У Рівному маму з дитиною-інвалідом виселили з гуртожитку [ВІДЕО]\nОбществоrivne1.tv08 июля 2017\nЖитло 10 квадратних метрів - на вагу золота. Молода сім'я Гордійчуків понад 6 років проживали у крихітній кімнаті в гуртожитку, яку надала адміністрація Рівненської обласної клінічної лікарні.\nТа, після того, як у будинку створили ОСББ і його мешканці захотіли приватизувати помешкання - з'явився попередний власник кімнати, де на той час проживали Гордійчуки. Він ж захотів повернути своє житло. А далі розпочалася судова тяганина. Як результат - суд зобов'язав молоду маму з дитиною-інвалідом - виселитись. Чи опинилася молода сім'я на вулиці - знає Інеса Пославська.


Чому болить кубовидна кістка стопи? - vse-zdorovy.info\nЧому болить кубовидна кістка стопи?\nПри болях кубовидної кістки стопи рекомендується негайно звертатися до лікарні. Причина больового синдрому може ховатися як у звичайної втоми, так і в серйозному переломі. Кубовидна кістка розташовується спереду від п’яти. По своїй анатомічній особливості вона має неправильну форму. Будь-які перенапруги стоп призводять до появи виражених болів.\nУ більшості випадків больовий синдром розвивається із-за травми. Пошкодити цю ділянку стопи не так просто, однак імовірність поразки все ж зберігається. Головною функцією кубовидної кістки є формування склепінь на підошві. В результаті цього утворюється жолобок, що забезпечує повноцінну роботу сухожиллях. Тому при будь-яких порушеннях функціональність м’язів різко знижується.\nОсновні причини больового синдрому в кістки:\nМеханогенез. В цю категорію потрапляють травми різного ступеня тяжкості. Зазвичай це переломи, в результаті яких зазначається кубовидное пошкодження. Спровокувати цей процес здатні форсовані руху, що супроводжуються роздавлюванням кістки.\nНадмірне вигинання підошви. Це призводить до вывиху кубовидної кістки. Даним пошкодження схильні люди, які займаються танцями та велоспортом.\nСтресовий перелом. Частіше фіксується у початківців спортсменів. При цьому людина відчуває сильний біль, на підошві з’являється набряк.\nПеронеальный тендиніт. Цей синдром викликає дискомфорт з зовнішньої частини стопи, що свідчить про перелом.\nВиявити точну причину болю здатний тільки фахівець після проведення діагностичних заходів.\nПоширені фактори появи болю\nКубовидна кістка може постраждати через стрес-перелому. Починаючі спортсмени в силу відсутності багатого досвіду на перших порах шкодять своєму здоров’ю. Надмірна старанність може спровокувати появу тріщин на стопі. Відбувається це в результаті монотонних і наполегливих повторень одних і тих же рухів. Частіше травма даного типу виникає під час спортивних змагань. При цьому потерпілий відчуває тягнучий біль, яка з часом посилюється.\nНа другому місці знаходиться розтягнення зв’язок. Це найпоширеніша причина розвитку вираженого больового синдрому на стопі. Практично в 85% випадків саме розтягнення травмує кубовидну кістка. Відбувається це в результаті інверсії. Розтягнення здатне пошкодити будь-яку зв’язку навіть при вивертання ноги.\nСиндром кубовидної кістки. Ця причина фіксується не так часто, однак ушкодження у цій галузі призводять до тривалих больових відчуттів. Процес спостерігається при частковому вивиху стопи в результаті травми. При цьому може бути розтягнута і кісточка. Біль локалізується з зовнішнього краю стопи, її посилення фіксується в ранкові години і під час фізичних занять. Без належного лікування симптом самостійно не зникне.\nТарзальний коаліція. Зустрічається вкрай рідко, це зумовлено зрощенням кісток один з одним. Проблема є вродженою і проявляє себе після 20 років. Больовий синдром виникає несподівано, при цьому відчувається постійна втома. Людини можуть дошкуляти судоми в будь-який час доби. Усунути біль допоможе оперативне втручання.\nБуньон. Це деформація стопи, в результаті якої великий палець повернутий всередину. Дана аномалія супроводжується вираженим болем і запальними процесами. Іноді аналогічна ситуація фіксується з мізинцем.\nМозоль. Біль у кубовидної кістки не завжди вказує на наявність серйозної патології або травми. Часом на цьому місці просто набивається мозоль.\nУ деяких випадках вона розвивається під шкірою, що утруднює постановку діагнозу. Людини дошкуляє біль в області кубовидної ступні, а насправді там розташовується мозоль.\nПривести до дискомфорту і додатковою симптоматикою здатний тендиніт сухожиль і артрит. Усі ці стани супроводжуються вираженою клінічною картиною.\nЯкщо дошкуляє больовий синдром ступні, необхідно відправлятися в лікарню. Фахівець повинен провести діагностичні заходи, спрямовані на ідентифікацію причини болю. З цією метою досліджується переднезадняя, бічна і коса частину стопи. Отримавши необхідні проекції, спеціаліст зможе побачити відхилення і призначити грамотне лікування.\nДля цього людині доведеться монотонно повторювати одні й ті ж рухи. Якщо в результаті їх біль посилиться, значить проблема ховається в надмірного навантаження на стопу. Бажано провести опитування пацієнта на предмет наявності спортивних хобі або професійної кар’єри в тому чи іншому виді спорту.\nВажливу роль у діагностиці відіграє комп’ютерна томографія. Повне дослідження стопи дозволить поставити точний діагноз. У деяких випадках застосовується магнітнорезонансна томографія.\nПри виражених ураженнях кубовидної кістки лікування передбачає накладання гіпсової шини. Рухатися не можна протягом 6 тижнів, поки стопа не прийде в повний порядок. У складних випадках доцільно провести оперативне втручання.


Неплатники аліментів будуть позбавлені права керувати автомобілем - Павло Петренко\nДержава має запровадити значно дієвіші заходи впливу на батьків, які відмовляються платити аліменти. Їх має бути позбавлено права керувати автомобілем, виїжджати за кордон, користуватися зброєю. Про це сьогодні в ході громадського обговорення законопроекту «Про внесення змін до деяких законодавчих актів України щодо посилення захисту права дитини на належне утримання шляхом вдосконалення порядку примусового стягнення заборгованості із сплати аліментів» сказав Міністр юстиції Павло Петренко.\n«Сотні тисяч дітей, які виховуються в неповних сім’ях, страждають від безвідповідальності і байдужості дорослих. Фактично для країни вже стало нормою, коли один з батьків, які не проживають разом, ухиляється від виконання своїх батьківських обов’язків. Цифри вражають. Нині в органах виконавчої служби 540 тисяч проваджень про стягнення аліментів. Тобто, майже кожен п’ятий з майже 3 млн маленьких українців, які мають отримувати аліменти, не отримують гарантоване законом фінансове забезпечення», - наголосив очільник Мін’юсту.\n- 240 годин суспільно-корисних робіт на користь місцевої громади з направленням коштів на рахунок дитини (може застосовуватися багаторазово – до погашення заборгованості);\n«Чужих дітей не буває. І, як сказала відомий італійський педагог Марія Монтессорі, - віра дитини в себе і її любов до світу залежить від дорослих. Закликаю депутатів, як тільки даний законопроект потрапить до зали Верховної Ради, підтримати його. Це наша відповідальність перед сотнями тисяч дітей. Прийняття цього законопроекту – реальна можливість захистити інтереси дитини, і спонукати боржника до виконання своїх обов'язків», - резюмував Павло Петренко.\n«Це економічне насильство в сім’ї, коли один із батьків, не знайшовши порозуміння з іншим членом родини, з яким він вступав у шлюб і народжував дітей, іде з сім’ї й у вигляді помсти жінці піддає економічному насильству своїх дітей. Помста виливається в горі й у біді самих дітей, які не розуміють, чому вони мають бути обмежені в економічних правах на нормальне зростання і забезпечення», - сказала Ірина Луценко.\n«Вона назріла в суспільстві та має вийти за межі кухонних розмов. Адже в країні ми бачимо епідемію гендерної війни між чоловіками і жінками. Вона прихована, ніхто про це відверто не говорить, але ми бачимо дуже багато ситуацій, які призводять до того, що страждають діти», - наголосила вона.


Топ-10 найпрозоріших сайтів благодійних організацій - Український форум благодійників : Український форум благодійниківТоп-10 найпрозоріших сайтів благодійних організацій - Український форум благодійників\nХто з учасників Національного рейтингу благодійників має найзручніші сайти, де легко знайти необхідну інформацію? Український форум благодійників за консультаційної підтримки компанії EY в Україні проаналізували веб-ресурси 74 благодійних організацій і визначити переможців рейтингу сайтів. 4 з 10 найпрозоріших сайтів – це інтернет-представництва фондів-членів Українського форуму благодійників.\nТоп-10 благодійних фондів із найпрозорішими веб-сайтами\n1. БФ “Щаслива дитина”\n2. Всеукраїнський БФ"Запорука" (член Українського форуму благодійників)\n3. БФ "Відкриті серця України" (член Українського форуму благодійників)\n4. БФ "Подільська громада"\n5. БФ “Соціальне партнерство” (член Українського форуму благодійників)\n6. БФ "Фонд Кличко"\n7. БФ "Благомай" (член Українського форуму благодійників)\n8. Березанська міська БО\n9. БO Фонд м.Херсон "Захист"\n10. БФ "Зміцнення громад"\nДобрий результат також показали:\n11 БФ “Щаслива лапа”\n12 БО “БФ Допомоги батальйону” Донбас“\n13 Всеукраїнська БО "Даун Синдром"\n14 Міжнародна БО "Фонд Східна Європа"\n15 «Всеукраїнський БФ «Крона»\n16 Тернопільський обласний БФ "Майбутнє сиріт"\n17 Благодійна організація "Громадський фонд Суми"\n18 БФ "Промінець надії"\n19 Благодійний фонд "Помагаєм"\n20 Міжнародний БФ "Таблеточки"\n21 Міжнародний БФ "Український жіночий фонд"\n22 Фонд громади Вознесенська\n23 БФ "Серце на долоні"\n24 Нікопольський регіональний БФ "Дітям Нікополя"\n25 БФ "Педіатри проти раку"\n26 МБФ “Українська Біржа Благодійності”\n27 “Сподіваюсь і вірю”\n28 БО “Українська благодійницька мережа”\n29 Фонд громад "РІДНЯ"\n30 «Український фонд допомоги"\n31 “Єдина Родина”\n32 Карітас України\n33 БО Станція "Харків"\n34 БФ "Дон Боско"\n35 “Я вірю в Україну”\n36 ЛОБО "Фонд Громад Луганщини "ХОРС"\nКритерії оцінки сайту благодійної організації на предмет прозорості\nОцінювалися не зовнішня привабливість онлайн-ресурсів, не якість публікацій чи наявність найсучасніших функцій, а наявність і доступність структурних елементів, з яких можна зробити висновок про місію, активність і прозорість діяльності БО.\nФактична інформація про фонд\n1. Історія фонду.\n2. Імена та прізвища осіб, пов’язаних із фондом:\n– членів Наглядової ради або члени Правління фонду;\n– персоналу фонду.\n– фактична адреса офісу;\n– прямий контакт фонду;\n– прямі контакти співробітників/керівників.\n4. Юридична складова:\n– затверджений статут фонду;\n– протоколи засідань Наглядової ради або інших керівних органів.\n5. Зміст роботи фонду:\n– місія фонду та цілі, напрямки допомоги;\n– наявність стратегії діяльності фонду на найближчі 3 роки (план проектів, показники успішності діяльності фонду);\n– інформація про спосіб залучення коштів;\n– перелік партнерів фонду (підрядники / фонди, з якими виконується спільне фінансування / донори / інформаційні партнери);\n– список волонтерів фонду.\n6. Фінансова звітність:\n– податкова звітність;\n– фінансова звітність;\n– інформація про суми надхожень за певний період;\n– загальні бюджети проектів (скільки витрачено за напрямом);\n– бюджети втілених проектів з розбивкою по статтях витрат та цінами закупівель\n7. Описова звітність:\n– підтвердження втілених проектів (фото-відео звіти / відгуки бенефіціарів / партнерів);\n– звіти про акти передачі допомоги (обладнання, покупки, тощо).\n8. Прозорість переведення грошових коштів: інформація про банківські реквізити отримувача.\nНовини та інформація про діяльність: останні новини свіжіші за 3 місяці.\n9. Навігація сайту:\n– англійська версія сайту;\n– внутрішній пошук на сайті;\n– сервіс для зворотнього зв’язку;\n– можливість коментувати новини / матеріали.\nДетальний опис критеріїв допоможе зрозуміти, що потрібно змінити для більш зручного користування сайтом і прозорішої роботи фонду


mini van de graaff - це шокуюча іграшка на столі\nМіні Ван Де Граафф - це шокуюча іграшка на столі\nГенератор Ван Де Графф - це пристрій, здатний генерувати потенційно мільйони вольт електроенергії, яку ви можете побудувати в другій половині дня, ймовірно, з частин, які ви отримали у відро для сміття. Це не факт, який ухилявся від сповіщень про хакерів десятиліттями, і, відповідно, ми бачили кілька побудов Ван Де Граафа протягом багатьох років. Так само є хакер високої напруги (Джей Боулз), але він все ще думав, що може принести щось нове на стіл.\nОсновна увага в його останньому складі полягала не лише у створенні однієї з найбільш відшліфованих та професійних версій цього поважного обладнання високовольтного обладнання, а й зробити його доступним для інших, зберігаючи дизайн простий та доступний. Кінцевим результатом є генератор Van De Graaff потужністю 40 000 вольт, що живиться від двох батарей типу АА і може вміщуватися в долоні.\nПростіше кажучи, генератор Van De Graaff створює статичну електрику від тертя двох металевих гребінців, що протираються рухомим поясом, який відомий як трибоелектричний ефект. Пояс натягується між двома гребінцями і проходить через ізольовану трубку, яка служить для перекачування електронів з однієї сторони на іншу. Кінцевим результатом є те, що масивний заряд накопичується на позитивній стороні генератора Ван Де Грааффа, який надто охоче відправляє іскру, що стріляє в бік того, що негативно заряджений об'єкт стає достатньо близьким.\nВідео після перерви веде глядачів у процесі перетворення цього принципу в практичний пристрій, що ілюструє, наскільки надзвичайно простий він насправді. Для прискорення пояса використовується звичайний мотор хобі, в цьому випадку - просто широка гумка, а решта компонентів легко збираються або виготовляються. Навіть для того, що, напевно, є найскладнішим елементом складання, самі гребінці (Джей) не використовують нічого більш екзотичного, ніж стрічка з алюмінієвої фольги та шматок дротяного дроту.\nУ поєднанні з акриловою основою та спеціально виготовленою металевою сферою (замість того, щоб використовувати содову балончику чи інший утилізований предмет), остаточний результат не лише створює здорові іскри, але й виглядає добре. Хоча, якщо остаточна обробка та обробка не важлива, завжди можна створити один із речей, які ви знайшли у кошику.\nБлок живлення, який є більш універсальним, ніж більшість\nВідливання смоли без міхура з модифікованим баком для фарби\nКосарка для бордюру отримує електричну пересадку\nВсередині механічні калькулятори\nПромисловий показник робить рух від PLC до FPGA


Маршрутка для багатих: в Україні продають розкішний Mercedes Sprinter за $ 200 тисяч – MMR — Motor Media Review\nДля багатьох українців Мерседес “Спринтер” є, перш за все, маршрутка. Але насправді ця модель може виконувати зовсім іншу функцію. Зокрема, мова йде про використання Mercedes Sprinter як пересувний офіс або міні-будинок на колесах. І днями в Україні виставили на продаж один з таких варіантів “Спринтера”, пише topgir.com.ua.\nТак, в Луцьку продають досить звичайний на вигляд Mercedes-Benz Sprinter 324 2013 року, який за облаштуванням салону може дати фору навіть “Майбаху”. Біла шкіра, бар, телевізори, ліжко, панорамний дах, холодильник – все це і не тільки є в мікроавтобусі, за який продавець просить 200 тисяч доларів.\nВідзначимо, в Німеччині і Європі взагалі такі мобільні офіси вельми популярні. Там є десятки ательє, що готові перетворити «маршрутки» в пересувні царства розкоші і комфорту. В Україні ж, по суті, є тільки одна контора – «Аверс Центр» – яка робить офіси на колесах не гірше за зарубіжні аналоги.


Дональд Трамп-молодший захворів на Covid-19, - Новини світ - 112 Україна\nУ сина Трампа виявили коронавірус\nНезважаючи на відсутність симптомів, він пішов на самоізоляцію\nСтарший син президента США Дональд Трамп-молодший захворів коронавірусом. Про це повідомляє АВС.\nВідзначається, що Трамп-молодший пішов на самоізоляцію. Його представник повідомив, що у сина президента відсутні симптоми цього захворювання.\n"На початку тижня у Дона був позитивний результат, і з тих пір він знаходиться на карантині у себе вдома. До цих пір він був повністю безсимптомний, він слідує всім медичним рекомендаціям щодо Covid-19", - сказав представник Трампа-молодшого.\nНовини за темою: Один із тестів Арахамії на коронавірус дав позитивний результат\nНагадаємо, на початку жовтня президент США Дональд Трамп і його дружина Меланія інфікувалися коронавірусом. У лікарні він пробув 72 години, після повернувся до Білого дому.\nНезабаром більше 130 співробітників Секретної служби США, яка відповідає за охорону вищого керівництва країни і президента Дональда Трампа, заразилися коронавірусом або були в тісному контакті з інфікованими колегами. Зазначалося, що спалах став наслідком масштабних передвиборчих мітингів Трампа і його поїздок по країні. Для його безпеки на кожному заході були задіяні десятки співробітників Секретної служби.\n#коронавірус #епідемія коронавірусу #коронавірус карантин #Дональд Трамп-молодший\nМаску, яка здатна розпізнавати симптоми коронавірусу, винайшли школярі у Дніпрі 10:30 02.12.2020\nВ Одеській лікарні не встигають прибирати тіла померлих від коронавірусу 19:19 03.12.2020\nВсі гроші держави повинні були бути кинуті на те, щоб утримати медперсонал, - Тодуров 20:58 04.12.2020\nТрамп хоче оголосити амністію членам своєї сім'ї заздалегідь\nМаску, яка здатна розпізнавати симптоми коронавірусу, винайшли школярі у Дніпрі\nВ Одеській лікарні не встигають прибирати тіла померлих від коронавірусу


багатство усі новини | Коректно\nЯкщо у вас залишилася радянська швейна машинка, тоді ви багата людина\n24.11.2019 24.11.2019 в 13:02\nЗараз ми розповімо вам що особливого в цих радянських швейних машинках! Антиквари божеволіють! Впевнена, багато хто з вас пам’ятають стару бабусину машинку. На якій підшивали штори, шили сукні і вбрання, …\nМітки: антиквар, багатство, швейна машинка\n08.03.2019 07.03.2019 в 12:10\nЇхні будинки були зовсім поряд, варто було дорогу перейти. Мирослава жила у «хрущівці», Віра – у «панельці». У школі дівчата сиділи за однією партою і, як жартували однокласники, були вічними …\nМітки: багатство, дитбудинок, дитина


Коронавірус новини – Як боротися з головним синдромом після COVID-19 - Главред\nЛікар назвав головний синдром після COVID-19: як з ним боротися\n8 грудня 2020, 20:06\nМедик дав прості рекомендації для поліпшення стану здоров'я.\nПісля коронавірусу потрібно поступово боротися з втомою, порадив лікар / Reuters\nГенсекретар італійської Федерації лікарів загальної практики Сильвестро Скотті повідомив, що у людей, які побороли коронавірус COVID-19, головним синдромом є втома.\nЗ втомою варто починати боротися ще під час самоізоляції, і потрібно діяти поступово, розповів медик РИА Новости.\nЕксперт додав, що втому може провокувати віддалена робота, сидячий спосіб життя й емоційний спад.\nЯк боротися з втомою після коронавірусу – рекомендації лікаря:\nРобити 4-5 тисяч кроків;\nХоча б 25 хвилин займатися на велотренажері.\n"...Головне – не зупинятися на почутті втоми й стомлення", – зазначив медик.\nКоронавірус – наслідки для організму\nРосійський лікар, заввідділу сомнології у Національному медичному дослідницькому центрі оториноларингології Олександр Мельников сказав, що після коронавірусу може знижуватися сила м'язів.\nМедик попереджав, що COVID-19 здатен провокувати ураження нервової системи, через вірус можливий параліч та інсульт.\nЗараз ви переглядаєте новину «Лікар назвав головний синдром після COVID-19: як з ним боротися». Інші новини коронавіруса читайте в розділі «Коронавірус». Якщо ви знайшли помилку, видiлiть її мишкою та натисніть Ctrl + Enter. Якщо ви знайшли помилку, видiлiть її мишкою та натисніть Ctrl + Enter


ЗМІ: арбітражним судам Криму дозволять приймати документи українською мовою\n17 Грудень 2014, 21:41\nПрофільний комітет Держдуми Росії з конституційного законодавства і державного будівництва 17 грудня рекомендував ухвалити у другому читанні поправки до закону «Про прийняття Криму до складу Росії», який стосується спрощеної процедури прийому документів до судів анексованого Криму.\nЯк повідомляє РБК, проект закону підготував голова цього комітету Володимир Плигин, а також депутати Дмитро Вяткин і В'ячеслав Лисаков. На думку авторів проекту, спрощена процедура прийому документів повинна поширитися на господарські суди Криму і Севастополя, а також Арбітражний суд Криму та Арбітражний суд міста Севастополя і стосуватиметься лише української мови.\nЯк випливає з поправок, якщо у сторін, що беруть участь у справі, немає заперечень з приводу тексту документу та його перекладу, то суд має право залучити його до справи без завіреного нотаріального перекладу. Але стосуватися спрощена процедура буде тільки тих документів, які складалися на території Криму до його анексії Росією, – наголошується в законі.\nНа засіданні комітету поправка викликала суперечки й протести, – пише видання. На думку опонентів авторів законопроекту, вони створюють «небезпечний прецедент».


Пілінг ніг в домашніх умовах: носочки для педикюру | Психология отношений\n« Фасадне скління — ваш новий імідж в короткі терміни\nПідбирати шпроси до вікон »\nПілінг ніг в домашніх умовах: носочки для педикюру\nАвтор Noronk | 17.08.2016 - 21:48 | Другое\nНаближається літо, час відкритого одягу і босоніжок. А значить, вже настав час подбати про зовнішній вигляд своїх ніг. Це можна здійснити, звернувшись до фахівців, або зробити педикюр своїми силами. Однак, якщо апаратний педикюр в салоні обійдеться вам в певну суму, то домашні засоби зажадають в рази менше витрат.\nПілінг ніг в домашніх условіяхСамое популярне і доступний засіб для очищення шкіри стоп в домашніх умовах — це пемза. Цей варіант знаком всім, абсолютно не вимагає грошових витрат, а займе лише трохи часу і терпіння. До недоліку можна віднести «задирки», що з’являються на шкірі після процедури.\nЩе один спосіб привести ноги в порядок — це так звані носочки для пілінгу. Основними виробниками «шкарпеток», які можна зустріти в продажу, є Японія, Корея, Китай і Росія. Упаковка «шкарпеток для педикюру» комплектується поліетиленовими носочками і рідким засобом, яке при використанні додають в кожен носочек. Активними компонентами рідкого пілінгу є кислоти рослинного походження.\nНосочки для педикюру дуже прості в застосуванні: необхідно їх одягнути, вилити рідке засіб для пілінгу, почекати зазначений час і промити ноги водою. Через кілька днів (зазвичай 3-5) шкіра на стопах починає лущитися, а через 7-14 днів процес завершиться. У результаті вийдуть м’які, гладкі стопи, без «задирок» від пемзи. Стопи ніжні, як у новонародженого. Майже всі виробники дають своїм «шкарпеточок» назва «BABYFOOT», що означає «дитячі ніжки». Замовити ці носочки можна тут: nosochki.biz.ua.\nВарто відзначити і недоліки даного методу, а до них належать наявність у складі агресивних кислот, завдяки яким і відбувається пілінг, відшарування грубої шкіри, натоптишів і мозолів. Тому не рекомендується використовувати «носочки» частіше, ніж раз в два місяці, а так само якщо на ногах є пошкоджені ділянки шкіри. Варто зазначити, що у кожного виробника концентрація кислот різна, і дія шкарпеток відповідно може бути слабкіше або сильніше.\nПридбати «носочки для педикюру» можна в торгових центрах або замовити в інтернет-магазині. Ціни коливаються від 100 до 800 рублів залежно від виробника.


Без призів, але з грамотами: 250 дітей змагалися в луцькому парку. ФОТО | ВолиньPost\nЗ нагоди Всесвітнього дня туризму у Луцьку відбулись спортивні змагання серед молоді. Більше 250 учасників взяли участь у цих заходах.\nЗмагання відбулись у середу, 27 вересня, у Центральному парку імені Лесі Українки. Учасники турніру були різні - від школярів до студентів.\nЗавідуюча інформаційним відділом Волинського обласного центру туризму Ольга Яцюк розповідає, що їхній центр щорічно влаштовує такі спортивні заходи.\n«27 вересня ми відзначаємо Всесвітній день туризму. Щорічно Волинський обласний центр туризму, разом із міським центром туризму, для дітей та мололді організовує в парку свято спорту та туризму. Тут облаштовані невеличкі смуги перешкод, легкі, щоб кожна дитина змогла їх подолати. Також тут є дистанції із спортивного орієнтування, де діти здобувають навички орієнтування на місцевості», - розповіла Ольга Яцюк\n«Сьогодні у нас понад 250 учасників на змаганнях. Це діти не лише з Луцька, але й з області. На початку року центр туризму проводить набір в свої гуртки. Ми маємо свої філії в районах та містах області. Тож діток в нас вистачає. Вони завжди приходять на заходи, що ми організовуємо. Але діти, які просо гуляють з батьками в парку, при бажанні також можуть долучитись», - додала вона.\nДо слова, переможців спортивних змагань нагородять грамотами. На призи у центру немає коштів.\n«Раніше, коли в нас було краще фінансування, то ми роздавали шоколадки, солодкі призи. А зараз дипломи та грамоти обласного центру туризму», - розповіла Ольга Яцюк.\nТеги: центр туризму, спорт, спортивні змагання


Стартап отримав нагороду в розмірі 30 тисяч злотих\nПід час конференції Kyiv Tech Hub у рамках фіналу менторської програми Polish-Ukrainian Startup Bridge (PUSB) було обрано три стартапи-переможці з усієї України.\nПерше місце посів проект Elomia, який надає психологічну підтримку та допомагає у розв’язанні життєвих проблем. Стартап отримав нагороду у розмірі 30 тис. злотих.\nЗасновник проекту Тарас Погребняк із Харкова. Разом з командою психологів він створив чат-бота — своєрідного віртуального психолога. Його метою є допомога впоратись із депресією онлайн. Чат-бот на ім’я Elomia замінює психолога для людей, які потребують психологічної підтримки, але з тих або інших причин не можуть отримати своєчасну допомогу.\nДруге та третє місце отримали RE-leaf PAPER і Caretech.Human відповідно. Кожен з них отримав по 10 тис. злотих для подальшого розвитку своїх бізнес-ідей.\nRE-leaf PAPER — стартап з виробництва віскози з подрібненого опалого листя, яка може бути використана для виготовлення паперу. На думку засновника Валентина Фречки, такий папір може знайти широке застосування у продукції пакування для яєць, одноразового посуду, носових хусток чи, для прикладу, туалетного паперу.\nCaretech.Human — інноваційне IoT рішення для безперервного автоматичного моніторингу здоров’я та виявлення хвороб на самих ранніх стадіях в домашніх умоваx. В основі — унікальні сенсорні технології, що разом із математичними алгоритмами та штучним інтелектом (AI), зробили можливим детектувати мінімальні концентрації небезпечних маркерів.\nKyiv Tech Hub — це підсумкова конференція, організована в рамках програми Polish-Ukrainian Startup Bridge, що реалізується фундацією “Фонд Співпраці” спільно з Міністерством Фондів та Регіональної Політики Польщі.\nПід час регіональних зустрічей в різних містах на території України визначають найкращі бізнес-ідеї, проводять преакселерацї з відібраними проектами в онлайн-форматі з досвідченими експертами PUSB, та надають кращим прямі контакти з представниками польських інвестиційних фондів.\nНагадаємо, RE-leaf PAPER, що переробляє папір з опалого листя, випустив першу промислову партію паперу об’ємом 1,5 тонни.\nЯк відомо, український стартап Raccoon.World, який допомагає людям відновлюватися після травм і неврологічних захворювань, залучив €900 тис. ($1,062 млн) інвестицій.


Дипломная работа: Діоди - BestReferat.ru\nДипломная работа: Діоди\nТип: дипломная работа Добавлен 20:41:44 21 июня 2008 Похожие работы\nУ роботі розглянуто напівпровідникові діодні перемикачі струму для потужньоїнаносекундної імпульсної техніки. Особливу увагу приділено дрейфовим діодам із різким відновленням ДДРВ та SOS– діодам. Перший тип діодів був запропонований і розроблений у Фізико-технічному інституті ім. А. Ф. Іоффе РАН, другий в Інституті електрофізики УрВ РАН. За допомогою ДДРВвдаєтьсяперемикати потужність до сотень мегаватів за наносекунду при щільності струму порядку 102 А/см2 . SOS– діоди дозволяютьперемикати потужності в кілька гігават за такі ж короткі часи при щільності струмубільше 103 А/см2 . Ще одною позитивною рисою таких напівпровідникових пристроїв є їх великий строк роботи.\nПроцес виникнення вільних електронів і дірок, обумовлений розривом ковалентних зв'язків, називається тепловою генерацією носіїв заряду. Його характеризують швидкістю генерації G , щовизначає кількість парносіїв заряду, що виникають в одиницю часу в одиниці об'єму напівпровідника. Швидкість генерації тим більше, чим вище температура й чим менша енергія, яка затрачується на розрив ковалентних зв'язків. Утворені в результаті генерації електрони й дірки, перебуваючи в стані хаотичного теплового руху, через деякий час, середнє значення якого називається часом життя носіїв заряду, зустрічаються один з одним, у результаті чого відбувається відновлення ковалентних зв'язків. Цей процес називається рекомбінацією носіїв заряду й характеризується швидкістю рекомбінації R , що визначає кількість пар носіїв заряду, що зникають в одиницю часу в одиниці об'єму. Добуток швидкості генерації на час життя носіїв заряду визначає їхню концентрацію, тобто кількість електронів і дірок в одиниці об'єму. При незмінній температурі генераційно – рекомбінаційні процеси перебувають у динамічній рівновазі, тобто в одиницю часу народжується й зникає однакова кількість носіїв заряду (R=G). Ця умова називається законом рівноваги мас. Стан напівпровідника, коли R=G , називається рівноважним; у цьому стані у власному напівпровіднику встановлюються рівноважні концентрації електронів і дірок, які позначаютьni йpi . Оскільки електрони й дірки генеруються парами, то виконується умова: ni =pi . При цьому напівпровідник залишається електрично нейтральним, тому що сумарний негативний заряд електронів компенсується сумарним позитивним зарядом дірок. Ця умова називається законом нейтральності заряду. Для знаходження концентрації носіїв струму запропонована формула:\nПри кімнатній температурі в кремнії ni =pi = 1, 4·1010 см -3 , а в германії ni =pi =2,5·1013 см-3 . Різниця в концентраціях пояснюється тим, що для розриву ковалентних зв’язків в кремнію потрібно більше витратити енергії, чим в германію. Із ростом температури, концентрація електронів та дірок зростає по експоненційному закону, що видно із (1.1.)\nЕлектронним напівпровідником або напівпровідником типу n ( від латинського negative - негативний) називається напівпровідник, у кристалічній решітці якого крім основних (чотирьохвалентних) атомів утримуються домішкові п’ятивалентні атоми, які називають донорами . У такій кристалічній решітцічотири валентних електрони домішкового атома зайняті в ковалентних зв'язках, а п'ятий (“зайвий”) електрон не може вступити в нормальний ковалентний зв'язок і легко відокремлюється від домішкового атома, стаючи вільним носієм заряду. При цьому домішковий атом перетворюється в позитивний іон. При кімнатній температурі практично всі домішкові атоми виявляються іонізованими. Поряд з іонізацією домішкових атомів в електронному напівпровіднику відбувається теплова генерація, у результаті якої утворюються вільні електрони й дірки, однак концентрація виникаючих у результаті генерації електронів і дірок значно менша за концентрацію вільних електронів, що утворяться при іонізації домішкових атомів, тому що енергія, необхідна для розриву ковалентних зв'язків, істотно більша енергії, затрачуваної на іонізацію домішкових атомів. Концентрація електронів в електронному напівпровіднику позначається nn , а концентрація дірок - pn . Електрони в цьому випадку є основними носіями заряду, а дірки - неосновними.\nДірковим напівпровідником або напівпровідником типу p ( від латинського positive - позитивний) називається напівпровідник, у кристалічній решітці якого (рис. 1.4) утримуються домішкові тривалентні атоми, які називають акцепторами . У такій кристалічній решітці один з ковалентних зв'язківзалишаєтьсянезаповненим. Вільний зв'язок домішкового атома може заповнити електрон, щопокинув один із сусідніх зв'язків. При цьому домішковий атом перетворюється в негативний іон, а на тому місці, звідки пішов електрон, виникає дірка. У дірковому напівпровіднику, також як й в електронному, відбувається теплова генерація носіїв заряду, але їхня концентрація в багато разів менша за концентрацію дірок, що утворюються в результаті іонізації акцепторів. Концентрація дірок у дірковому напівпровіднику позначаєтьсяpp , вони є основними носіями заряду, а концентрація електронів позначається np , вони є неосновними носіями заряду.\nВідповідно до постулатів квантової фізики електрони в атомі можуть приймати строго визначені значення енергії або, як говорять, займатипевні енергетичні рівні. При цьому, відповідно до принципу Паулі, у тому самому енергетичному стані не можуть перебувати одночасно не більше чим два електрони із протилежними спінами. Тверде тіло, якимє напівпровідниковий кристал, складається з безлічі атомів, які взаємодіють один з одним, завдяки малим міжатомним відстаням. Тому замість сукупності дозволених дискретних енергетичних рівнів, властивих окремому атому, тверде тіло характеризується сукупністю дозволених енергетичних зон, щоскладаються з великого числа близько розташованих енергетичних рівнів. Дозволені енергетичні зони розділені інтервалами енергій, якими електрони не можуть володіти і які називаються забороненими зонами. При температурі абсолютного нуля електрони заповнюють кілька нижніх енергетичних зон. Верхня із заповнених електронами дозволених зон називається валентною зоною, а наступна за нею незаповнена зона називається зоною провідності . У напівпровідників валентна зона й зона провідності розділені забороненою зоною. При нагріванні речовини електронам надається додаткова енергія й вони переходять із енергетичних рівнів валентної зони на більше високі енергетичні рівні зони провідності. У провідникахдля здійснення таких переходів потрібна незначна енергія, тому провідники характеризуються високою концентрацією вільних електронів (порядку 1022 см-3 ). У напівпровідниках для того, щоб електрони змогли перейти з валентної зони в зону провідності, їм повинна бути надана енергія не менша за ширину забороненої зони. Це і є та енергія , що необхідна для розриву ковалентних зв'язків. Енергетичні діаграми власного електронного й діркового напівпровідників, на яких за допомогою EC позначена нижня границя зони провідності, а через EV – верхня границя валентної зони. Ширина забороненої зони ΔEз = Ec - Ev . У кремнію вона дорівнює 1,1 еВ, у германію - 0,7 еВ.\nЗ погляду зонної теорії під генерацією вільних носіїв заряду слід розуміти перехід електронів з валентної зони в зону провідності (мал. 1.5,а). У результаті таких переходів у валентній зоні з'являються вільні енергетичні рівні, відсутність електронів на яких слід трактувати як наявність на них фіктивних зарядів - дірок. Перехід електронів із зони провідності у валентну зону слід трактувати як рекомбінацію рухомих носіїв заряду. Чим ширша заборонена зона, тим менше електронів здатно перейти через неї. Цим пояснюєтьсябільше висока концентрація електронів і дірок у германію в порівнянні із кремнієм. В електронному напівпровіднику (рис. 1.5,б) за рахунок наявності п’ятивалентних домішок у межах забороненої зони поблизу дна зони провідності з'являються дозволені рівні енергії ED . Оскільки один домішковий атом припадає приблизно на 106 атомів основної речовини, то домішкові атоми практично не взаємодіють один з одним. Тому домішкові рівні не утворюють енергетичну зону і їх зображують як один локальний енергетичний рівень ЕD , на якому перебувають "зайві" електрони домішкових атомів, не зайняті в ковалентні зв’язках. Енергетичний інтервал ΔEи = Ec -ED називається енергією іонізації. Величина цієї енергії для різнихп’ятивалентних домішок лежить у межах від 0,01 до 0,05 еВ, тому "зайві" електрони легко переходять у зону провідності.\nУ дірковому напівпровідникувведення тривалентних домішок веде до появи дозволених рівнів ЕA (pис.1.5, в), які заповнюються електронами, що переходять на нього з валентної зони, у результаті чого утворюються дірки. Перехід електронів з валентної зони в зону провідності вимагає більших витрат енергії, чим перехід на рівні акцепторів, тому концентрація електронів n p виявляється менше концентрації n i , а концентрацію дыpокp p можна вважати приблизно рівною концентрації акцепторів NA.\nВ основі більшості напівпровідникових діодів і транзисторів лежить контакт двох напівпровідників з різним типом електропровідності. Такий контакт називають електронно-дірковим переходом або p-n-переходом. Він може бути отриманий, наприклад, шляхом дифузії донорноїдомішки в напівпровідник p-типу. Структура p-n -переходу зображена на рис. 1.6,а. Включений в електричний ланцюг p-n -перехід має однобічну провідність, тобто йоговольтамперна характеристика нелінійна. Будемо вважати, що концентрація легуючої домішки в областяхn- і p- типу розподілена рівномірно, причому концентрація донорноїдомішки ND в n -напівпровіднику значно більша, ніж концентрація акцепторної домішки NA в p - напівпровіднику (ND >>NA ). Назвемо n -область із більшою концентрацією домішки емітером, а p -область із меншою концентрацією домішки базою. Це допущення дозволяє вважати, що повнийструм через p-n -перехід визначається переважно електронною складовою. Діркова складова струму через p-n -перехід мала й нею можна знехтувати. Можна вважати, що зовнішні контакти до структури ( вони по своїй природі повинні мати двосторонню провідність із дуже малим опором ) вилучені від контакту на відстань, що значно перевищує дифузійну довжину електронів Ln у базі й дірок Lp в емітері. Коефіцієнт дифузії електронів в напівпровіднику можна визначити за допомогою формули:\nЦе допущення дозволяє вважати, що p-n- перехід локалізований поблизу границі x0 . Позначимо границіp-n -переходу через xn й xp . Розподіл концентрації електронів уздовж осі x. Оскільки концентрація електронів в n -напівпровіднику nn (основні носії заряду) значно перевищує концентрацію електронів в p -напівпровіднику np (неосновні носії заряду), то в площині контакту виникає дифузія електронів з n -області в p -область. Аналогічні міркування приводять до дифузії дірок з p -області в n -область. У такий спосіб через p-n -перехід протікають дифузійні потоки основних носіїв заряду. Ідучи з напівпровідника n- типу, електрони залишають у приконтактнійобластіn -напівпровідника нескомпенсований позитивний нерухомий заряд іонів донорів QD +. Аналогічно в приконтактнойобластіp -напівпровідника з'являється рівний по величині нескомпенсований негативний нерухомий заряд іонів акцепторів QA -. У такий спосіб в області контакту з'являється електричне поле локалізоване поблизу границі x0 . Будемо характеризувати його контактною різницею потенціалів φK0 . Утворене поле перешкоджає руху основних носіїв через перехід й є причиною появи зустрічного дрейфового руху електронів з p -області в n -область. Таким чином, потоки неосновних носіїв заряду по своїй природі є дрейфовими. При зростанні концентрації легуючих домішок ND й NA контактна різниця потенціалів зростає , а ширина p-n -переходу зменшується. Необхідно відзначити, що областьp-n -переходу збіднена рухомими носіями заряду, тому що будь-який виникший у цій області або потрапивший в неїрухомий заряд виштовхується з області переходу електричним полем. Тому опір p-n -переходу значно вище, ніж опір n - і p - областей. Для основних носіїв заряду це поле створює потенційний бар'єр, а, отже, величина потоку основних носіїв заряду через перехід залежить від величин цього бар'єра. Для неосновних носіїв заряду поле в переході створює потенційну яму, а, отже, потік неосновних носіїв заряду не буде залежати від глибини потенційної ями: всі електрони (неосновні носії), що з'явилися в краю потенційної ями, упадуть у неї. Поле в p-n -переході можна змінити шляхом подачі на структуру зовнішньої напруги. Якщо полярність зовнішньої напруги спрямована проти поля в переході, то гальмуюче для основних носіїв заряду поле в переході ( або потенційний бар'єр), зменшується, і потік основних носіїв заряду через p-n- перехід збільшується й значно перевищує існуючий потік неосновних носіїв. Таканапруга на p-n -переході називається прямою. При прямій напрузі прямий струмвизначається потоком основних носіїв заряду й при прямому струмі nn >> pp , то дірковою складовою прямого струму можна знехтувати. При зворотній напрузі зворотний струмвизначається потоком неосновних носіїв заряду; оскільки pp >>nn .\nЗі збільшенням зворотної напруги зворотний струм також росте, але повільніше, ніж з підвищенням температури. Лише при подачі зворотної напруги, більше нормованої, відбувається різке його збільшення, що може привести до пробою p – n -переходу.\nНа стадії лабораторних експериментів ця проблема звичайно вирішується за допомогою плазмових розмикачів знано- і мікросекундним накачуванням, інжекційних тиратронів. Однак для реального застосування, особливо в області промислових технологій, така елементна база не може бути використана - в основному через малий термін служби розмикачів, нестабільності спрацьовування й неможливості їхнього використання в періодично.\nЗі звичайних приладів, що випускаються промисловістю, розмикання струму за час порядку 10 нс може бути здійснене в спеціальних типах польових транзисторів. Такий транзистор являє собою, по суті, силову інтегральну схему із сотень тисяч паралельно працюючих мікротранзисторів з розміром 10-15 мкм. Робочанапругаприладу кілька сотень вольт, струм десятки ампер, і для створення імпульсу потужністю, скажемо, 50 МВт розмикач повинен складатися з 104 транзисторів. Через очевидну складність і високу вартість таких систем питання про їхнє створення навіть не обговорювалося.\nНайпростішим напівпровідниковим розмикачем струмуєзвичайний діод. При проходженні через нього струму в провідному напрямкуслабколегованап -база заповнюється електронно-дірковою плазмою внаслідок інжекції електронів і дірок через потенційні бар'єри п+ п - і р+ п -переходів. Потім через діод пропускається імпульс зворотного струму(мінус на р+ - контакті), при цьому дірки із плазми витягаються зовнішнім полем через р+ -, а електрони - через п+ -контакти. Поки концентрація дірок поблизу р+ п -переходу перевищує рівноважну, через діод протікає постійний струм, що обмежується опором навантаження - це фаза високої зворотної провідності (ВЗП).\nПотім починає формуватися область об'ємного заряду (ООЗ), границя якої зміщується від р+ п -перехода в п -базу, напруга на приладі зростає, а струм у ланцюзі зменшується - це фаза відновлення зворотного опору (ВЗО). Проблема, по суті, полягає в тім, як зробити цей процес досить швидким.\nВпершесубнаносекундний напівпровідниковий розмикач був створений ще в 50-х роках минулого століття - це був так званий діод з нагромадженням заряду (ДНЗ). Конструктивно цей прилад надзвичайно простий: у пластині кремнію п- типупровідності, завдяки дифузії боруз поверхні, створюється р+ п -переход і базова область із різким градієнтом концентрації, тобто із сильним вбудованим електричним полем. При протіканні прямого струму інжектовані цим переходом дірки при малому рівні інжекції гальмуються вбудованим полем поблизу інжектора. Потім через діод пропускається швидко наростаючий імпульс зворотного струму, накопичені дірки майже повністю виводяться на стадії високої зворотної провідності, після чого струм через діод різко, за , обривається, переходячи на підключене паралельно діоду навантаження. ДНЗ, безумовно, гранично простий розмикач із дуже гарною швидкодією, але напруга лавинного пробою такогор+ п -переходуз високолегованою базою лежить у межах 10-50 В, а робочий струмстановить сотні міліамперів, чого недостатньо для створення генераторів потужних високовольтних імпульсів.\nЗагалом кажучи, самий звичайний потужний високовольтний напівпровідниковий діод теж є розмикачемструму при перемиканні із прямого на зворотний струм, причому розмикає потужність, що для одиничного приладу може бути дуже великою, порядку мегавата, але у звичайних умовах тривалість процесу розмикання лежить не в нано-, а в мікросекундному діапазоні. Фізика цього процесу в умовах високої густини зворотного струму була детально розглянута в роботах фізиків ще в 1967 р., і хоча нагромадження електронно-діркової плазми в п -базер+ пп+ - структури при прямому струмі розраховувалося без врахування всіх нелінійних ефектів, а процес відновленняр+ п -переходу при протіканні великого зворотногоструму розраховувався з рядом нереальних наближень (сталість у часі зворотного струму, незалежність рухливості носіїв від поля й др.), основні фізичні особливості процесу були визначені дуже чітко[3,4]. Насамперед, було показано, що спад до рівноважного значення концентрації носіїву блокуючогор+ п -переходу й початок формування там області об'ємного заряду не приводить до різкого спаду зворотнього струму, якщо на границіООЗ є область, заповнена електронно-дірковою плазмою; характер спаду зворотного струму контролюється процесами "розсмоктування" плазми саме в цій області. Розрахункова форма розподілу плазми при високому рівні інжекції в п -базекремнієвоїр+ пп+ - структури при протіканні прямого струму і потім зворотного струму при співвідношенні показано. Видно, що плазмовий "резервуар" на границіООЗ (ліва частина структури) існує тривалий час, визначаючи повільний спад зворотного струму й затягуючи процес вимикання. Несиметричність розподілу плазми при протіканні прямого струму й більша швидкість процесу відновленняв лівої границі, в бік якої витягуються зовнішнім полем дірки, пов'язані з тим, що в кремнії рухливість дірок втроє менша рухливості електронів, .\nПоказано форму розподілу електронно-діркової плазми в п -базікремнієвоїр+ пп+ - структури при протіканні постійного прямого струму ( t = 0) і потім при протіканні зворотного струму . Товщина п -базыd , дорівнює амбіполярній дифузійній довжині , де Dn - коефіцієнт амбвполярної дифузії, τ час життя носіїв у п -базі при високому рівні інжекції; п — середня концентрація плазми.\nСхематичне зображення розподілу носіїв й утворенняплазмових фронтів у п- базіз товщиною Wп при протіканні великого зворотного струму у р+ пп+ - структурі наведено нам на рис. 2.2. ООЗ - область об'ємного заряду. Нам показана також спрощена картина рухуплазмових фронтів при протіканні зворотного струму після появи ООЗ. Фронти тут вважаються різкими, а концентрація плазми - постійною по координаті. Звичайно середня концентрація п плазми досить велика(1016 -1017 см-3 і час релаксації порушення нейтральності в ній малий (10-12 с), тому процеси виносу дірок вліво й електронів вправо жорстко взаємозалежні. Було показано, що в цих умовах швидкість руху лівої границі описується формулою 2.1:\nі в кремнієвому діоді, де , ліва границярухається втроє швидше. Якщо щільність зворотного струму , де - концентрація рівноважних електронів у п -базе, а - їхня насичена швидкість, то поле в ООЗ праворуч і ліворуч контролюється зарядом рухомих носіїв, тобто залежить від щільності струму.\nЦілеспрямована робота зі створення потужногодіодногонаносекундного розмикача була розпочата на початку 80-х років минулого століття у Фізико-технічному інституті ім. А.Ф. Іоффе РАН (ФТІ РАН). Поштовхом послужили результати роботи , у якій досліджувалася можливість створення високовольтногосилового діода із накопиченням заряду і було показано, що тривалість фази ВЗП збільшується, а фази ВЗО зменшується до величини менше 0,1 мкс у міру збільшення глибини залягання дифузійногор+ п -переходу.\nЗалежність tвзо (1, 2) і tвзп (3, 4) від глибини залягання рп -переходахр . Параметри діодів: питомий опір бази 50 Ом/см, товщина бази 100 мкм, час життя носіївтр = 20 мкс. Тут слід зазначити, що діоди в цій роботі були створені за технологією для силового напівпровідникового приладобудування. Основною особливістю технології є те, що глибокі р+ п -переходи виготовляються за допомогою спільної дифузії в повітряномусередовищібору й алюмінію з їхніх оксидів. Поверхнева концентрація А1 у цьому процесі має строго визначену величину(5-7)·1016 см-3 , і тому дифузійний шарскладається із двох областей: сильно легованої(~ 1019 см-3 ) "борної" р+ -області глибиною 10-20 мкм і протяжної (80-120 мкм), відносно слабко легованої "алюмінієвої" області із плавно зменшуваним градієнтом концентрації домішки. Шоклі-рідовський час життя неосновних носіїв tп у цій області зменшується зростомконцентрації основних носіїв р і описується формулою (3.1):\nЗначення часу життя рівне порядку десятка мікросекунд. Тому при протіканні прямого струму через такийр+ рпп+ - діод р -областьвиявляється "залитою" електронно-дірковою плазмою. При перемиканні відбувається швидке зменшення концентрації плазми вр+ р -переході, однак, на відміну від ситуації з різким р+ п -переходом, це не приводить до утворенняООЗ, оскільки в проведенніструму беруть участь основні носії р -шару. Плазмовий фронт переміщається по р -шару в бік рп -переходу, і лише при наближенні до нього цього фронту починає формуватися ООЗ і зменшуватися зворотній струм. Таким чином, збільшення глибини р+ рп -переходу приводить до збільшення тривалості фази ВЗП і зменшенню тривалості ВЗО, оскільки до моменту утворенняООЗ значна частина заряду виявляєтьсявиведеною з діода. Саме така конструкція р+ р -переходунадалі використовувалася у всіхпотужнихнаносекунднихдіодних розмикачах.\nЯк вже відзначалося вище, присутність електронно-діркової плазми на зростаючій границі ООЗ, гальмує процес розширення, тобто зменшує швидкість наростання напруги на діоді й затягує спад струму. Тому, відповідно до сучасних уявлень, процес відновлення повинен протікати так, щоб рухомий плазмовий фронт в р -области від р+ р - до рп -переходу, і фронт, що рухається по п -базе від п+ п - до рп -переходу, зустрілися точно в площинірп -переходу. У цьому й тільки в цьому випадку протікання зворотного струму й розширенняООЗ буде відбуватися за рахунок швидкого руху тільки основних носіїв у протилежних напрямках від рп -переходу.\nОднак тільки конструктивними засобами це здійснити досить складно. Так, якщо конструювати приладз робочою напругою, наприклад, 1,7 кВ на основі кремнію п -типа провідності, звичайно використовуваного для потужнихприладів, то максимальна ширина ООЗ й, отже, товщина п -бази повинна бути більше 140 мкм, а товщина р -області, виконаної дифузійним методом, не може бути більше, ніж 100-120 мкм. Тоді при більш-менш однорідному розподілі плазми в р - і п -областяхприладу зустріч фронтів відбудеться в п -базі (оскільки швидкість руху фронту в р -області втроє більше), і обрив струму буде досить повільним. Наносекундний обрив струму в кремнієвому р+ рпп+ - діоді можна здійснити, якщо зробити тривалість імпульсу прямого струму доситьмалою для того, щоб більша частина загальноїкількості виведеної плазми була зосереджена в р -області.\nЧерез зразок проходив імпульс прямого струмуIF з амплітудою 3 А і тривалістю від 0,4 до 1,2 мкс, а потім прикладався імпульс зворотної напруги, що наростає до 1,7 кВ за 40 нс (крива 4, IF = 0). Добре видно, як у міру зменшення tF скорочується час наростання напруги на діоді до ~ 2 нc при tF = 400 нc. Процеси, що відбуваються при цьому, схематичнопоказані на рис. 3.3.\nДослідженір+ рпп+ -структури (рис.3.3а) виготовлені за допомогою спільної дифузії А1 і В у п - Sіз концентрацією донорів 1014 см-3 , глибина рп -переходу 120 мкм, товщина р+ -шару 50 мкм, товщина п -бази 200 мкм, робоча площа 0,3 см2 . п+ -область виготовлена за допомогою дифузії фосфору на глибину 50 мкм. Форма розподілу плазми при накачуванні коротким (400 нс) імпульсом струму показана на рис. 3.3а штриховою лінією. Поблизу р+ -шару формується тонкий шарелектронно-діркової плазми з концентрацією порядку 1017 см-3 , товщина якого зростає внаслідок дифузії.\nПеред цим шаромутвориться концентраційна хвиля, фронт якої в умовах біполярного дрейфу (при концентрації ~ 1015 см-3 ) швидко переміщується до п+ -шару.\nУ результаті формується різко неоднорідний розподіл - більша частина (~ 75 %) плазми зосереджена в р -шарі. Коли через прилад проходить швидко наростаючий імпульс зворотного струму, фронт концентраційної хвилі швидко рухається у зворотну сторонувід п+ -шару до рп -переходу (рис. 3.3б). Одночасно поблизу р+ р -переходу концентрація плазми зменшується через винос дірок вліво, і концентраційний фронт, що утворився, рухається вправо дорп -переходу. Співвідношення між параметрами імпульсів прямого і зворотнього струмів для конкретної конструкції р+ рпп+ - структури вибирається так, щоб фронти зустрілися поблизурп -переходу. Починаючи із цього моменту в діоді вже немає плазми, а протікання зворотного струмуздійснюється за рахунок переміщення основних носіїв у протилежних напрямках від рп -перехода(рис. 3.3в). При цьому поблизу рп -переходу утвориться ООЗ, напруга на діоді різко зростає, а струм через нього обривається. Швидкість цього процесу визначається в основному швидкістю переміщення границіООЗ у п -базі. Процес нагромадження плазми при протіканні струмучерез діод вивчений досить докладно. Фундаментальним процесом, що обмежує гранично можливу концентрацію плазми в кремнії, єрекомбинація, через яку τпр різко знижується зростом концентрації від ~7·10-5 при п << 1017 см-3 до 10-9 із при п << 1019 см-3 . Ще більш істотним обмеженням є те, що кремнієвір+ р - і п+ п -гомопереходиє далеко не ідеальними інжекторами дірок й електронів. Зростом густини струму коефіцієнт інжекції знижується через відхід нерівноважних носіїв через потенційні бар'єри у високолеговані р+ - і п+ -шариздуже високою швидкістю рекомбінації. Потік через бар'єр приблизно пропорційний квадрату концентрації плазми, що обмежує можливість збільшення кількості накопиченої плазми в діоді шляхом збільшення густини прямого струму. Звичайно ця густина становить 30 - 50 А/см2 , а накопичений заряд у плазмі при тривалості імпульсу, наприклад, 400 нс дорівнює (10 - 15)х10-6 Кл/см2 . Тоді при лінійному наростанні імпульсу зворотного струму необхідна робоча густина його (~ 200 А/ см2 ) буде досягнута за 100-150 нс, після чого струм обірветься, тому що плазма буде повністю виведена з діода. На практиці через різні втрати заряду цей час повинен бути істотно меншим.Описаний вище прилад був названий дрейфовим діодом з різким відновленням (ДДРВ).\nДіапазон робочих напруг ДДРВ звичайно лежить у межах від 500 до 1700 В, що відповідає рівню легування вихідного кремнію від 1015 см-3 до 1014 см-3 і граничній швидкодії від ~ 0,6 до ~ 2 нс; при більшому рівні легування утруднюється процес одержання глибоких дифузійних рп -переходівзмалою поверхневою концентрацією домішки, а при п0 <<1014 см-3 спадання напруги на п -базі після проходження заднього фронту концентраційної хвилі стає занадто великим. Виявилося, що, незважаючи на порівняно малу робочу напругу одиничних приладів, створення на їхній основі високовольтних – на сотні кіловольтів – збірок не є серйозною проблемою. Оскільки висока напруга прикладається до приладу тільки в процесі обриву струму, тобто на кілька наносекунд, протягом яких поверхневий пробій не встигає розвитися, то немає необхідності ні в дільниках напруги, ні в спеціальній конструкції крайового контуру приладу, що значно спрощує конструкцію збірок.\nПринципово важливе значення для генерації високовольтнихнаносекундних імпульсів має синхронність процесу відновлення великої кількості діодів, з'єднаних послідовно. Зрозуміло, амплітуда й тривалість імпульсу прямого струму, а також швидкість наростання імпульсу зворотного струмує строго однаковими для всіх діодів збірки, однак загальна кількість плазми, введеної в р - і п -області імпульсом прямого струму, і форма її розподілу, у принципі, можуть відрізнятися від діода до діода через розброс часу життяносіїв у р - і п -шарах. Це може привести до неузгодженості відновлення діодів у часі, і сумарний процес обриву струму сповільниться. Виявилося, однак, що розроблені технологічні процеси забезпечують достатню відтворюваність цих параметрів для одержання наносекундного обриву струмув збірці, оскільки тривалість імпульсу прямого струму (сотні наносекунд) багато менше середнього часу життя τПР нерівноважних носіїв у р - і п -шарах, а коефіцієнт інжекції р+ р -переходу практично однаковий у всіх приладів.\nАмплітуда імпульсу зворотного струму одиничного елемента ДДРВ може бути дуже великою, оскільки простота технології дозволяє виготовляти прилади на кремнієвих пластинах будь-яких діаметрів, використовуваниху промисловості (до 125 мм). Однак експерименти показують, що на пластинах діаметром більше 25 мм тривалість процесу обриву струму зростає зі збільшенням діаметра. Передбачається, що це зв'язанозіскін-ефектом, але цілеспрямованих досліджень цієї проблеми проведено не було. Робоча площа приладуна пластині діаметром 25 мм дорівнює ~ 4 см2 , тобто при JR = 200 А/см2 амплітуда імпульсу становить 800 А, а імпульсна потужність дорівнює 1,2 МВт при робочій напрузі 1,5 кВ. З таких приладів, оскільки їх легко з'єднувати послідовно й паралельно, можна створювати генератори наносекундних імпульсів великої потужності. ПояваДДРВ в 1983-1985 р. привела до радикальних змін у потужній напівпровідниковій імпульсній техніці - генератори наносекундних імпульсів потужністю в десятки мегаватів, що працюють на частотах у сотні герц, стали цілком звичайними. Робоча частота ДДРВ-збірок, у принципі, може бути дуже високою, оскільки після проходження імпульсів прямого й зворотного струмів (тобто через ~ 500 нс післяпочатку циклу) наступний цикл може починатися практично відразу. У дійсності ж частотні можливості визначаються тепловими обмеженнями у формувачах імпульсів прямого і зворотнього струмів, де як ключі звичайно використовуються транзистори (польові або біполярно-польові).\nУ деяких областях застосування, зокрема, у лазерній техніці, затримка між керуючим сигналом і потужнимнаносекундним імпульсом повинна бути мінімально можливою. У пристроях на основі ДДРВця затримка визначається сумарною тривалістю імпульсів прямого і зворотнього струмів й не може бути менше 200-300 нс, причому основна її частина - це тривалість імпульсу прямого струму. Якщо створити напівпровідникову структуру, у якій необхідна для різкого обриву зворотного струму неоднорідність розподілу плазми забезпечується при постійному прямому струмі, то затримка буде дорівнювати тривалості імпульсу зворотного струму й може бути зменшена до 15-20 нс. Такі структури були створені шляхом зниження коефіцієнта інжекції п+ п -перехода в р+ рпп+ - структурі за допомогою строго контрольованого зниження рівня легування п+ -шару в тій його області, з якої відбувається інжекція електронів. У цій структурі концентрація плазми вп+ п -переході при протіканні прямого струму набагато менше, ніж ур+ р -переході, і при протіканні імпульсу зворотного струмупершим утвориться плазмовий фронт не вр+ р -, а вп+п -переході. Як показали експерименти, у такому діоді з інверсним порядком відновлення, робоча густина прямого струму істотно нижче, ніж у ДДРВ, і трохи менша накопичена кількість плазми. Однак оптимальна густина зворотного струму повинна мати таку ж величину, як й у ДДРВ, тому час наростання зворотного струму повинне бути не більше 15-20 нс, що й визначає час затримки імпульсу.\nЯк було показано в попередньому розділі, робоча густинаструму в дрейфових діодах з різким відновленням принципово не може перевищувати 200-300 А/см2 , а скін-ефект обмежує можливість збільшення робочої площі діода вище ~ 4 см2 . Тому для створення на основі ДДРВ розмикачів гігаватного діапазону потужностей, який би розмикав струми у десятки кілоампер із робочою напругою в сотні кіловольтів необхідно з'єднувати паралельно й послідовно дуже велику кількість діодів. Оцінки показують, що вартість і складність таких систем стає нереально високою.\nПрорив в областьгігаватних потужностей відбувся в 1992-1993 р., коли в Інституті електрофізики (ІЕФ) УрВ РАН було експериментально встановлено, що при дуже великих густинах струмів прямий і зворотний струми (на один-два порядки більші, ніж оптимальні для ДДРВ-режиму) у певному діапазоні густин струмів і тривалостей імпульсів також спостерігається різкий обрив струму, причому механізм його явно відрізняється від ДДРВ. Наступні експерименти й розрахунки дозволили створити фізичну картину цього явища, яке автори назвали SOS-ефект (SOS - Semiconductor Opening Switch).\nФізико-математичне моделювання SOS-процесуполягало в спільномучисельному розв’язку рівняння Кірхгофа для електричної схеми зSOS-діодом, рівнянь неперервності потоку для електронів і дірок у діодній структурі й рівняння Пуассона. Як приклад на рис. 3.4 наведені розрахункові параметриSOS-процесу при накачці й відновленнізборки, щоскладає з 160 диодныхр+ рпп+ - структур із площею 0,36 см2 , глибиною залягання рп -перехода 165 мкм, товщиною п -базы ~ 65 мкм і концентрацією донорів у ній 1014 см-3 .\nа)Розподіл концентрації електронів п (суцільна лінія) і дірок р (штрихова) наприкінці імпульсу прямогоструму при Ір = 0,8 кА·см-2 і тривалості 360 нс.\nб, в) Розподіл надлишкової концентрації дірок р і напруженості поля при обриві імпульсу зворотного струмуJRm ах = 4,2кА·см-2 у момент максимальної напруги на структурі.\nТехнологія виготовлення дифузійних шарів аналогічна описаній в попередньому розділі. Опір навантаження становив 200 Ом. Розрахунковий розподіл плазми в приладі в кінці накачування коротким (~ 360 нс) імпульсом прямого струмуJR = 0,8 кА·см-2 показано на рис. 3.4а; на рис. 3.4б показано положенняплазмових фронтів, а на рис. 3.4в розподіл поля при обриві струму із щільністю 4,2 кА·см-2 і часом наростання 35 нс.\nДобре видно, що через велику густину прямогоструму концентрація плазми, внесеної біполярним дрейфом у центральну частину діода, вище, ніж у ДДРВ-процесі. Швидко наростаючий імпульс зворотного струму формує крутіплазмові фронти в р- і п- шарах, щорухаються назустріч один одному, причому фронт у р -області рухається з істотно більшою швидкістю. Густина потоку дірок, що виносяться полем із плазми через ліву границю: безупинно ростезростомструму, а плазмовий фронт, переміщаючись вправо по дифузному р -шару, проходить областіз неперервно зменшуваною концентрацією легуючої акцепторної домішки. При р > Nа об'ємний заряд нескомпенсованих вільних дірок створює електричне поле, обумовлене різницею концентрацій дірок, що рухаються з насиченою швидкістю, і концентрацією нерухомих акцепторів. Напруженість поля різко наростає, а ширина області об'ємного заряду збільшується в міру переміщення границі плазми.\nНа цьому етапінапруга на діоді швидко збільшується, а струм переходить у навантаження, включене паралельнодіоду. Зменшення струму через діод, природно, зменшує густину потоку дірок в ООЗ (за час порядку часупрольоту ~ 0,2 нс), але одночасно зменшується й концентрація акцепторів, оскільки границя зміщається до рп -переходу; це затримує спад напруженості поля в ООЗ. Розрахунок показує, що при спаді струму на 30-40 % поле в ООЗдосягає порогу ударної іонізації в кремнію (>2·105 В·см-1 ), що приводить до появи електронного компоненту струму в ООЗ, що зменшує швидкість руху фронту:\nПринципово важливою особливістю SOS-процесу є те, що всі описані явища відбуваються в досить сильно легованій р -області; на відміну від ДДРВ-процесу, рп -перехід і слабко легована п -базазалишаються "залитими" елктронно-дірковою плазмою високої густини й майже ніякої участі в обриві струму не приймають. Другою важливою особливістю SOS-ефекту є те, що через ударну іонізацію в ООЗ виведений з діода заряд може бути істотно більший від "накачаного" імпульсом прямого струму.\nМоделювання показало, що основний вплив на динаміку обриву струмуробить форма початкового розподілу плазми в діоді й форма розподілулегуючої домішки в р -шарі. Експериментально було підтверджено, що чим коротший імпульс прямого струму(тобто чимбільша кількість плазми втримується у вузькій областір+ р -переходу) і чим менший градієнт концентрації домішок у р -шарі (тобто чим глибше розташованийрп -переход), тим швидше протікає процес обриву струму. Так, при надглибокому рп -переході (180 – 200 мкм) і короткому (десятки наносекунд) імпульсі зворотного струму обрив струму протікає за час, менше наносекунди.\nРозрахунок й експерименти показали, що максимальнанапруга на р+ рпп+ - структурі в процесі обриву струмузвичайно становить 750-850 В і для генерації високовольтних імпульсів необхідно з'єднувати послідовно велику кількість діодів. Спеціально проведені дослідження дозволили встановити, що можливий технологічний розброс у ширині р -області не приводить до істотної різниці в напругах на діодах, оскільки, хоча в структурах з більшою глибиною рп -перехода процес формування ООЗ починається пізніше, розширення цієї області відбувається швидше, ніж при меншій глибині переходу, і на завершальній стадії процесу різниця в напругах невелика (~ 4 %). Тому SOS-діоди можуть з'єднуватися послідовно без яких-небудь зовнішніх дільників напруги. Типова конструкція зборкиSOS-діодів показана на рис. 3.5, а в таблицінаведені основні характеристики зборок, які випускаються на даний час промисловістю. Переривач являє собою послідовну збірку елементарних діодів, стягнутих між собою діелектричними стяжками між двома вихідними пластинами – електродами. Кожен елементарний діод складається з охолоджувача, на який напаяно кілька послідовних напівпровідникових структур.\nТипова осцилограма зворотного струму через SOS-діод із площею структури 1 см2 . Величина розривного струму складає 5,5 кА, час обриву струму за рівнем 0,1 – 0,9 від амплітуди – 4,5 нс. Швидкість комутації - 1200 кА/мкс, що приблизно на 3 порядки перевищує швидкість наростання струму у звичайних швидкодіючих тиристорах.\nРобоча напруга 60 - 250 кВ\nКількість послідовних структур 80 - 320\nПлоща структури 0,25 - 4 см2\nГустина прямого струму 0,4 - 2 кА/ см2\nГустина розривного струму 2 - 10 кА/ см2\nЧас прямої накачки 300 - 600 нс\nЧас зворотної накачки 40 - 150 нс\nЧас обриву струму 1 - 10 нс\nРозсіювана потужність 50 - 500 Вт\nДовжина 80 - 220 мм\nМаса 0,1 - 0,6 кг\nДослідження й експлуатація розробленихSOS-діодів у складі різних імпульсних генераторів показали їх надзвичайно високу надійність і здатність витримувати багаторазові перевантаження по струму й напрузі; при цьому частота проходження імпульсів може бути доведена до 104 Гц. Були проведені спеціальні стендові випробування з метою навмисного виводуприладів з ладу. Виявилося, що збільшення густини струму й швидкості його введення на порядок (з 5 до 50 кА/см2 ) приводить лише до збільшення втрат енергії на стадії накачування й зниження ефективності роботи переривачаструму, не виводячи їх з ладу. При цьому структури працюють як активний опір, що обмежує струм накачки, оскільки при таких густинах струму процес модуляції бази супроводжується виникненням більших прямих напруг. Спроби вивести SOS-діод з ладу за допомогою високої робочої напруги (приладз робочою напругою 120 кВ встановлювався в генератор з вихідною напругою 450 кВ) показали, що при обриві струмуSOS-діод працює як обмежувач напруги (амплітуда імпульсу не перевищувала 150 кВ), споживаючи при цьому енергію з конденсатора накачування. Модельні розрахунки для такого режиму роботи встановили різке збільшення інтенсивності процесів лавинного розмноження носіїв в областіз електричним полем і відповідне зниження опору структури на стадії обриву струму.\nВсіописані вище потужні розмикачі виконані на основі базового матеріалу всієї напівпровідникової електроніки - монокристалічного кремнію. Однак в останні 5-6 років з'явилася реальна можливість створення силової напівпровідникової електроніки й, зокрема, потужної імпульсної техніки на основі монокристалічного карбіду кремнію (SiС).\nМожливість створення SiС-аналога кремнієвогоДДРВ була вперше продемонстрована в [4,11]. р+ піп+ - і р+ ро п+ -структури 4Н-SiС були вирощені осадженням з газової фази на п+ -підкладках при температурі 1500° С. Базова областьп -типа товщиною 40 мкм мала концентрацію легуючої домішки (азоту) п0 = (3-5)·1014 см-3 , а 12-мікронна областьр -типу мала концентрацію алюмінію 8·1014 см-3 , діаметр діодів був рівним 0,6 мм. Осцилограми процесу відновлення при постійному прямому струмі 0,4 А .\nУ р+ ро п+ - структурі спостерігається різкийсубнаносекундний обрив зворотного струму, що наростає за 10 нс до амплітуди 0,8 А, а в п+ пор+ - структурі процес обриву триває ~ 12 нс. Ці результати були, загалом кажучи, передбачувані, оскільки в епіиаксіальних структурах з різкимиблокуючими р+ по- і р+ по- переходами й дуже великою різницею в рухливостях електронів і дірок ( в 4Н-SiС) швидкий обрив зворотного струму можливий тільки в тому випадку, коли через блокуючий перехід протікає електроний струм. Чисельний розрахунок процесу відновленняпоказав, що в р+ п0 п+ - структурі з різкими переходами заднійплазмовий фронт утвориться (як й у кремнієвих ДДРВ) поблизу р+ ро -переходу й приходить до блокуючого п+ ро -переходураніше, ніж там спадає до нуля концентрація плазми. Після приходу фронту в приладі більше не залишається плазми, і зворотний струмпротікає тільки за рахунок відходу основних носіїв від п+ ро - перехода, що приводить до швидкого утворенняООЗ й обривуструму.\nПрості оцінки показують, що характеристики розриваючогоключа на основі SiС можуть бути дуже високими. Наприклад, одиночний р+ ро п+ - діод з напругою пробою 10 кВ (товщина бази Wр0 << 100 мкм, концентрація донорів Nd = 7· 1014 см-3 ) буде мати граничний час обриву струму близько 1 нс й густину зворотного струму А/см2 .\nSOS-розмикачі, у принципі, теж можуть бути виконані на основі SiС. Для цього необхідно при вирощуванні р+ рпо п+ - або п+ про р+ - структур забезпечити необхідний градієнт концентрації легуючої домішки в р- або п-шарі шляхом програмної зміни вмісту легуючої домішки в газовому потоці при вирощуванні цих шарів. Такий процес досить складний, і робіт зі створення SiС -аналоговкремнієвого SOS-діода поки ще не проводилося.\nУ представленій роботі проведено опис роботи напівпровідниковихдіодних розмикачів струму для потужноїнаносекундной імпульсної техніки. Особливий інтерес представляютьдва типи кремнієвихдіоднихрозмикачів: ДДРВ й SOS-діод. За допомогою ДДРВвдаєтьсяперемикати потужність до сотень мегаватів за наносекунду при щільності струму порядку 102 А/см2 . SOS– діоди дозволяютьперемикати потужності в кілька гігават за такі ж короткі часи при щільності струмубільше 103 А/см2 .\nСтворення ДДРВ й SOS – діодів привело до створення нових потужних генераторівнаносекундних імпульсів, стало можливим розробляти генератори нано- і субнаносекундних імпульсів з напругою 103 - 106 В, при частоті проходження імпульсів до 104 Гц і практично необмеженомутерміну служби.\nДипломна робота заслуговує оцінки „__________", а студент__________________присвоєння кваліфікації „__________________" за фахом „_________________________".\nThe development of semiconductor-based nano- and subnanosecond high current breakers is crucial for advancing modern research in experimental physics and radioelectronics, particularly with increasing power (to 1010 W) and repetition rate (to 104 Hz) of impulse devices. Highlighted in this graduation workare two types of silicon diodes: drift step recovery diodes (DSRDs) and SOS diodes with the attainable current densities and switched-off powers being 102 A/cm2 and 108 W in the former case, and 105 A/cm2 and 1010 W in the latter.\nСтудент 01:50:40 10 июня 2018\nЛопух 22:57:59 08 июля 2017\nРаботы, похожие на Дипломная работа: Діоди


Г. Квітка-Основ’яненко. Маруся - Пролог\nЧасто мені приходить на думку: чого б то чоловікові так дуже пристращатись на сім світі до чого-небудь, не то щоб до якої вещі, а то хоч би і до наймиліших людей: жінки, діточок, щирих приятелей і других? Перше усього подумаймо: чи ми ж на сім світі вічні? І що е у нас, хоч скотинка, хоч хлібець на току, худобонька, у скриньці, так сьому так усе без порчі й бути? Ні, нема тут нічого вічного! Та й ми самі що? Сьогодні жив, завтра – що бог дасть! Адже ж живучи промеж людей, тільки і чуєш: там дзвонять по душі, там голосять по покійнику, там справляють старцям обід… Що в бога день тобі говорять: ось той недуж, той вмира, а той вмер…\nТи і не оглядишся і незчуєшся, як зоставсь сам собі на світі; хоч і з людьми, і промеж людей, та ба! Усе тобі або не такі приятелі, яких поховав, або і зовсім не звісні; та воно тобі усе равно, що блукаєш у дрімучому лісі! Ось стань про приятелів згадувать, то уся твоя пісня на один лад: от з тим ми хлопцями були – і вже він вмер, а з тим до школи укупі ходили – і той вмер, з тим парубковали – і той вмер; і сей, і той, і той, і сей, усі повмирали. Коли ж се. так є, так і пам’ятуй собі добре, що не забудуть і тебе на сім світі, озьмуть і не будуть питатись: чи хочеш до гурту, чи ще б, може, погуляв?\nА після такої думки чого ж би нам, невічним, та пристращатись до уременного? Чому б так не робить: наградив тебе бог щастям, що батько й мати твої живуть при тобі і дякують добрим словом, що ти їх при старості і кохаєш, і поважаєш, або жінкою, до тебе доброю, послухною, хазяйкою невсипущою, або діточками покірними та слухняними – хвали за се бога і лягаючи, і устаючи, а їх шануй і кохай, і для них не жалій не тільки ніяких трудів, худоби та, коли нужда звелить, душу свою за них положи, розпинайся, умри за них, та усе-таки пам’ятуй, що й вони на сім світі такі ж гості, як ти і усякий чоловік, – чи цар, чи пан, чи архирей, чи салдат, чи личман.\nКоли отець наш милосердний кого з нас покличе, проводжай з жалем, та без укору і попрьоків; перехрестись та й скажи, як щодня у «Отченаші» читаєш: «Господи, буде воля твоя з нами, грішними!» І не удавайсь у тугу, щоб вона тобі віку не укоротила: бо гріх смертельний накликать на себе не тільки смерть, – і саму болість, хоч би яку-небудь: бо, не поберігши тіла, загубиш і душу на віки вічні! Більш усього пам’ятуй, що ти ховаєш сьогодні, а тебе заховають завтра; і усі будемо укупі, у господа милосердного на вічній радості; і вже там не буде ніякої розлуки, і ніяке горе, і ніяке лихо нас не постигне.\nІще ж і се ми думаємо, що як постигне кого-небудь біда і нещастя, що похова кого із своєї сім’ї або й родичів, то буцімто сеє чоловікові приходить за, його гріхи й неправди прежнії. Ні, не так се є! Ось слухайте лишень, як нам панотець у церкві чита, що господь небесний нам як отець дітям. А після сього не гріх нам буде і таке примінити: от зберуться діти на вулицю грати та будуть промеж ними шалісливі, та усе б то їм, замість іграшки, битись та лаятись, а меж ними буде дитина плохенька, смирна, покірна і що усяк її може зобідити. Адже правда, що батько тієї дитини, щоб вона не перейняла худа від своєвольників, жалкуючи об ній, кликне з вулиці до себе, і, щоб воно за товариством не скучало, посадить біля себе, та й приголубить, і поніжить, і чого воно забажа, усього їй дасть.\nПожалуй, хлопці, що на вулиці зостались, не знаючи, яке добро тій дитині у батька, будуть жалковати, що узят від них товариш. Дарма, нехай жалкують, а йому у отця дуже-дуже добре! От так і небесний наш отець з нами робить: бережеть нас від усякої біди і береть нас прямісінько до себе, де є таке добро, таке добро… що ні розказати, ні здумати не можна! Та ще й так думаймо: чуствуєш ти, чоловіче, що се бог за гріхи твої послав біду? Так же і розсуди: який батько покине овсі діток, щоб без науки ледащіли? Усякий, усякий отець старається навчити дітей усьому доброму; а неслухняних по-батьківськи повчить, та по-батьківськи і пожалує. Недурно сказано: ледача та дитина, которої батько не вчив! Се ж люди так з своїми дітьми роблять, а то отець небесний, що милосердію його і міри нема! Той коли і пошле за гріхи яку біду, то він же і помилує! Тільки покоряйся йому! А після сього не будемо журитись, що нам бог милосердний не пошлеть терпіти, і, перехрестившись, скажемо: «Господи! навчи мене, грішного, як сполнять волю твою святую!» – то й побачиш, що опісля усе гаразд буде.\nЛичман – пастух овець.\nГригорій Квітка-Основ’яненко – Г. Квітка-Основ’яненко. Маруся - Пролог


►Навіщо проводиться оцінка житлового будинку\nГоловна » Блог » Навіщо проводиться оцінка житлового будинку\nОлег Івченко 19 September 2019 112\tЖитлова нерухомість\nНавіщо проводиться оцінка житлового будинку\n«Для чого потрібна оцінка будинку?» – Дивуються деякі власники. Кожному власнику здається, що він сам в змозі вивести точну цифру. Але в реальності все набагато складніше.\nЗамовляти оцінку житлової власності доводиться, наприклад, коли укладається угода купівлі-продажу. Головне – довірити проведення процедури акредитованому фахівцеві.\nРізновиди оцінки будинку\nВизначити, скільки коштує будинок, потрібно в різних життєвих ситуаціях. Основні з них входять до такого списку.\nПроцедуру, замовляють для нотаріуса. Не обійтися, якщо оформлюється спадщина. Провести оцінку – в інтересах спадкоємців. Таким чином визначається реальна вартість будинку. Адже податкові зобов’язання за успадковані об’єкт лягають на плечі спадкоємця. Зниження вартості також не вітається. У податківців можуть з’явитися додаткові питання, які спричинять за собою виплату додаткових податкових відрахувань.\nОформлення кредиту. Від підсумкової суми залежить величина позички. Великим попитом в останні роки користується взяття кредиту бізнесменом під нерухомість. Довіряти аналіз житлового об’єкта банківським співробітникам не варто – навряд чи вона буде об’єктивною.\nУ разі внесення власності до статутного капіталу підприємства.\nЯкщо дому завдано збитків.\nВласник хоче застрахувати житло. Страховики не хочуть платити більше в результаті настання страхового випадку. Тому для них принципово важливо знати точну вартість об’єкта нерухомості. Багато страховиків вдаються до хитрощів – пропонують скористатися послугами оцінювача, з яким вони працюють в парі. Однак краще віддати перевагу незалежному експертові.\nОцінка вартості будинку при розлученні.\nНеобхідні для оцінки будинку документи\nІснує список основних документів, які необхідно надати спеціалісту для проведення перевірки.\nЯкщо на житловий об’єкт поки не оформлено свідоцтво про держреєстрацію, дозволяється передати договір купівлі-продажу або інший папір, яка підтверджує права власника.\nКадастровий або технічний паспорт будівлі. У ньому зафіксовані житлова площа, планування і нюанси архітектури. На крайній випадок підійде кошторис по забудові.\nПапери, оформлені на садову ділянку, яка відноситься до дому.\nТакож будьте готові пред’явити додаткові папери, це залежить від нюансів справи.\nОбумовлена вартість будинку може бути різною, залежно від методів, які використовує оцінювач:\nринкова – показує ціну об’єкта, актуальну на дату проведення операції з купівлі-продажу, оформленні в якості заставного майна, передачі в оренду;\nінвестиційна – відображає привабливість об’єкта і майбутню прибутковість;\nНаші фахівці проводять комплексну і професійну оцінку будинку. Кожен співробітник має необхідний досвід роботи. Ми виїжджаємо за вказаною замовником адресою у зручний для вас час. Повний комплекс послуг, який ми пропонуємо, дозволяє замовнику отримати вигоду від співпраці з нашою фірмою.\nРейтинг 4.5 на основі 112 ответов\nЧитати статтю 16053


Профілактичні заходи “Канікули” тривають на Тернопіллі | Досьє 102\nПрофілактичні заходи “Канікули” тривають на Тернопіллі\n25 грудня в області стартували профілактичні заходи “Канікули”. Лише за 12 днів правоохоронці виявили порушників як серед дітей, так і серед дорослих. На сьогодні до адмінвідповідальності притягнули 21 підлітка. Дванадцять з них відповідатиме за статтею 178 КУпАП – Розпивання алкогольних, слабоалкогольних напоїв у заборонених законом місцях або поява у громадських місцях у п’яному вигляді. За куріння та дрібне хуліганство притягнуть п’ятьох дітей.


У Польщі самогубець "відправив" 18-річного українця в реанімацію: деталі незвичайної трагедії\nYou are here:Главная>>Разное>>У Польщі самогубець "відправив" 18-річного українця в реанімацію: деталі незвичайної трагедії\nСреда, 25 сентября 2019 19:32\nУ столиці Польщі, Варшаві, чоловік викинувся з вікна багатоповерхівки і впав на громадянина України, який сидів поруч з будинком на лавочці.\n18-річний українець був госпіталізований з травмами голови у важкому стані. 26-річний чоловік, який впав на нього — не вижив.\nЯк зазначається, трагедія сталася ввечері в неділю, 22 вересня. Чоловік викинувся з 18 поверху багатоповерхівки в центрі Варшави.\nПоліція не розкриває причин трагедії, проте журналістам стало відомо з неофіційних джерел, що загиблий зняв кімнату на одну ніч. На місці поліція виявила відкрите вікно.\nПеред інцидентом разом з постраждалим українцем на лавці сиділа ще одна людина. Буквально за кілька секунд до події вона покинула місце події.\nНагадаємо, як раніше повідомляв "Апостроф", в селі Багачівка, Миколаївській області, 11-річна дитина виявила на горищі власного будинку батьків, які покінчили з собою.\nДжерело статті: “https://apostrophe.ua/ua/news/society/2019-09-25/v-polshe-samoubiytsa-otpravil-18-letnego-ukraintsa-v-reanimatsiyu-detali-neobyichnoy-tragedii/175571”\nПольща самогубства українці


Профілактика зимового травматизму » Світловодська міська рада\nпереглядів: 159 Зима. Час морозу, снігу, льоду та травматизму. Протягом багатьох років кількість травм через ожеледицю збільшується, що і спостерігалося в кінці 2016 року під час перших снігопадів. Але пік травматизму припав на січень 2017 року, коли до кабінету лікаря-травматолога поліклініки звернулося\n122 пацієнта, з них 38(31,1%) - в перших числах місяця. Хворі були з різними видами травм, але найчастіше з травмами гомілковостопного або променезап’ясткового суглобів. Переломи, пошкодження зв’язок, удари - від травми ніхто не застрахований і взимку і влітку, але ризик отримати травму взимку набагато збільшується.\nЗ метою попередження зимового травматизму необхідно дотримуватися наступних простих правил:\n- використовувати зручне взуття на стійкій підошві, придбати для взуття льодоступи;\n- одяг має бути в міру легким за вагою, і не закривати огляд простору під ногами;\n- при пересуванні в ожеледь ноги повинні бути трохи зігнуті в колінах і мати можливість пружинити. Крокувати широко не можна. Робіть кроки\nв два-півтора рази вже своїх звичних, і намагайтеся ставати відразу на всю стопу;\n- не поспішайте при переході проїжджої частини дороги, поступайтеся автомобілю;\n- без потреби літнім людям краще не виходити на вулицю;\n- коли ви втрачаєте рівновагу, постарайтеся згрупуватися, зменшити висоту падіння: присядьте (зігніть ноги), округліть спину;\n- якщо ви впали та з’явилася гостра біль в місці травми, необхідно переконатися у відсутності деформації та хрускіта кісток, зниження рухливості та чутливості пальців. При наявності цих симптомів зверніться за допомогою до оточуючих, викличте швидку допомогу і в лікувальному закладі вам нададуть необхідну медичну допомогу.\nЯк зміцнити кістки? Міцність кісток визначається кількістю кальцію в організмі. Запаси кальцію в організмі можна поповнювати, вживаючи продукти, насичені цим мінералом (пшеничний хліб, молочні продукти, квасоля,оселедець, інші) або приймати кальцій у вигляді спеціальних добавок. Магній, необхідний для доброго засвоєння кальцію міститься в бобових горосі, рисі, чорному хлібі, горіхах, вівсяному та соєвому борошні. Зміцнює кістки вітамін Д, а найпростішій спосіб його отримати – знаходитися під відкритими соняшними променями. Відмовтеся від куріння, кави та кока-коли.Також зміцнити кістки допоможуть фізичні вправи.\nБережіть та зміцнюйте своє здоров’я – це запорука запобігання випадкам травматизму.\nСвітловодської ЦРЛ А.Переверзєв


Електровіник Karcher EB 30/1, купити в Києві, ціни, відгуки і опис по Україні, рейтинг в інтернет-магазині HomeRobot\nЦіна: 4666 грн\nПроміжне прибирання на килимових і твердих підлогах за допомогою електровіника Karcher EB 30/1 Li-Ion дозволяє робити це швидко і якісно.\nХарактеристики Електровіник Karcher EB 30/1\nПерший електровіник для професійного застосування Karcher EB 30/1 Adv Li/Ion з підживленням від високоякісної никелево-кадмієвої акумуляторної батареї і ємністю контейнера в 1л, служить для невеликої проміжного прибирання. Чистить як тканинні поверхні у вигляді килимів, паласів і поверхні тверді - лінолеум, ламінат, паркет.\nТривалість зарядки знімного акумулятора 50хв-1год. Висоту рухомого корпусу легко відрегулювати, ножна педаль комфортно вкл/вимикає пристрій. Працює електровіник безшумно, відсутність електричного дроту не обмежує рух. Стандартну циліндричну щітку можна від'єднати, щоб почистити. У години відпочинку від роботи ручка надійно фіксується і агрегат паркується компактно в кутку приміщення. Механізм пристрою не порушує чистоти навколишнього простору.\nКонструкція Керхер ЕВ 30-1 Adv Li-Ion дуже надійна, довго експлуатується без спеціальної профілактики. Буде незамінний у торгових комплексах, готелях, кафе, ресторанах, клубах, офісах, дитячих навчальних комбінатах та закладах МОЗ. Разом з самим пристроєм поставляється: акумулятор, пристрій для зарядки, щітка циліндрична стандартна.\nЕлектровіник KARCHER EB 30/1:\nАкумулятор 7,2 В /1,3 Аh\nЗмінний акумулятор 7,2 В /1,5 Ач\nСтандартна циліндрична щітка


Стадіон Україна. Початок фестивалю\nНед, 2011/06/05 - 16:00 — ruslan\nСтадіон Україна. Початок фесту\nНед, 2011/06/05 - 15:45 — ruslan\nКоли стоячи на ногах танцювати важко...\nНед, 2011/06/05 - 15:41 — ruslan\n... можна танцювати лежачи!\nНед, 2011/06/05 - 15:37 — ruslan\nНед, 2011/06/05 - 15:33 — ruslan\nНед, 2011/06/05 - 15:31 — ruslan\nНед, 2011/06/05 - 15:27 — ruslan\nНед, 2011/06/05 - 15:23 — ruslan\nНед, 2011/06/05 - 15:20 — ruslan\nЦей гурт об’єднує музикантів з Німеччини, Угоршини, Австралії, а лідером гурту є колишній мешканець Харкова Юрій Гуржи. Крім цього, що він є співавтором музики та автором слів одразу декількох хітів Шантеля, а також резидентом культового берлінського проекту Russendisko, він є автором мелодії рекламного ролику пива Stare Misto і добрим другом багатьох українських і, не тільки, музикантів.\nНед, 2011/06/05 - 15:16 — ruslan\nДитинство Сарненські обличчя Рок-фестиваль Stare Misto 2011 Деякі історичні фото. Люди Навчальні заклади Сарн Написи, малюнки, графіті на Львівських стінах. Чорно-білий Львів Фото зроблені мобільним Деякі історичні фото. Будівлі, вулиці, різне Чорно-білі фото. Емоції. "Неправильні" фото.\nмайбутнє політика книги підприємництво вулиці Сарни он-лайн інтернет ідеї для заробітку лінь контент анекдоти сарненчани газети бізнес медіа блоги піарю Старе місто робота львів ЗМІ куліков думки з приводу реклама історія написи на стінах життя блоггінг Сарни фото емоції міська рада цікавість ПТУ 22 сарненське життя гроші блоггерство Всі Сарни блог плани для блогу


Купити Піжама M&S Transport Orange Mix недорого в Україні\nТрикотажна піжама M&S T863723E для діточок. В піжамі дитина проводить всю ніч, тому особливо важливо, що б вона була теплою, м'якою і зручною. Піжама - це дуже важлива частина дитячого сну, Ваш малюк буде із задоволенням надягати нічний одяг і солодко спати всю ніч. Наймиліша піжаму з прекрасним принтом - то що потрібно для діточок. Ідеальна піжама для дитячого гардеробу. Зшита з якісного матеріалу, тому не втрачає свій первісний вигляд після прання. Машинне прання


Тропоя (округ) — Вікіпедія\nалб. Rrethi i Tropojës\n- повне 16 260 (2010)\n- повна 1 043 км²\n- максимальна 373 метр\nКод ISO 3166-2 AL-TP\nза темою: Тропоя (округ)\nТропоя (алб. Rrethi i Tropojës) — один з 36 округів Албанії, розташований на північному сході країни.\nОкруг займає територію 1043 км² і відноситься до області Кукес. Адміністративний центр — місто Байрам-Цуррі.\nМайже 75% населення сповідує іслам, решта 25% — католики. Назва округу походить від містечка Тропоя, історичного центру однойменного регіону.\nОкруг розташований на північному сході країни, на кордоні з Косово і Чорногорією.\nТропоя лежить в гірському районі в східній частині Північно-Албанських Альп. Друга за висотою гора Албанії, Езерца (2693 м), розташована на західному кордоні округу, крім цього, на території округу знаходиться ще дюжина двотисячників.\nУ центральній частині округу, між населеними пунктами Байрам-Цуррі і Тропоя лежить невелика рівнина. Південна межа утворена річкою Дрин, загачена в східній частині у водосховище Фієрза, а на заході — в Команське водосховище. Головна річка округу — Валбона. Це також назва долини, що тягнеться від Байрам-Цуррі на північний захід, а також села в цій же долині. Близько 8000 га в долині Валбона є національним парком.\nОкруг Тропоя також називають гірською країною Джяковіца, за назвою однойменного міста в Косово, лежачого в 25 км від Тропої. За Лондонським мирним договором 1913 року, що встановив нові кордони Албанії, Тропоя була відрізана від свого головного торгового центру, а багато сімей розділені. Кордони були знову відкриті лише по закінченні війни в Косово у 1999 році через митний перехід Qafa Morinës на гірському перевалі висотою 568 м. Уздовж кордону в цих місцях дотепер знаходять не розірвані міни.\nТропоя має погане транспортне сполучення з іншими округами. На заході і півночі цьому перешкоджають високі гори. В жалюгідному стані знаходиться дорога на південний схід через округ Хас в Кукес, шлях на південь через округу Пука і Мірдита теж складний. Найкраще добиратися сюди поромом по Команського водосховища, що курсує раз на день. У травні 2006 року відкрилася після ремонту дорога в Джяковіцу.\nЯк і у всій Північній Албанії, після падіння комуністичного режиму в окрузі стався сильний відтік населення. Більшість шахт, які ведуть видобуток хромітів, бокситів і міді, були закриті. Щоб прогодуватися, багато перебралися ближче до міст Тирана і Шкодер, де виникли цілі нетрі.\nБільшість населення зайняте в сільському господарстві. З усіх корисних копалин ведеться видобуток лише каоліну.\nТериторіально округ розділений на місто Байрам-Цуррі і 7 громад: Bujan, Bytyç, Fierza, Lekbibaj, Llugaj, Маргегай, Тропоя.\nОтримано з https://uk.wikipedia.org/w/index.php?title=Тропоя_(округ)&oldid=22583140


орієнтованому стану, в місцях таких неоднорідностей можуть виникати перенапруження, достатні для розривання зв'язків і формування локальних субмікророзколин. Чим більша відмінність в упорядкуванні макромолекул на поверхні та всередині волокон, тим нижче їх механічні властивості: вище крихкість та жорсткість.\nВ результаті аналізу літературних джерел встановлено залежність міцності волокна від товщини його зовнішнього шару. Волокна з достатньо товстим зовнішнім шаром мають більш високий показник міцності не тільки порівняно з волокнами з незначною товщиною шару, що можна пояснити збільшенням однорідності волокна, але й порівняно з волокнами, де майже відсутній зовнішній шар. В міру видалення зовнішніх шарів волокон знижується розривне навантаження і розривне подовження волокна. В цілому зберігається якісне співвідношення для зовнішніх та внутрішніх шарів волокон:\nsзовн > sвн та eзовн > eвн,\nде sзовн, sвн, eзовн, eвн – розривне навантаження і розривне подовження відповідно зовнішнього та внутрішнього шарів.\nЗ урахуванням характеристик жорсткості шарів схематичне зображення пошарового руйнування при поздовжньому розтягуванні наведено на рис.4.\nРис.4. Схема пошарового руйнування структури волокон\nТаким чином, при прикладанні до технічного волокна зовнішнього навантаження розтягування, може відбутися обривання внутрішнього шару з подальшим утворенням порожнин за рахунок переміщення центральної частини, за рахунок збігання внаслідок релаксаційних процесів і, зрештою, за рахунок витягування зовнішньої оболонки під дією поздовжніх напружень. Утворення порожнин в волокні призводить до появи локальних перенапружень. Подальше руйнування, як показують спостереження, розвивається по лініям субмікророзколин.\nТаким чином, процес руйнування волокон, що розвивається при циклічному деформуванні, є незворотним і складається з декількох фаз: перша фаза – пластична деформація, що спричиняє витягування волокна; друга фаза – деформування структури за рахунок пружної та високоеластичної складової, внаслідок чого відбувається руйнування деревної частини; третя фаза – незворотні деформації і руйнування внутрішніх зв'язків волокнистої частини стебла.\nДля луб'яної сировини встановлено такі види руйнування:\n– руйнування різноманітних матеріалів з розподілом їх на декілька нових видів та руйнування зв'язку між ядром та оболонкою (декортикація);\n– руйнування однорідних матеріалів.\nРуйнування першого виду найчастіше зустрічається в процесах переробки текстильної сировини, особливо в первинній обробці лубоволокнистих матеріалів. Складається воно з двох операцій: власне руйнування та розділення, які відбуваються або послідовно (наприклад м'яття і тіпання) або одночасно (декортикація). Якщо напруження структури стебел луб'яної рослини є недостатнім, то замість руйнування спостерігається тертя сировини по поверхні робочих органів. Залежно від того, яким чином підводиться енергія, необхідна для руйнування, розрізняють руйнування при малих швидкостях: роздавлювання, плющення або м'яття стеблин та руйнування при високих швидкостях – тіпання. В табл.3 наведена система різновидів руйнування текстильної сировини.\nРізновиди руйнування луб'яної сировини\nВиди руйнування або роз'єднання структури сировини Категорія швидкості робочих органів Напрямок дії навантаження Технологічні операції\nмеханічне руйнування тихохідні нормальне м'яття\nзсув лубу відносно деревини\nшвидкісні нормальне тіпання\nрозділення механічне і аеродинамічне тихохідні нормальне чесання сепарування\nшвидкісні нормальне знепилення витягування\nПроцес руйнування лубоволокнистої сировини, з використанням малих швидкостей робочих органів устаткування, обумовлений характером зусиль або деформацій, що прикладаються до неї. У цьому випадку кінематика процесу руйнування визначена, чітко відомі напрямки руху волокнистого матеріалу і часток, що руйнуються та відокремлюються. Для виявлення умов руйнування стеблин досить скласти системи силових рівнянь, а для їх розв'язання необхідні додаткові відомості про жорсткість матеріалу, питоме розривне навантаження волокон та деякі інші. Таке руйнування може розглядатися як статичне.\nРуйнування структури лубоволокнистої сировини з використанням високих швидкостей обумовлене показником швидкості робочих органів відносно сировини, що обробляється. Прикладом такої обробки є динамічна або ударна дія на волокнисту сировину з боку робочих органів устаткування (трясіння). В такому випадку залишаються невідомими кінематика процесу і можливі напрямки руху самого матеріалу та часток, що утворюються під час руйнування – волокна та костриці. Умови руйнування структури лубоволокнистої сировини з використанням високих швидкостей можуть бути визначені шляхом складання системи енергетичних рівнянь. Для розв'язання цих рівнянь необхідно знати фізичні константи, що характеризують роботу, витрачену на руйнування рослин, а також енергоємність тіла при ударних процесах. Невизначеність процесу у такому випадку примушує оперувати з найбільш вірогідними умовами руйнування.\nНайбільш поширеними видами руйнування луб'яних рослин з використанням малих швидкостей робочих органів є відривання волокна від деревини, зсув при плющенні та зрушення при згині-зламуванні.\nЗусилля відривання волокна від деревини Р, повинно бути орієнтовано під деяким кутом a по відношенню до осі стеблини (рис.5), тому умовою відокремлення волокна є:\nРsina > N, (1)\nде N – сила зв'язку волокна з деревиною.\nРис.5. Схема відокремлення волокна від деревини стебла\nЗусилля відривання Р залежить від розміру частки волокна, що відокремлюється, напруження волокна при розтягуванні та питомого опору зчеплення:\nде d – напруження волокна при розтягуванні;\ns – товщина частки волокна;\nb – ширина частки волокна;\nk – питомий опір зчеплення;\nDL – довжина дільниці, на якій відбувається відокремлення.\nВстановлено, що відокремлення волокна від деревини відбувається не одночасно по всій довжині стеблини, а поступово, частками, де розмір дільниці може бути достатньо малим. Якщо припустити, що мінімальний розмір частки волокна, що може одночасно відокремитись від деревини, дорівнюватиме його товщині (DL=d), то . Отже мінімальне зусилля відривання Р буде за умови напрямку сили під кутом 90, коли можливе відокремлення s>k.\nВраховуючи, що міцність волокна під час розриву sрозр у 100-200 разів більше показника k питомого опору зчеплення волокнистого шару з деревиною в тресті, такий спосіб руйнування можна вважати безпечним для волокна.\nПри плющенні стеблини відбувається зсув шару клітин, серед яких є і жмути волокон. Внаслідок прокатування матеріалу у гладких валках, зовнішні шари зсуваються відносно тих, що знаходяться всередині. Різниця у довжині дільниць зовнішнього та внутрішнього шарів волокон DL може бути визначена за формулою:\nDL=ab-ac=R a-R sin