受賞対象は、1995年に富士通が出願し、2002年に特許として登録された「化学増幅型フォトレジスト用材料(注3)の発明(特許第3297272号)」です。(LSI)を製造する際に回路のパターンを感光させる材料に関するもので、世界で初めて90~32ナノメートル(以下、nm)世代の先端LSI製造に適用可能な高感度・高解像性のフォトレジスト材料を実現したものです。貢献するなど、ICT社会の発展に大きく貢献しています。本賞の表彰式は、7月30日(金曜日)に行われます。全国発明表彰について全国発明表彰は、皇室より毎年御下賜金を拝受し、わが国における発明、考案、または意匠の創作者ならびに発明の実施および奨励に関し、功績のあった方々を顕彰することにより、科学技術の向上および産業の発展に寄与することを目的としています。科学技術的に秀でた進歩性を有し、かつ顕著な実施効果をあげている発明で、特に優秀と認められるものに贈呈されるものです。と従来技術LSI製造は、微細化との戦いです。LSIは、シリコンウエハー基板上に大規模な回路を小さく形成する技術を用いて製造されています。微細化することで、1枚のウエハーから多数のLSIを製造してコストを低減することができ、性能や省電力性も向上してきました。微細化のためには、回路パターンをレーザー光で転写する過程(リソグラフィ工程)(図1)において、光源の波長を短くし、さらに、回路パターンが転写される感光性材料(レジスト)にも、その波長に最適な構造の材料を開発することが必要となります。nm)用レジストは開発途上にありました。レジストに対しては、適用する波長での感光に必要となる透明性、量産に必要となる感度と解像性、形成したパターンを下地の半導体膜や絶縁膜などに転写するためのエッチング耐性が求められます。従来のArF用レジストは、透明性やエッチング耐性は十分でしたが、材料の疎水性が高すぎることから、現像時に残ったカスが生じたり、形成したパターンが基板から剥がれやすく、LSIの量産適用に必要な感度や解像性を満たすことはできていませんでした。独自の材料設計に基づき、新たな化学構造である「親水性の高いラクトン基」と「反応性の高い脱離型アダマンチル基」を組み合わせて導入したフッ化アルゴン・エキシマレーザー(ArF)用レジストの樹脂を新規に開発しました。LSI製造に必要な全ての性能を満足する実用レベルのフッ化アルゴン・エキシマレーザー(ArF)用レジストを世界で初めて実現しました(図2)。本発明、および、関連特許技術は業界の標準技術となり、これらを利用したArF用レジストは、レジストメーカー各社から市場に出ています。nm世代の先端LSIを量産しており、先端LSIの製造に不可欠な材料になっています。よって、今日のICT社会の発展に大きく貢献しています。商標について記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。