(バッチタイプ装置)特許技術となっている独自のマイクロ波アニール手法により、従来のアニール装置とは異なる加熱モデルでのアニールが可能となります。低温領域でのアニールに効果を発揮し、デバイス構造上アニール温度に制約がある場合や、材料の温度劣化が懸念されるアプリケーションに最適です。加熱レート及び冷却レートが高いため、スループットの向上にも寄与いたします。【特徴】ドーパントの低温活性化ディフュージョンレスのドーパント活性化を実現。従来のアニールに比べて大幅にサーマルバジェットの低減が可能。内部加熱によりデバイス構造に妨げられない均一な加熱を実現。スピーディーな昇温、降温によりスループットを向上。