いったメリットが得られます。A/cm2)を上回ると予測されています。信頼性に揺らぎが生じます。銅の低効率は上昇してしまいます。LSIの新配線材料として期待されています。層間絶縁膜耐性といったLSI配線のプロセス上の制限から400°C以下で合成することが好ましいです。銅並みの低抵抗を実現するために高密度に成長させる必要があります。銅以下の抵抗を実現することができるからです。上下の層を結ぶ縦配線にCNTを応用することを目指しています。CNTの配線としての性能評価に成功しました。先端放電型ラジカルCVD装置とCo触媒を用いて390°Cで高密度に成長させています。両者の抵抗値の測定結果を図2(c)に示します。抵抗値はCMP処理を施した方が優れた性質を示しました。LSI配線プロセスに適合する温度帯で成長したCNTに実際に電流が流れることを実証しました。世界トップクラスの値を得ることができました。CNTの密度をさらに向上させて抵抗値の低減を目指します。本研究はNEDOよりSeleteに委託されたMIRAIプロジェクトの一環として実施しています。