JCPDS卡片的M-1470记载的锡酸锌Si2SnO4相以外,还含有微量氧化锡(SnO)相。206ff/cm2)以上时产生了电弧,放电不稳定。)中浸渍10分钟左右,膜质没有发生变化,可知耐碱性优良。将所得膜在3%的KOH水溶液(30°C)中浸渍10分钟左右,膜质没有发生变化,可知耐碱性优良。JCPDS卡片的M-1470记载的锡酸锌Zn2SnO4相构成,不含SnA或SnO等氧化锡相。将所得膜在3%的KOH水溶液(30°C)中浸渍10分钟左右,膜质没有发生变化,可知耐碱性优良。JCPDS卡片的24-1470记载的锡酸锌Si2SnO4相以外,还含有SnO2相。206ff/cm2)以上时产生了电弧,放电不稳定。将所得膜在3%的KOH水溶液(30°C)中浸渍10分钟左右,膜质没有发生变化,可知耐碱性优良。将所得膜在3%的KOH水溶液(30°C)中浸渍10分钟左右,膜质没有发生变化,可知耐碱性优良。将所得膜在3%的KOH水溶液(30°C)中浸渍10分钟左右,膜质没有发生变化,可知耐碱性优良。将所得膜在3%的KOH水溶液(30°C)中浸渍10分钟左右,膜质没有发生变化,可知耐碱性优良。将所得膜在3%的KOH水溶液(30°C)中浸渍10分钟左右,膜质没有发生变化,可知耐碱性优良。^iO晶体相或^13⁄4晶体相。15%,可以确认提高了。)中浸渍10分钟左右,出现泛白。1.930W/cm2)以上时产生了电弧,放电不稳定。308W/cm2)的变化范围内,放电稳定。