Ein Doppelwechsellichtverfahren zur Photoabsorptionsmessung
ZusammenfassungZur Messung trägerkonzentrationsabhängiger Absorptionsprozesse in Halbleitern führt man Photoabsorptionsmessungen durch, d.h. Messung des optischen Absorptionsbeitrags photoelektrisch erzeugter Träger. Hierzu wird ein Doppelwechsellichtverfahren angegeben, bei dem sowohl die Meßlichtquelle, die das Licht für die Absorptionsmessung liefert, als auch die Photolichtquelle, die die Überschußträger erzeugt, Wechsellichtquellen sind. Durchsetzt das mitω1-modulierte Meßlicht die Probe, deren Durchlässigkeit durch die Photolichtquelle mitω2 moduliert ist, so erhält man hinter der Probe ein mit der Differenzfrequenzω1−ω2 moduliertes Lichtsignal. Dieses wird selektiv nachgewiesen, es ist ein Maß für den Absorptionsquerschnitt der Überschußträger. Bei diesem Verfahren werden keine hohen Anforderungen an die spektrale Reinheit des Meß- bzw. Photostrahls gestellt, weshalb es anderen Verfahren zur Photoabsorptionsmessung überlegen ist. Die Möglichkeiten der Anwendung des Verfahrens werden diskutiert. Als Beispiele wurden Photoabsorptionsspektren an Germanium und Silizium gemessen.