシリコン層を除去する。SiNなどのSiNxの無機材料やアクリル系の有機材料で形成し、ドレイン電極8上にコンタクトホール12を形成する。TFTアレイが完成する。【0015】ここでは、チャネルエッチ型を用いた薄膜トランジスタについて述べたが、チャネル保護型の薄膜トランジスタを用いることも可能である。9,画素電極間容量を低減できる。【0017】また、図1の(a)に示されているとおり、保持容量Caddは、ゲート電極3と画素電極9とが交差する領域の容量で構成される。embodiment,図4〜5に示されるように、浮遊電極11をソース電極線7の下に延在させて、重ねて形成することで、遮光性をより一層向上させた構造を示す。実施の形態3に示す薄膜トランジスタアレイは、図6に示されるようにソース電極線7を挟んで左右に存在する、上記浮遊電極11の一部を電気的に接続することで、ソース電極線7と浮遊電極11間のカップリング容量のパターンの重ね合わせのショット間差を低減した構造を示す。【0020】このようにして形成されたTFTアレイは、画素電極9とブラックマトリックスとして機能するソース電極線7との間の絶縁膜が、ゲート絶縁膜4と保護膜10の2層となるため、画素電極9とソース電極線7間の容量が低減でき、ソース信号の変動による画素電位の変化を抑制でき、表示品質が改善できる。ratio,ブラックマトリックスの役割を果たす、浮遊電極とソース電極線との間のカップリング容量および浮遊電極と画素電極との間のカップリング容量によって生じる画素電位の変動を抑制できるので、クロストークやショットムラのない、高表示品質の液晶表示装置が実現できる。【図1】(a)は本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示装置の画素部分の平面図であり、(b)は(a)の要部拡大図である。A-A線断面図である。B-B線断面図である。【図4】本発明の他の実施の形態にかかわる液晶表示装置の画素部分の平面図である。【図5】図4の液晶表示装置の画素部分のC−C線断面図である。【図6】本発明の他の実施の形態にかかわる液晶表示装置の画素部分の平面図である。【図7】(a)は、従来の液晶表示装置の画素部分の平面図であり、(b)は(a)の要部拡大図である。【図8】図7の液晶表示装置の画素部分のD−D線断面図である。【図9】図7の液晶表示装置の画素部分のE−E線断面図である。【図10】図7の液晶表示装置の画素等価回路図である。上記、保護膜を有機絶縁膜の単層あるいは、有機材料からなる有機絶縁膜と無機材料からなる無機絶縁膜の多層構造としたことを特徴とする請求項1記載のTFTアレイ基板。layerことを特徴とするTFTアレイ基板。請求項1ないし3に記載するTFTアレイ基板を行反転駆動あるいは、ドット反転駆動を用いて駆動することを特徴とする、液晶表示装置。