3つの分野にフォーカスし、独創的かつ挑戦的な研究・開発を推進しています。研究室紹介シリーズでは、ひとつの研究室にスポットを当てて研究テーマや研究成果を紹介。nm以下となっています。これらの微細化に伴い既存のデバイスは、ショートチャネル効果やリーク電流などによる消費電力の増大、製造コストの増大などが問題となっています。nmスケールの材料を用いて、新しい動作原理に基づく次世代電子デバイスを一気通貫で開発しています。ここでは、4つの研究テーマを紹介します。nmスケールの構造を作製するには、電子線を活用することが有効です。nmスケールの構造を作製しています。(SEM)を用いて直接観察します。nm材料の電子機能を固体基板上で発現させるためには、材料の大きさに合わせた電極構造が必要です。nmのギャップ長を有するナノギャップ電極を作製するプロセスの研究を行っています。金メッキ溶液は、金箔、ヨードチンキ、ビタミンCなどの安全な材料を用いています。金の自己触媒反応によりギャップ電極の部分でメッキが進行します。nmのナノギャップ電極を1度に高収率で作製することができます。現在は、電解メッキにより、異種金属ナノギャップ電極を作製する手法の開発に取り組んでいます。nmデバイスのプラットフォームとして利用します。nm材料の構造を直接観察することができます。nm材料上にプローブの位置を固定して、走査トンネル分光(STS)により電流-電圧特性を測定し、電子物性を評価します。我々はこれまでに、ナノ粒子のクーロンブロッケード特性(単電子特性)を評価し、単一分子配向スイッチ、分子間共鳴トンネルダイオード、単分子メモリなどの新しい機能を開拓しています。nm材料の機能を自ら発見すると、ナノギャップ電極間に単分子やナノ粒子をナノギャップ電極に導入した電子デバイスにおいて機能を発現させる、次の段階に進みます。nmデバイスを開発しています。デバイスの電気特性は、低温プローバーと半導体アナライザを用いて測定します。ナノ粒子をギャップ間に化学吸着させ、二重トンネル接合構造をつくると、電子1個の出入りによって電流の流れやすさが変わる単電子トランジスタとなります。我々の単電子トランジスタは、極めて安定に動作するため、論理回路動作やメモリ動作を実現することができます。ギャップ間に単分子を化学吸着すると、分子デバイスになります。我々は、STMで発見した新しい機能を、分子デバイスとして実現する研究開発をしています。nmデバイスが、世の中で認識され、実用化に向けた開発につなげる研究開発を目指しています。低温プローバークローンダイアモンド特性ダブルゲート単電子トランジスタによる2入力論理回路まとめ真島研では、学生が自ら考え研究を進めることを基本としています。国内および国際会議(海外)で研究発表を行うことを奨励しています。Awardを受賞しています。就職先は、自動車メーカー、電気メーカー、化学メーカー、精密機器メーカーなど多様です。国内外の大学・研究機関との共同研究を活発に行っています。※博士課程の学生は、英国ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所に3ヵ月研究留学しています。メーカーの研究所、ベンチャーなどです。材料系の全研究室を紹介したパンフレットは広報誌ページでご覧いただけます。東工大の教育に関連するWebサイトの構成です。