MRFX1K80:最大65Vに対応する1800Wの連続波RFトランジスタNXPセミコンダクターズは、最大65Vまでの電源電圧に対応する新たなLDMOS技術を発表した。併せて、同技術をベースとした連続波(CW)RFトランジスタ「MRFX1K80」を開発し、サンプル提供を開始した。併せて、同技術をベースとした連続波(CW)RFトランジスタ「MRFX1K80」を開発した。同社の新たなLDMOS技術は、最大65Vの高電圧に対応したことで、適切な出力インピーダンスを維持しながら出力電力を増加できる。広帯域アプリケーションにおいて50Ωへのインピーダンス整合を簡素化できるため、マッチング検討時間を削減して開発期間を短縮する。LDMOSトランジスタとはピン互換性を備え、RF設計時に既存のPCB設計を再利用できる。新LDMOS技術を採用したMRFX1K80は、1M〜470MHzのアプリケーション向けに1800W(65V時)の連続波を提供。65:1の電圧定在波比(VSWR)に対応する。現在、エアキャビティセラミックパッケージを採用した「MRFX1K80H」のサンプルを提供中で、2017年8月に量産を開始する予定。27MHzと87.5M〜108MHzのアプリケーション向けにレファレンス回路も提供している。同社では今後数カ月以内に、オーバーモールドプラスチックを採用した「MRFX1K80N」も提供するとしている。MEMSスイッチ「ADGM1304」「ADGM1004」を発表した。自動試験装置(ATE)や、その他の測定機器の精度と多様性を大幅に向上させるという。RFパワートランジスタ」を発表した。最大53%の効率を達成している。無線システムの通信距離を確保する最新の無線通信規格を採用した機器を開発する場合、通信距離を確保するためには、送信器と受信器の末端部分に当たるRFフロントエンドの設計が重要となる。本稿では、まず、RF回路の設計に必要となる基礎知識についてまとめる。その上で、通信距離を確保するための設計上のポイントや、RFフロントエンドICの最新動向などを紹介する。RFとマイクロ波用の高性能標準モジュール新製品アナログ・デバイセズは2016年9月、RFとマイクロ波用の高性能標準モジュール「HMC-C582」「HMC-C583」「HMC-C584」「HMC7891」を発表した。全ての機能が統合された密閉式モジュールで、製品を設計する際の試作・実験プロセスを短縮するという。RFパワートランジスタ4種を発表した。全体で1805MHz〜3600MHzの周波数をカバーする。ウェーハ上でRF信号を測るICの高速化/複雑化が進むに連れ、プローブテストでRF信号を扱う必要性が高まっている。本稿では、ウェーハ上でRF信号の測定を行う方法に焦点を当て、その基本となる事柄と測定時の注意点などを概観する。転職で「嫁ブロック」発動。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。