Zum Temperatureinfluß auf die Elektronenbeugung in Reflexion und Durchstrahlung
ZusammenfassungMit Hilfe der Elektronenbeugung wird der Temperaturgang der Gitterschwingungen bei Kupfer und Silber untersucht. Interferenzen, die durch Reflexion am massiven Kristall entstehen, geben Auskunft über die Verhältnisse in einer dünnen Oberflächenschicht. Wie sich zeigte, wachsen hier die Amplituden der Wärmeschwingung mit steigender Temperatur rascher als im Kristallinneren. Auf die Verhältnisse im Kristall wird aus der Beugung bei Durchstrahlung von Aufdampfschichten geschlossen. Auch hier zeigt sich, wenngleich schwächer, der Einfluß nichtlinearer Bindungskräfte. Dieser Einfluß läßt sich kennzeichnen mit einer GrenztemperaturT0, bei der die Wärmeamplitude formal über alle Grenzen wächst, sie ist durch Extrapolation bestimmbar.T0 kann in Beziehung gesetzt werden zur Theorie vonMie-Grüneisen. Es wird der Vergleich mit vereinzelten analogen Röntgenbeobachtungen gezogen