Semiconductorsの国際ワークショップでファム准教授と共同研究者の田中教授が招待講演を行いました。Physicsに注目論文として掲載されました。(2019).一方向性スピンホール磁気抵抗効果は非磁性体・磁性体の接合において、非磁性体のスピンホール効果によって、接合抵抗が磁性体の180°磁化反転に応じて変化する現象である。この現象を利用すれば、2層だけの極めて簡易な構造の面内型スピン軌道トルク磁気抵抗メモリーの実現が期待できる。%台と極めて微小であるため、デバイス応用に必要な1%以上の抵抗変化の実現が難しいと考えられてきた。%の巨大な抵抗変化を達成した。起源が強磁性半導体中のマグノン励起・吸収とスピン無秩序散乱によって生じることを明らかにした。PMM1の中野君が東北大学で開催された第24回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-24)において、下記の発表を行いました。-スピントロニクスの最前線-(2019年12月16日)で招待講演を行いました。Advances誌に掲載されました。(2019)スキルミオンは空間対称性が破れたバルク磁性体や磁性体/非磁性体界面において発生しうるトポロジカル磁気渦で、サイズが小さいこと微小電流で移動できるため、次世代の不揮発性メモリやBrownian計算機などに利用できると期待されています。今間ではスキルミオンを発生させるために、磁場をかけたり、外部の刺激によって準安定状態にあげたりする必要がありました。今回の研究では磁性体に垂直磁化膜のMnGa,非磁性体にBiSbトポロジカル絶縁体を使うことで、室温かつ磁場無で、安定なスキルミオンの形成に成功しました。実験では、スキルミオン特有なトポロジカルホール効果を使って検出しました。nmと見積もられて、実験で観測したトポロジカルホール効果を十分説明できることが分かりました。スキルミオンのエネルギー。1はスキルミオン状態を表す。(a)準安定のスキルミオン(従来)、(b)安定状態(基底状態)のスキルミオン(本研究)。Koreaで下記の招待講演を行いました。「スピントロニクス新機能物質と巨大物性応答」で下記の招待講演を行いました。Topologyで招待講演を行いました。おいて、Pham准教授が招待講演と一般講演、D3のKhang君とD1の脱凡君が一般講演を行いました。共同研究者の東京大学のAnh氏も招待講演を行いました。ー夏の学校ーで招待講演を行いました。受賞・報道ダウンロードリンクアクセス。