RF(高周波)エンベロープ・トラッキングをはじめとした速度重視のアプリケーションにおいて、より高効率で高性能の製品設計に貢献します。これらの製品は、50MHzのスイッチング周波数を提供するとともに、効率が向上することから、シリコンMOSFETでは実現不可能であったソリューション・サイズを80パーセント縮小します。製品の詳細はhttp://www.tij.co.jp/lmg1020-pr-jpとhttp://www.tij.co.jp/lmg1210-pr-jpをご覧ください。『LMG1020』60MHzローサイドGaNドライバは、業界最速の駆動速度と、1nsの最小パルス幅を提供することから、産業用LIDARアプリケーションで高精度のレーザーを可能にします。×1.2mmと小型のWCSPパッケージはゲート・ループの寄生パラメータや損失を最小限にできることから、さらなる効率向上に役立ちます。FET向けの50MHzハーフブリッジ・ドライバです。このデバイスの調整可能なデッドタイム制御機能は、高速DC/DCコンバータ、モータ・ドライブ、Class-Dオーディオ・アンプや、その他の電力変換アプリケーションで、効率を最大5パーセント向上させます。お客様は、業界最高の300V/ns以上のCMTI(同相モード過渡電圧耐性)によって高いシステムのノイズ耐性を達成できます。『LMG1020』は2.5ns、『LMG1210』は10nsと、超高速の伝搬遅延特性を提供することから、シリコン・ドライバ製品の50倍高速の電力ソリューションが可能。両方のデバイスによって高効率の製品設計が可能。『LMG1210』に集積されたデッドタイム制御機能によって、部品点数の削減と、高効率が可能で、電源サイズを最大80パーセント縮小。『LMG1020』と『LMG1210』の両製品は、200Vドライバ製品から80Vや600Vのパワー・ステージにわたる、TIの業界最大のGaNパワー製品ポートフォリオに追加される最新の製品です。プロセスによって、TIは数十年にわたるシリコン製造の専門知識や最先端のデバイス開発能力をGaNテクノロジに投入し、高信頼のGaN製品の供給を通して、実績を持ち、ただちに使用可能なソリューションへの需要に対応します。Conference)の展示スペース(No.501)において、幅広いGaN製品ポートフォリオやテクノロジを展示します。各評価モジュールとSPICEモデルを供給中です。(英語)と高速DC/DCコンバータ向けのマルチMHzのGaNパワー・ステージのリファレンス・デザイン(英語)もダウンロード可能です。販売特約店から供給中です。『LMG1020』はWCSPパッケージで供給され、1,000個受注時の単価(参考価格)は1.79ドルです。QFNパッケージで供給され、1,000個受注時の単価(参考価格)は2.19ドルです。※すべての商標および登録商標はそれぞれの所有者に帰属します。【テキサス・インスツルメンツおよび日本テキサス・インスツルメンツについて】テキサス・インスツルメンツは(本社:米国テキサス州ダラス、会長、社長兼CEO:リッチ・テンプルトン、略称:TI)は、未来のイノベーションを生み出すアナログICおよび組込みプロセッサを主に開発設計・製造するグローバルな半導体企業です。未来を変革する10万社にのぼるお客様を支援しています。:田口倫彰、略称:日本TI)は、テキサス・インスツルメンツの子会社で日本市場における外資系半導体サプライヤです。