কিছু গুরুত্বপূর্ণ অর্ধপরিবাহী যেমন- সিলিকন এর ক্ষেত্রে পরিবাহী ব্যান্ডের নিম্নতম শক্তি প্রতিসম নয়। কারণ এদের ধ্রুবশক্তি পৃষ্ঠ গুলো আইসোটোপিক ক্ষেত্রের মত গোলকীয় না হয়ে উপবৃত্তাকার হয়। পরিবাহী ব্যান্ড এর ন্যুনতম মানগুলো হয়-

যেখানে "x", "y", ও "z"অক্ষগুলো উপবৃত্তের প্রধান অক্ষ বরাবর থাকে এবং , ও হল এই অক্ষগুলোতে জড় কার্যকর ভর। , , ও দেখায় যে পরিবাহী ব্যান্ডের ন্যুনতম মানগুলো আর শূন্য তরঙ্গভেক্টরকে কেন্দ্র করে থাকে না। ( এই আপেক্ষিক ভরগুলো জড় আপেক্ষিক ভর টেন্সর এর প্রধান উপাদান, যা নিচে বর্ণনা করা হয়েছে)

এক্ষেত্রে, ইলেকট্রনের গতিকে আর মুক্ত ইলেকট্রনের সাথে সরাসরি তুলনা করা যাবে না। ইলেকট্রনের গতি এর দিকের উপর নির্ভর করবে এবং বলের দিকে এরা বিভিন্ন ঘাতের ত্বরণে ত্বরিত হবে। যদিও সিলিকনের মত ক্রিস্টালে বৈশিষ্ট্যগুলো যেমন- পরিবাহিতাকে মোটের উপর আইসোট্রোপিক বলা যায়। এর কারণ ভিন্ন ভিন্ন অক্ষে ভিন্ন কার্যকর ভর নিয়ে অনেকগুলো ভ্যালে (পরিবাহী ব্যান্ডের ন্যুনতম মান) বিন্যস্ত থাকে। এই ভ্যালেগুলোর সম্মিলিত কাজের ফলে আইসোট্রপিক পরিবাহিতা পাওয়া যায়। ভিন্ন ভিন্ন অক্ষের কার্যকর ভরগুলো নিয়ে গড় করে মুক্ত ইলেকট্রন এর মত গতি কল্পনা করা যায়। যাহোক,কি উদ্দেশ্যে গড় করছি তার উপর এই গড় করার পদ্ধতি নির্ভর করে।

(এই কার্যকর ভর অবস্থা ঘনত্বের কার্যকর ভরের অন্তর্গত যা পরে বর্ণনা করা হয়েছে)। পার-ভ্যালে অবস্থা ঘনত্ব ঈবং পার-ভ্যালে বাহক ঘনত্বের জন্য ডিজেনারেসি গুণক বাদ দেয়া হয়।

ড্রুড সূত্র বিক্ষেপণ সময়ের উপর নির্ভর করে যা অনেক বেশি পরিমাণে পরিবর্তিত হয়। ফলে এই কার্যকর ভর খুব কম ব্যবহৃত হয়। পরিবাহিতা তাই বাহক ঘনত্ব এবং আধান গতিশীলতার উপর নির্ভর করে।

সাধারণ ক্ষেত্র
মধ্যম ক্ষেত্রঃ পরাবৃত্তিক, অ্যানাইসোট্রপিক বিচ্ছুরণ সম্পর্ক
পরীক্ষামূলক নির্ণয়
অবস্থা ঘনত্ব কার্যকর ভর (হালকাভাবে ডোপিত অর্ধপরিবাহকে)