Zur Theorie der Anreicherungsrandschicht an der Oberfläche von Halbleitern
ZusammenfassungFür eine durch Oberflächenzustände erzeugte Anreicherungsrandschicht wird die Differentialgleichung aufgestellt. In der Raumladung werden hierbei nur die beweglichen, von den Oberflächenzuständen hervorgerufenen, Ladungsträger berücksichtigt. Die geschlossene Integration gelingt sowohl mit der klassischen Näherung derBoltzmann-Statistik, als auch mit der Näherung derFermi-Statistik für starke Entartung. Die Ergebnisse werden numerisch ausgewertet, in Kurven dargestellt und auf Messungen der Oberflächenleitung an ZnO-Kristallen angewandt.