トップへ採用情報Englishお問い合わせHOMEサービスマテリアルサイエンスエレクトロニクス半導体デバイスSiC(パワー半導体)SiC(パワー半導体)最新鋭評価装置でパワー半導体の開発を支援パワー半導体はコンバータやインバータの電力制御に利用されていますが、近年では従来のSiにかわって高性能なGaNやSiC材料の研究開発が活発化しています。より、難溶解性SiC材料のバルク・表面・薄膜に含まれる金属不純物をICP-MSを用いてppbオーダーで定量する事が可能です。SiO2/SiC界面での欠陥生成の抑制のため、ゲート酸化膜形成後の窒素アニール処理が一般的に施されていることから、導入した窒素分布の把握が重要となっています。新規導入したTEMの高感度元素分析システムを用い、従来検出が困難であったN分布の解明を試みた結果、窒素アニールによりNがSiC表層部よりも基板側に導入されていることが推定されました。パワー半導体の界面構造評価SiCパワー半導体のプロセス評価技術お問い合わせ分析・測定や商品、コンサルティングなどのサービスに関するお問い合わせやご依頼は、お問い合わせフォームまたは電話・FAXにてお気軽にお問い合わせください。