എല്ലാ പി-ടൈപ്പ് മെറ്റൽ ഓക്സൈഡ്-അർദ്ധചാലകവും (PMOS) ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾക്ക് വോൾട്ടേജ് സ്രോതസ്സിൽ നിന്നോ അല്ലെങ്കിൽ മറ്റൊരു പി.എം.ഒ.എസ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിൽ നിന്നോ ഒരു ഇൻപുട്ട് ഉണ്ടാകണം എന്നതാണ് ഇത്തരത്തിലുള്ള സി.എം.ഒ.എസ് സർക്യൂട്ടുകൾ നിർമ്മിക്കുന്നത്. അതുപോലെ, എല്ലാ എൻ.എം.ഒ.എസ് (NMOS) ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളും നിലത്തു നിന്നോ മറ്റൊരു എൻ.എം.ഒ.എസ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിൽ നിന്നോ ഒരു ഇൻപുട്ട് ഉണ്ടായിരിക്കണം. ഒരു പിഎംഒഎസ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിൻറെ ഘടന അതിൻറെ ഉറവിടവും തകരാറുകളും തമ്മിൽ കുറഞ്ഞ പ്രതിരോധം ഉണ്ടാക്കുന്നു. കുറഞ്ഞ ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കുകയും ഉയർന്ന ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കുമ്പോൾ ഉയർന്ന പ്രതിരോധം ഉണ്ടാക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. മറുവശത്ത്, ഒരു എൻ.എം.ഒ.എസ് ട്രാൻസിസ്റ്ററിൻറെ ഘടന ഉറവിടം, ചോർച്ച എന്നിവയ്ക്കിടയിൽ ഉയർന്ന ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കുകയും ഉയർന്ന ഗേറ്റ് വോൾട്ടേജ് ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ കുറഞ്ഞ പ്രതിരോധം സൃഷ്ടിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. ഓരോ എൻ-എം.ഓ.എസ്.എഫ്.ഇ.റ്റി(nMOSFET)യും പി-എം.ഓ.എസ്. എഫ്.ഇ.റ്റി (pMOSFET) എന്നിവ ഉപയോഗിച്ച്, സി.എം.ഓ.എസ് വൈദ്യുത ഉപയോഗം കുറയ്ക്കുന്നു. ഗേറ്റുകളിൽ ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് പ്രവർത്തിപ്പിക്കുന്നത് എൻ-എം.ഓ.എസ്.എഫ്.ഇ.റ്റി നടത്താനും പി-എം.ഓ.എസ്. എഫ്.ഇ.റ്റി നടത്താതിരിക്കാനും ഇടയാക്കില്ല, കൂടാതെ വാതിലുകളിൽ കുറഞ്ഞ റിവേഴ്സ് വോൾട്ടേജും ഉണ്ടാക്കുന്നു. ഈ സംവിധാനം വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം, ചൂട് എന്നിവയെ വളരെ കുറയ്ക്കുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, സ്വിച്ച് ചെയ്യുന്ന സമയത്ത്, മോട്ടോർ വോൾട്ടേജ് ഒരു അവസ്ഥയിൽ നിന്ന് മറ്റൊന്നിലേക്ക് പോകുമ്പോൾ, രണ്ട് എം.ഓ.എസ്.ഇ.റ്റി(MOSFET)-കളും ചുരുക്കമായിരിക്കും. 
ഇത് വൈദ്യുതി ഉപഭോഗത്തിൽ ഒരു ചെറിയ വർധന വരുത്തുകയും ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിൽ ഗുരുതരമായ പ്രശ്നമാകുകയും ചെയ്യുന്നു. വലത് ഭാഗത്ത് ചിത്രം ഒരു പിഎംഒഎസ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ (ഡയഗ്രം മുകളിൽ), ഒരു എൻഎംഒഎസ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ (ഡയഗ്രം താഴെ) എന്നിവയുമായി ബന്ധിപ്പിക്കുമ്പോൾ എന്ത് സംഭവിക്കുന്നു എന്നത് കാണിക്കുന്നു.

വലത് ഭാഗത്ത് ചിത്രം ഒരു പി.എം.ഒ.എസ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ (ഡയഗ്രം മുകളിൽ), ഒരു എൻ.എം.ഒ.എസ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ (ഡയഗ്രം താഴെ) എന്നിവയുമായി ബന്ധിപ്പിക്കുമ്പോൾ എന്ത് സംഭവിക്കുന്നു എന്നത് കാണിക്കുന്നു. ഇൻപുട്ട് എയുടെ വോൾട്ടേജ് കുറവാണെങ്കിൽ, എൻഎംഒഎസ്(NMOS) ട്രാൻസിസ്റ്റർ ചാനൽ വളരെ ഉയർന്ന പ്രതിരോധസ്ഥാനത്താണ്. ഇത് ക്യൂവി(Q)ൽ നിന്ന് താഴേക്ക് പോകാൻ കഴിയുന്ന നിലവിലെ പരിധി പരിമിതപ്പെടുത്തുന്നു. പിഎംഒഎസ്(PMOS) ട്രാൻസിസ്റ്ററുടെ ചാനൽ കുറഞ്ഞ പ്രതിരോധ നിലയിലാണെങ്കിലും വിതരണത്തിൽ നിന്നും ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്നതിന് കൂടുതൽ ഊർജ്ജം പ്രവഹിക്കുന്നു. വിതരണ വോൾട്ടേജും Q ഉം തമ്മിലുള്ള പ്രതിരോധം വളരെ കുറവായതിനാൽ, Q ൽ വരച്ച വിതരണ വോൾട്ടേജും Q ഉം തമ്മിലുള്ള വോൾട്ടേജ് ഡ്രോപ്പ് ചെറുതാണ്.

ചുരുക്കത്തിൽ, പിഎംഒഎസ്, എൻഎംഒഎസ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ ഉൽപാദനങ്ങൾ ഇൻപുട്ടിനു കുറവു വരുത്തുമ്പോൾ ഇവ നിറവേറ്റുന്നു ഔട്ട്പുട്ട് ഉയർന്നതാണ്, ഇൻപുട്ട് ഉയർന്നപ്പോൾ, ഔട്ട്പുട്ട് കുറവാണ്. ഇൻപുട്ട്, ഔട്ട്പുട്ടുകളുടെ ഈ പെരുമാറ്റം കാരണം സിഎംഒഎസ്(CMOS) സർക്യൂട്ട് ഔട്ട്പുട്ട് ഇൻപുട്ടിൻറെ വിപരീതമാണ്.

സിഎംഒഎസ് ഊർജ്ജ സ്രോതസ്സുകളെ V, V, V, ഗ്രൗണ്ട് (GND) എന്നിവയാണ് നിർമ്മാതാക്കളെ ആശ്രയിക്കുന്നത്. പരമ്പരാഗത എംഒഎസ്(MOS) സർക്യൂട്ടുകളിൽ നിന്ന് V, V തുടങ്ങിയവ വഹിക്കുന്നു. ഇവ വിതരണം ചെയ്യുന്നത് സിഎംഒഎസിന് നേരിട്ട് ബാധകമല്ല, കാരണം ഇവ രണ്ടും സ്രോതസ്സുകൾ നൽകുന്നു. ടി.ടി.എൽ. ലോജിക്കിൽ നിന്ന് V ഗ്രൗണ്ടും വഹിക്കുന്നു. സിഎംഒസിൻറെ 54 സി / 74 സി വരിയുടെ അവതരണത്തോടെ ആ പദനാമം നിലനിർത്തി.

ദ്വന്ദത്വം
സാങ്കേതിക വിശദാംശങ്ങൾ
ലോജിക്ക്
വാക്കുകളെ വിപരീതക്രമത്തിൽ വിന്യസിക്കൽ (Inversion)