実装工程とは異なると一般的に考えられている。別世界であり、そのため使われる装置や薬品なども異なるスペックのものが必要となる。回路の微細化・部品の小型化が進展し、またいっぽうではデバイスのモジュール化が進むにつれ、一部ではその境界はかつてほど明瞭ではなくなりつつある。焦点を当てて詳述する。成膜(図2)の特徴については本誌でも何度か述べているが、以下の通り再掲する。CVDと同様にドライプロセスであるが、上記の特徴により、アプリケーションによっては他の成膜方法では代替できない。今日のAR100を超えるDRAMセルキャパシタ表面への成膜や、MEMSなどの複雑構造内部壁面へのコンフォーマルな成膜はALD以外の技術では事実上不可能である。ALDプロセス装置は大きく、原料ライン・反応室・排気ラインに分けられる。成膜反応は以下のように進む。種使われる)をソースラインから反応チャンバへ移送2反応チャンバにて、プリカーサ1が基板表面に吸着。上記1〜6を繰り返すことで膜厚を増やしていくことができる。ALDプロセス図解ALDに使用されるプリカーサ分子は基板表面のみ、または対応するプリカーサとのみ反応するため、厳密に分子層一層ずつを積み上げていくことが可能となる。プリカーサを交互にチャンバ内に入れることで余分な反応をさせず、化学量論比に近い膜が成膜される。そのため絶縁性・バリア性などの膜性能が他の成膜方法と比較して高いのが特徴である。ALD膜の絶縁性ALD技術は1974年に発明されたが、他の成膜方法と比較するとスループットが見劣りするため、長らく生産用途には不向きとされてきた。絶縁膜にALDを採用してからである。従って、ALDの生産用アプリケーションとしては、絶縁膜は比較的歴史があるといえる。今日、絶縁膜としては浸漬・スプレーコーターやエアゾールなどのウェット処理が多い。[表1]に示す通り、ALDはそれらの膜を絶縁性(破壊電圧)においてはるかにしのぐ。一般的な絶縁膜とALDの比較また重要なのは、膜厚をナノメーターレベルまで薄くしても均一に成膜できるということである。ウェットではミクロンレベルでないと性能が発揮できない、もしくはそもそも膜厚のコントロールがほとんどできない。微細化されたパッケージ内の占有面積を極限まで切り詰める必要のある最先端のエレクトロニクスモジュールでは致命的になり得る。ALDは成膜に時間がかかり、そのためスループットが制限されることがデメリットとしてしばしば言及される。ここで述べているような極小モジュールの場合、要求される絶縁性はそれほど高くなく、数Vで十分というケースも多い。程度の膜厚で性能を満たす。ALDプロセスでは、成膜時間は単純に膜厚に比例するため、材料にもよるが10nmであれば数分で成膜を終えることも可能である。複雑形状物表面へもコンフォーマルかつ均一に成膜できることも強みである。このため、ある程度実装した後にモジュール全体を絶縁することも可能である。一般的な酸化物ALD膜材料はセラミックであるため耐熱性も高いが、はんだ付け工程においてはフラックスで除去されるため、実装前のデバイスへの成膜にも適用可能と考えられる。膜特性は同じ材質でも成膜条件(温度、プリカーサなど)によって変わる。参考までに、酸化剤と成膜温度の違いで電気特性がどのように変動するかを(図3)に示す。JAPAN(株)所在地:URL:事業内容:12お役立ち情報GICHOターゲティングメールサービス『激安キャンペーン実施中!』リスト数約56,300件!無駄なく配信・低価格・スピード対応!攻めのプッシュ型広告で見込み客を拡大!クリック件数だけでなく、人数、プロフィール、時間をレポートいたします。質の高いマーケティング活動が可能に!...注目情報アレムコの導電性/熱伝導性接着剤,コーティング材,グリースのことなら(株)エス・エス・アイ真空リフロー、N2リフロー、エアリフローのことなら、エイテックテクトロン(株)にお任せください。35,000部を毎月発行。国内唯一の実装技術専門誌!エンジニアが知りたい情報を幅広く特集。reserved.このページに掲載されている記事・写真・図表などの無断転載を禁じます。GICHOビジネスコニュニケーションズ社に帰属します。