8以下は非対応となっております。含む寄生ネットワークのリダクションを行うユニークなスタンドアロン・ソリューションです。高精度な結果を維持しつつ、高速にシミュレーションを実施するのに役立ちます。リスクについて、そしてシステムを保護するために必要な対策について説明します。2019年11月25日]本ウェビナーでは、セレクト・ゲート・トランジスタに注目した3次元NANDメモリ・セル動作の最適化で、TCADプロセスおよびデバイス・ソフトウェアをどのように利用できるかを紹介します。2019年11月14日]本ウェビナーでは、ドリフト拡散法を使用して4ケルビンから100ケルビンの温度でシリコン・デバイス動作をシミュレーションする場合に発生する問題について考察します。2019年11月5日]本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールの概要を説明します。ここでは、シルバコのワイドバンドギャップ材料向けプロセス/デバイス・シミュレーションの機能を紹介します。FETなど、さまざまな実例について実演し考察します。SoCを開発する上での課題について考察します。2019年10月11日]本ウェビナーでは、これらの主要な課題に関する業界の視点についてお話しします。現在認められているソリューションにつながる進歩について、そして次に来るものについて説明します。これら最先端の課題に、シルバコがどのように対処しているかについてもお話しします。フィールド・ソルバを使用して寄生を抽出する際の基本インタフェースについて説明します。LCDを使用して位相に特化したLCoS-SLMを解析する方法を示します。ピクセル駆動およびピクセル・サイズの縮小で起こる問題について説明します。2019年7月12日]シルバコは、数百万台以上の自動車で採用実績を持つ車載通信IPを包括的なポートフォリオとして提供するため、NXP、Infineon、そしてTIといった半導体大手企業と提携してきました。本ウェビナーでは、車載に関連する規格やシルバコSIPwareカタログから車載コントローラIPの具体的な機能を確認するとともに、車載セグメントと傾向について考察します。2019年7月1日]本ウェビナーは、Verilog-Aを使用したSPICEコンパクトモデルのロバストなコーディングについて、専門的なガイダンスを行うことを目的とします。2019年6月19日]本ウェビナーを受講していただくと、SmartSpiceを利用するCADフローのパフォーマンスを最適化することが可能となり、独自のカスタム設計フローの作成も可能となります。Processを使用したTCADプロセス・シミュレーションについて考察し、実行方法を説明します。本ウェビナーでは、半導体のプロセス・シミュレーション、構造設計、プロセス・エミュレーション、その他の基礎について段階的に説明します。2019年5月23日]本ウェビナーでは、シルバコのシミュレータを用いた酸化物半導体TFTのデバイスシミュレーションを紹介します。2019年5月22日]このウェビナーシリーズのパートIIでは、デバイス・シミュレーション・デッキの新規作成について説明します。ここでは、DeckBuildの使用方法および機能的にシミュレーション・デッキを記述する方法を習得します。本ウェビナーは、チュートリアルに重点を置き、デバイスの作成、実行の方法をデバイス・シミュレータを使用し、メッシュの仕様、材料パラメータとモデルの設定からデバイス特性のシミュレーション、TonyPlotでの結果解析までを含め段階的に説明します。本ウェビナーでは、ユーザがTCADフローをより深く理解し、主要コンセプトを固め、実用的なTCADシミュレーションを実行できる技術を習得できるよう支援します。2019年5月8日]まず、TCADおよびTCADツールの概要を説明します。TCADを定義し、TCADがマイクロエレクトロニクス業界でどのように適用されているか、そしてTCADが向かう未来について説明します。その後、シルバコのTCADフローを紹介し、設計、シミュレーション、解析で使用するTCADコンポーネントを紹介します。APIの基礎について紹介します。(デザインとテクノロジの同時最適化)を一つのコマンド・ファイルと一つのGDSIIレイアウトで可能にするアドバンテージについて説明します。2019年4月24日]本ウェビナーでは、並列およびFastSPICE解析モードを含め、SmartSpiceシミュレータの核心部をさらに詳しく説明します。新技術が、どのようにアーキテクチャ・レベルで設計IPを使用および再利用しているかの例を示します。2019年4月8日]本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール・スイートへと発展したNEMO5の原子レベルのシミュレーション機能について紹介します。HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジの続きを説明します。2019年3月22日]本ウェビナーでは、短期間で高精度なキャラクタライズ結果を得る際の課題と、その課題に対してシルバコのキャラクタライゼーション・ソリューションがどのように解決するかについて説明します。2019年3月1日]本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールで利用可能な優れた信頼性モデルを紹介します。信頼性モデルの基本機能や重要なパラメータについて説明し、正確なキャリブレーションおよび実験結果との比較について考察します。2019年1月24日]本ウェビナーでは、デバイス特性に影響を与える主な要因、およびフレキシブル・ディスプレイ・デバイス設計の基本要素を再考察します。ディスプレイ業界に向けたシルバコの最先端TCADソリューション・パッケージを使用して、性能および安定性を向上するために、デバイス・コンポーネントをシミュレーションする手法を説明します。2018年12月19日]本ウェビナーでは、代表的なIoTシステム上でマイクロプロセッサ・コードを格納、実行するために利用可能な各種ソリューションについて考察します。性能を損ねることなく消費電力、コスト、複雑さを軽減することは、IoT設計者の役割です。内部RAMを最小限に抑えること、ピン数を削減することが、チップの消費電力を低減するための2つの基本的な方法です。重要な性能指標は、マイクロプロセッサが命令にアクセス、実行できる速度で、この速度はシステム・メモリ・アーキテクチャにかなり依存します。アーキテクチャの選択肢を整理し、それぞれのメリットとデメリットを解析したのち、各種手法の定量的な性能の違いを考察します。2018年12月10日]フレキシブル・エレクトロニクスは、曲げられる、巻ける、折りたためるディスプレイや高機能な商品ラベルを可能にし、ウェアラブル、ヘルスケア、メディカル・エレクトロニクスといったさまざまなアプリケーションで素晴らしいポテンシャルを持っています。フレキシブルな薄膜および超薄型チップの新しいプロセス・テクノロジを使用した回路設計では、機械的歪みがデバイス特性に与える影響についても、回路シミュレーションで把握する必要があります。SPICEモデルを拡張、カスタマイズする実践的テクニックについて説明します。Allianceの新しい規格であるI3Cについて考察します。I3Cは、従来のI2C、SPIインタフェースを統合、拡張するもので、最新のモバイル、自動車、IoTアプリケーションに対応する強力な機能が追加されています。シルバコの多様なI3C製品群により、お客様はI3Cが備える、高性能で低消費電力の機能を活用することができます。2018年9月25日]近年、妥当な時間で終了する高精度の7シグマ検証が本当に必要になってきました。本ウェビナーでは、シルバコのVarManでこれらの問題を解決する方法を説明します。2018年8月22日]本ウェビナーでは、FPDレイアウトの設計生産性を高める、シルバコのレイアウト・エディタExpertの新機能についてお話します。HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジをご紹介します。HEMTデバイスの現在のSPICEコンパクト・モデルについて説明し、Verilog-Aとシミュレータの組込みモデルについても考察します。2018年7月13日]本ウェビナーでは、スタンダード・セル・ライブラリのマイグレーションと最適化を効率的に行う方法を説明します。テクノロジ・ノード間のスムーズなマイグレーションのためにファウンデーションIPを再利用することで、エンジニアリング・リソースを節減でき、対象となるテクノロジのレイアウト最適化に必要な最初の情報を入手できます。Barnaby博士をお招きします。シルバコTCADの概要について学ぶことができ、また半導体デバイス物理の学習の一環として、効率的かつ効果的にTCADを利用する方法、および物理ベース・モデリングを用いて新技術を調査、設計するツールとしてTCADを導入する方法について、Barnaby博士の考えを聴くことができます。2018年6月20日]本ウェビナーでは、寄生抽出結果のレビュー、寄生ネットリスト上で多数の解析を行う手法、およびツールの概要についてご紹介します。2018年6月15日]本ウェビナーでは、現在の半導体企業が直面する問題と、半導体企業がデザイン・データだけでなく技術とは関係ない大量のメタデータ、そして社内および社外IPをエンタープライズ・レベルで体系化するのに役立つシルバコのテクノロジについて考察します。2018年5月18日]本ウェビナーでは、ストレス・シミュレーションに使用される数値的手法を説明し、シンプルな構造の解析モデルと比較、そして変形のため誘起される応力に対するシルバコの非線形有限要素法によるアプローチを紹介します。Subsystemsへのサポートについて紹介します。2018年3月30日]寄生RCを正確に見極めることは、最新の半導体技術を設計、統合する上で重要な要素となります。ルール・ベースの寄生抽出を使用する従来のフローでは、精度の要求を満たせない場合や、適切なLPEルール・デッキが準備できない場合があります。2018年3月1日]半導体の新しいプロセス・ノードにおけるプロセスばらつきは、グローバル、ローカルを問わず、スタンダード・セル・ライブラリのパフォーマンスを左右する重要な要素になっています。電源と温度変動を組み合わせた場合、従来手法での3シグマ・プロセス・コーナーの検出、または6シグマ検証の実行は、膨大な数のシミュレーションを必要とするため、非現実的になって来ています。IP製品について、現在のSOC設計における有用性を考察します。2017年12月8日]本ウェビナーではGatewayツール・フローとiPDKデザイン・キットの統合について考察します。iPDKは、お客様にプロセス・デザイン・キットを公開するにあたり、急速にファウンドリに推奨されるようになってきた手法です。EDAベンダのスケマティック・キャプチャおよびレイアウトにおいて、iPDKへの対応はメジャーな機能になってきています。本ウェビナーではiPDKをGatewayに統合する方法について、現在のiPDKに潜む落とし穴やギャップも含めて紹介いたします。2017年10月27日]本ウェビナーでは半導体デバイスのイオン輸送および電気化学のシミュレーションについて考察します。これらの現象は、不揮発性メモリや固体電池の設計のように意図的である場合、そして多くの劣化メカニズムに見られる意図的でない場合の双方が対象となります。2017年9月13日]現在のモバイル機器にはさまざまな種類のセンサが含まれており、これらは可能な限り低い消費電力で、できるだけ速く情報を交換する必要があります。Allianceは、この実現に向けてセンサ接続周辺のインタフェースの新しい規格を作成するため、業界のリーダ達を招集したのです。本ウェビナーでは、シルバコのEDAツールを活用したTFTおよびFPD設計のさまざまな技術の概要について説明します。2017年5月8日]本ウェビナーでは、TFT、LCD、OLEDディスプレイの設計者にとって有益となる様々なTCADベースのシミュレーション技術を紹介します。最初に、TCADを使用したLED/OLEDダイオードの電気特性の解析および光学特性の解析について説明します。2017年4月21日]多額の費用を伴う設計の手戻りを避けるには、パワー・インテグリティの問題を設計サイクルのできるだけ早い段階に解決する必要があります。Primeを使用することで、物理設計が完了する前にEM/IRおよび熱条件を見積もることが可能です。2017年3月24日]物理設計のサインオフにとって、寄生素子抽出は必須の工程です。先端ノードにおいて、寄生素子は回路設計の動作に多大な影響を与えます。解析者が有意義かつ現実的な結果を出すためには、配線の寄生素子の影響を考慮しなければなりません。本ウェビナーでは、同一のデザインにおける2つの抽出データの特性を質的および量的に比較するフローを確認します。あるRadiantを紹介します。有機半導体デバイスとして、変換効率や色純度が高く、色調整もしやすいなどの特徴から、ディスプレイや照明などの分野で注目されている有機ELを取り上げ、特に白色有機ELの開発に必要な有機多層膜の電気特性の解析および発光特性の解析について紹介します。2016年12月9日]スタンフォード大学によるSUPREM-IVベースの2次元プロセス・シミュレータは、30年以上にわたり半導体研究業界で使用されてきました。半導体テクノロジの著しい進化により、新世代のTCADツールへの移行の必要に迫られています。Processシミュレータは、1次元/2次元/3次元プロセス・シミュレーションに対するソリューションと、新しい材料やプロセスをプロセス・フローにシームレスに導入することができることから、現在のものだけでなく、将来的な業界の条件をほとんど満たしています。2016年11月14日]先端ノードテクノロジにおいてアナログ・デザインのばらつきの影響は重大なものとなりました。統計解析に使用される従来のモンテカルロ手法は限界に達し、パフォーマンス面においてアナログ設計者の要望に応えることができなくなりました。あるRadiantを紹介します。有機半導体デバイスとして、変換効率や色純度が高く、色調整もしやすいなどの特徴から、ディスプレイや照明などの分野で注目されている有機ELを取り上げ、特に白色有機ELの開発に必要な有機多層膜の電気特性の解析および発光特性の解析について紹介します。Primeの概要を説明します。Primeは、InVarパワー・インテグリティ・サインオフ・ツールのラインナップに追加された製品です。FabTM(VWF)の説明とデモを行ないます。既存のシミュレーション・デックをブラウズして選択し、編集後にシミュレーション実行する方法を紹介します。2016年5月25日]ワイドバンドギャップ・パワー半導体シミュレーションに関して、最近の関心は収束問題から精度、キャリブレーション、モデルなど、実測との比較を通したより実用的な問題にシフトしています。本ウェビナーでは、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、酸化ガリウムに焦点をあて、そのシミュレーションについて解説します。2016年5月1日]このウェビナーでは、特に3Dメモリに焦点を当てて、物理エッチングのシミュレーション方法、メカニズム、モデルについての深い理解を提供します。2016年4月15日]TCADシミュレーションにより、プロセスエンジニアやデバイスエンジニアは試作を行う前にデバイス特性を解析することが可能となり、時間とコストを大きく削減できることはよく知られています。今日、多くのデバイスは3次元構造を有するため、3次元のプロセス/デバイス・シミュレータで解析することが効果的です。パワー・デバイスではメインセルや終端構造など、さらに大きなデバイス構造にも強い関心が集まっています。ICを高速に検証できます。メモリビットセルや論理標準セルのように多くの繰り返し要素を持つ設計に対してもロバストな高シグマ解析を可能とします。Managerの革新的なサンプリング技術により、設計者はばらつきの問題をより速く、かつ低コストに解決できます。2016年3月18日]このウェビナーでは、設計者がOpenAccess環境でどのようにシルバコのスケマティック・エディタ「Gateway」とレイアウト・エディタ「Expert」を利用するかについて説明します。2015年12月17日]このウェビナーでは、太陽電池とソーラーパネルのTCADからSPICEに至るシミュレーション・フローを概観し、またその関連の手法について紹介します。Moore」テクノロジーとアプリケーションのコストスケーリングを向上しますが、異種システムとICの3Dインテグレーションは今後の設計に大きな課題を投げかけます。DRC)のための2つのプロトタイプ設計ソフトウェアを発表しました。同時にモデリングするInVarのコンカレント・アプローチは、信頼性解析を実世界レベルの精度で行ないます。このウェビナーでは、高速な設計解析からサインオフまで、ゲートレベルおよびトランジスタ・レベルの電力、EM、IR、および熱解析を取り上げます。必要な入力データの簡単な紹介および短いデモも実施します。2のモデル・パラメータ抽出を取り上げます。2.2.0に組み込まれたデプレッション・モードにも簡単に触れます。2による高耐圧デバイス・モデリングを円滑に進めることを目指します。2のモデル・パラメータ抽出を取り上げます。2.2.0に組み込まれたデプレッション・モードにも簡単に触れます。2による高耐圧デバイス・モデリングを円滑に進めることを目指します。2015年2月18日]このウェビナーでは、宇宙空間または高エネルギー粒子や光子源付近など、一般的な4つの放射線環境下でエレクトロニクス・デバイスを使用した場合に発生する動作特性の変化について、酸化膜電荷や物理的損傷などを含む具体的なシミュレーション方法を取り上げます。TFT)において、TCADシミュレーションを測定データと比較する場合に用いるキャリブレーションの手順を詳細に取り上げます。TFTテクノロジの設計と最適化に役立ちます。2014年9月24日]このウェビナーでは、パワー・デバイスの設計、シミュレーションおよび性能最適化をTCADとSPICEシミュレーションにより行う手法について取り上げます。高耐圧パワーエレクトロニクス用半導体として、長い間シリコンが採用されてきました。SiCのようなワイドバンドギャップ半導体が、シリコンを上回る性能から注目を集めています。SiCデバイスのシミュレーションは、シリコン・デバイスと比較してより難しいとされています。2014年7月16日]このウェビナーでは、放射線効果を専門とするエンジニアがシングルイベント効果(SEE)とそれらがデバイスや回路に及ぼす影響のモデリングを行う場合に使用する手法を取り上げます。デバイス技術の著しい進歩により、放射線効果の忠実なモデリングがとりわけ困難となり、またデバイス・サイズの小型化によりSEEやその他の放射線効果のモデリングの重要性が増しています。該当項目がありません。