本発明は、放射を送信及び/又は受信する半導体デバイスの放射出射面もしくは入射面が支持板に向くように半導体デバイスが支持板上に固定され、支持板が送信及び/又は受信される放射を透過させ、半導体デバイスによって送信もしくは受信される放射を集束させる放射集束手段が設けられ、放射出射面もしくは入射面が少なくとも1つの第1の接触金属膜を備え、支持板が第2の接触金属膜を有し、第1の接触金属膜と第2の接触金属膜とが導電的に高いに結合されている光電子変換器、及びその製造方法に関する。このような変換器は例えばヨーロッパ特許第412184号明細書により知られており、図5に示されている。33と、絶縁体34と、固定部材35と、レンズ支持体36と、検出器デバイス32によって受信される放射を集束させるためのレンズ37とを含んでいる。検出器デバイス32はその下面で絶縁体34上に固定され、この絶縁体34は共通支持体33上に固定されている。固定部材35は絶縁体34と並んで共通支持体33上に配置されている。この固定部材35上には、レンズ支持体36が固定膜38によってレンズ37と共に、このレンズ37が検出器デバイス32の光線入射面の上方に位置するように固定されている。この種の光電子変換器の個々の構成部品の取付けは非常に労力がかかる。この取付けは多数のステップを必要とし、レンズ37の調整は非常に困難である。その上、レンズ37と検出器デバイス32との間の空隙のために大きな反射損失が発生する。本発明の課題は、簡単かつコスト的に有利なやり方で大量に製造することのできる冒頭で述べた種類の光電子変換器及びその製造方法を提供することにある。光電子変換器に関する課題は、本発明によれば、半導体デバイスの放射出射面もしくは入射面と支持板との間隔が送信もしくは受信される放射の波長の十分の一より小さいか又は同じであることによって解決される。本発明による光電子変換器の実施態様は従属請求項に記載されている。c)基板ウエハを規定の基本格子に従って個別化するステップとを有することによって解決される。本発明を図1a乃至図4を参照しながら実施例に基づいて説明する。図1aは本発明による光電子変換器の第1の実施例の概略断面図である。図1bは第1の実施例における支持板の概略平面図である。図2は本発明による光電子変換器の第2の実施例の概略断面図である。図3は本発明による光電子変換器の第3の実施例の概略断面図である。図4は図1a又は図2に示された実施例による光電子変換器の製造ステップを説明するための概略図である。図5は光電子変換器の従来例を示す概略断面図である。図1aに示された光電子変換器は支持板1上に構成されており、放射を送信及び/又は受信する半導体デバイス9と、球面又は非球面を持つレンズ3とを含んでいる。Laser=VCSEL)である。支持板1は例えばガラス、プラスチック、サファイヤ、ダイヤモンド、又は半導体デバイスによって送信もしくは受信される放射を透過させる半導体材料から構成されている。1100nm用にシリコンを使用することができる。支持板1の下面2にはレンズ3が形成されている。1の上面4を表した平面図(図1b)に示されているように長方形又は正方形の枠の形状をしている。それゆえ、この枠の内部には長方形又は正方形のアイランド6が形成されている。窪み5の底面7上には、アイランド6の周りに導電枠8を形成する導電膜が設けられている。導電枠8は例えばアルミニウム又はアルミニウムをベースとした合金から構成されている。半導体材料から成る支持板を使用する場合、窪み5内に適当なドーピングによって導電枠を形成することも考えられる。支持板のドーピングによって作成されるこの種の導電枠を製作するために、例えばイオン注入のように平均的な専門家に今日知られている方法を使用することができる。半導体デバイス9はその上面に中央接触金属膜13を有し、その下面に2つの側方接触金属膜12を有している。stable,そして半導体デバイスの放射出射面もしくは入射面10がアイランド6上に着座するように形成されている。radiation,半導体デバイス9のpn接合11で作成された電磁放射の大部分を半導体デバイスから出射させる面である。これと同様に、放射を受信する半導体デバイスの放射入射面は、受信する電磁放射を半導体デバイス内へ入射させる面である。導電枠8は半導体デバイス9への電流供給手段としても利用されるので、外部との電気的接続のために支持板1の上面に接続面(例えばボンディングパッド)14が設けられている。この接続面14は導電性結合膜15を介して導電枠8に結合されている。接続面14及び結合膜15が導電枠8と同じ材料から構成されると有利である。16は半導体デバイス9の半導体基体から出射し支持板1を透過した後レンズ3で集束させられる。this,半導体デバイス9内に作成された放射の大部分は例えば光ファイバー17内へ入射し得ることが保証される。支持板1の厚みはレンズ3のレンズパラメータ(例えば焦点距離)及び光ファイバー上へのビームスポットの所望の結像(拡大又は縮小)に依存する。同じことは放射を受信する半導体デバイス9内へ光ファイバー17から放射を出射させる場合にも当てはまる。5に示された公知の変換器の場合より極めて僅かしか発生しない点にある。空気と半導体材料との屈折率が大きく異なるので、公知の変換器においては空気から半導体材料内へ放射を移行させるために全反射の臨界角が比較的小さく、従って全反射による放射損失が非常に大きい。20と、外部電気端子21、22と、接続線23、24と、変換器をハーメチックシールするためのプラスチック被覆体25とを有する容器内に組込まれている。body25の代わりに、容器をハーメチックシールするために容器壁20に貼着されるか又はろう付けされた容器蓋を使用することもできる。/又はろうから成る固定及び密閉層26によって基板18上に、レンズ3が開口部19上又は開口部19内に位置するように固定される。23、24によって外部電気端子21、22に接続されている。3,24.この外部電気端子21、22は側壁20を通って外部へ導かれている。1の実施例と同じである。asphericalの代わりに、この第2の実施例においては支持板1は放射を集束させるために回折光学素子27を有している。この回折光学素子27は以下においては短くDOEと称する。following.さらに、支持板1は第1の実施例とは異なって平坦上面4を有し、この平坦上面4上に導電枠8が設けられている。この導電枠8には1つの側面に電気接続面14が接している。導電枠8上には、半導体デバイス9、例えば発光ダイオード、ホトダイオード又はバーティカルキャビティサーフェイスエミッタレーザ(VCSEL)が、放射出射面もしくは入射面と導電枠8によって囲まれた面とが上下に配置されかつ半導体デバイス9の接触金属膜12が導電枠8上に着座するように固定されている。接触金属膜12は例えばろう及び/又は接着剤によって金属膜8に電気的及び機械的に安定して結合されている。図2に示された実施例では、半導体デバイス9と支持板1との間に空隙が形成されている。この空隙は、既に上記において述べたように、空気の屈折率の支持板材料の屈折率とが大きく異なる場合、全反射による相当な放射損失を生ぜしめる。従って、必要な場合には半導体デバイス9又は図1aに示されているように支持板1の上面は、半導体デバイス9の放射出射面もしくは入射面10が支持板1上に着座するように形成されなければならない。39,例えば透明な注型樹脂(例えばエポキシ樹脂)を半導体デバイス9と支持板1との間に設けることもできる。本発明による光電子変換器の図3に示された第3の実施例は、上述の2つの実施例とは、放射集束手段が支持板1内に形成されているのではなく、予め製作された球面又は非球面レンズ28が支持板1に固定されている点で本質的に異なっている。製作されたレンズ28の代わりに、第4の実施例として予め製作された回折光学素子を支持板1の下面2に固定するようにしてもよい。球面又は非球面レンズ28もしくはDOEの代わりに、ホログラフィック光学素子又はフレネルレンズを使用することも考えられる。放射集束手段及び半導体デバイス9を支持板の同一側に配置することも考えられる。30の下面29に予め与えられた基本格子に従って多数の球面又は非球面レンズ3が作られる。基板ウエハ30は例えばガラス又はシリコンからなり、レンズ3は例えばエッチング及び/又は研削によって作られる。次のステップで、予め与えられた基本格子に従って例えば蒸着又はスパッタによって同時に多数の導電枠8、多数の結合膜15及び多数の接続面14が窪み5内もしくは基板ウエハ30の上面31上に設けられる。これに続いて、予め与えられた基本格子に従って放射を送信及び/又は受信する多数の半導体デバイスが固定される。これは例えば導電枠8上へ接触金属膜12をろう付け及び/又は接着することによって行われる。次のステップで、半導体ウエハが例えば切断、又は割れ目の形成及び折曲げによって個々の光電子変換器に個別化される。wafer30、多数の半導体デバイス9及びレンズ3から成る複合体を個別化する際に同様に適用することができる。この場合、個別化する前に複合体を弾性接着シート上に固定することが通常行われる。このシートはその後全ての後続プロセスにおいて担持体として使われる。第2の実施例による光電子変換器を多数製造する製造方法は本質的に上述の方法と同じステップを有する。329に形成されるだけである。第3及び第4の実施例による光電子変換器を多数製造する製造方法は、上述の方法とは、先ず基板ウエハ30の上面31に予め与えられた基本格子に従って多数の導電枠8及び接続面14が設けられる点で相違している。引き続いて、基板ウエハ30の下面29には、予め与えられた基本格子に従って多数の予め作られたレンズ28又は回折光学素子が例えばろう付け及び/又は接着によって設けられる。第1の基板ウエハ30上に予め与えられた基本格子に従って多数の導電枠8及び接続面14を設け、第2の基板ウエハ上に多数の球面レンズ3、28又は多数の回折光学素子27を形成するか又は設けるような方法も考えられる。contemplated.両基板ウエハはそれらの平坦面が重なるように引き続いてろう付け及び/又は接着によって互いに結合される。overlap.その他のステップは上述の方法と同じである。30もしくは第1の基板ウエハがシリコンから構成されるか、又はその逆に構成されている場合、これらの両構成要素は例えば陽極ボンディングによっても互いに結合することができる。この公知の技術の場合、結合するべき面は重ねられ、例えば450°Cに加熱され、約−1000Vの電圧がガラスに印加される。上述した第3及び第4の実施例に関して、予め作られたレンズ28もしくは予め作られたDOEが基板ウエハ30の材料と似た熱膨張係数を有する材料から構成されると有利である。これによって製造時及び光電子変換器の駆動時に機械的応力が発生するのを少なくすることができる。(10)と支持板(1)との間隔が送信もしくは受信される放射の波長の十分の一より小さいか又は同じであることを特徴とする光電子変換器。【請求項2】支持板(1)上にアイランド(6)が形成され、このアイランド(6)の表面上に半導体デバイス(9)の放射出射面もしくは入射面(10)が着座していることを特徴とする請求項1記載の光電子変換器。【請求項3】アイランド(6)が第2の接触金属膜(8)を有する窪み(5)によって取囲まれていることを特徴とする請求項2記載の光電子変換器。【請求項4】支持板(1)が送信もしくは受信される放射を透過させる半導体材料から構成されていることを特徴とする請求項1乃至3の1つに記載の光電子変換器。【請求項5】放射集束手段(3、27)が支持板(1)と共に一体に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4の1つに記載の光電子変換器。【請求項6】放射集束手段(28)が独立して作られ、支持板(1)に取付けられていることを特徴とする請求項1乃至4の1つに記載の光電子変換器。【請求項7】放射集束手段が集光レンズ(3、28)であることを特徴とする請求項1乃至6の1つに記載の光電子変換器。【請求項8】放射集束手段が回折光学素子(27)であることを特徴とする請求項1乃至6の1つに記載の光電子変換器。【請求項9】放射集束手段(3、27、28)と半導体デバイス(9)とが支持板(1)の対向位置する面に配置されていることを特徴とする請求項1乃至8の1つに記載の光電子変換器。c)基板ウエハ(30)を規定の基本格子に従って個別化するステップとを有することを特徴とする請求項1乃至9の1つの記載の光電子変換器の製造方法。