ബൈപോളാർ അഥവാ പോസിറ്റീവ് നെഗറ്റീവ് ചാർജ് വേർതിരിവുകളുള്ള ഐ സി കൾ NPN അല്ലെങ്കിൽ PNP ട്രാന്സിസ്റ്ററുകൾ കൊണ്ടാണ് നിർമ്മിക്കുന്നത്. സാധാരണയായി സിലിക്കൺ NPN ട്രാന്സിസ്റ്ററുകളാണ് ഇതിനായി ഉപയോഗിക്കുന്നത്. 

സിലിക്കൺ NPN ട്രാന്സിസ്റ്ററുകളുടെ നിർമ്മാണമാണ് ചിത്രത്തിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നത്. ഡോപ്പിങ്ങിന് ശേഷമുള്ള ഒരു NPN ട്രാന്സിസ്റ്ററിലെ വിവിധ ലെയറുകളാണ് ചിത്രത്തിൽ. അതായത് ഒരു NPN ട്രാൻസിസ്റ്റർ നിർമ്മിക്കാനായി സിലിക്കൺ ഒരു P-ടൈപ്പ് പദാർത്ഥം കൊണ്ട് ഡോപ്പിങ് നടത്തുന്നു. 

ലഘുവായി ഡോപ്പിങ് നടത്തി കിട്ടുന്ന പദാർത്ഥത്തിലേക്ക് വീണ്ടും ഡോപ്പിങ് നടത്തുന്നു. കടുംനിറത്തിലുള്ളവ കൂടുതൽ ഡോപ്പിങ് നടന്ന സ്ഥലങ്ങളെയാണ് സൂചിപ്പിക്കുന്നത്. ഇവയാണ് N+ കൊണ്ട് സൂചിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നത്. ഈ ഭാഗങ്ങളാണ് നിർമ്മാണ സമയത്ത് ഒരേ സിലിക്കൺ വേഫറിലേ വിവിധ ട്രാന്സിസ്റ്ററുകളെ വേർതിരിക്കുന്നത്. ഇത്തരത്തിൽ P-ടൈപ്പ് ഡോപ്പിങ്ങിലൂടെ ബേസും, N-ടൈപ്പ് ഡോപ്പിങ്ങിലൂടെ എമിറ്ററും, കളക്ടറും നിർമ്മിക്കുന്നു. ബാഷ്പീകരിച്ച മാലിന്യപദാർത്ഥങ്ങൾ ഉപയോഗിച്ച് നിയന്ത്രിതമായ ഡോപ്പിങ്ങാണ് ഇത്തരം നിർമ്മാണ പ്രക്രിയകളിൽ നടത്തുന്നത്. അതിന് ശേഷം ഡോപ്പിങ്ങിലൂടെ നിർമ്മിച്ച ചിപ്പിനു മുകളിലൂടെ സിലിക്കൺ ഡൈ ഓക്സൈഡ് കൊണ്ട് ഒരു ഇന്സുലേറ്റിംഗ് ആവരണം ഉണ്ടാക്കുന്നു. ശേഷം എമിറ്റർ, ബേസ്, കളക്ടർ എന്നിവയിൽ നിന്ന് പുറത്തേക്ക് ചെറിയ അലുമിനിയം കമ്പി കൊണ്ട് ബന്ധിപ്പിക്കുന്നു. ഇത്തരത്തിൽ നൂറുകണക്കിന് ട്രാന്സിസ്റ്ററുകൾ ഒരേ ചിപ്പിൽ നിർമ്മിച്ചെടുത്താണ് ബൈപോളാർ ഐ സി കൾ നിർമ്മിക്കുന്നത്. 
എംഒഎസ് (MOS) ഐ സി
ഐ സി പാക്കേജിനുള്ളിൽ
ബൈപോളാർ ഐ സി ചിപ്പുകൾ
ഐ സി ചിപ്പ് നിർമ്മാണം