মূল নিবন্ধ: মাঠ-প্রভাব ট্রানজিস্টার, MOSFET, এবং JFET

ক্ষেত্র-প্রভাব ট্রানজিস্টার (FET), কখনও কখনও বলা হয় একটি unipolar ট্রানজিস্টার, পরিবহন জন্য হয় ইলেকট্রন (মধ্যে N-চ্যানেল FET) বা গর্ত (এ পি চ্যানেল FET) ব্যবহার করে. FET চারটি টার্মিনাল উৎস, গেট, ড্রেন, এবং শরীর (substrate) হয় নামে. অধিকাংশ FETs, শরীরের প্যাকেজ অভ্যন্তরীণ উৎস থেকে, সংযুক্ত এবং এই নিম্নলিখিত বর্ণনা করা হবে অধিকৃত হয়.
একটি FET, ড্রেন থেকে উৎস একটি আবহ চ্যানেল ড্রেন অঞ্চলের সোর্স অঞ্চলের সংযোগ মাধ্যমে বর্তমান প্রবাহ. পরিবাহিতা তড়িত্ - ক্ষেত্র যে যখন একটি ভোল্টেজ গেট এবং উৎস টার্মিনালের মধ্যে প্রয়োগ করা হয় উত্পাদিত হয় বৈচিত্রময় হয়; তাই বর্তমান ড্রেন এবং উৎসের মধ্যে প্রবাহিত ভোল্টেজ গেট এবং উৎস মধ্যে প্রয়োগ দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়. যেহেতু গেট সোর্স ভোল্টেজ (Vgs) বৃদ্ধি হয়, ড্রেন সোর্স বর্তমান (ID-) থ্রেশহোল্ড নিচে Vgs জন্য exponentially বৃদ্ধি, এবং প্রায় দ্বিঘাত হার () (যেখানে VT হল থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ যা ড্রেন বর্তমান আরম্ভ) এ তারপর [25] "স্থান ভারপ্রাপ্ত-সীমিত" থ্রেশহোল্ড উপরিউক্ত অঞ্চল. একটি দ্বিঘাত আচরণ আধুনিক ডিভাইস হয়, যেমন যায়না, 65 nm প্রযুক্তি নোডের. [26]
উচ্চতর FET ইনপুট প্রতিরোধের সংকীর্ণ ব্যান্ডউইড্থ এ কম গোলমালের জন্য সুবিধাজনক.
সাধারণ আলোচনা
শ্রেণীবিভাগ
ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (FET)
ইতিহাস