ஒரு BJT இல் மூன்று வெவ்வேறு அளவில் மாசு கலக்கப்பட்ட குறைக்கடத்தி பகுதிகள் உள்ளன. அவை "உமிழ்ப்பான்" பகுதி, "அடிவாய்" பகுதி மற்றும் "சேகரிப்பான்" பகுதி ஆகியவையாகும். இந்தப் பகுதிகள் ஒரு PNP டிரான்சிஸ்டரில் முறையே "p" வகை, "n" வகை மற்றும் "p" வகையும் NPN டிரான்சிஸ்டரில் "n" வகை, "p" வகை மற்றும் "n" வகையுமாகும். ஒவ்வொரு குறைக்கடத்தி பகுதியும் ஒரு மின்வாயுடன் இணைக்கப்படுகிறது. அவற்றின் தோராயமான லேபிள்கள் பின்வருமாறு: "உமிழ்ப்பான்" (E), "அடிவாய் " (B) மற்றும் "சேகரிப்பான்" (C). 

"அடிவாயானது" "உமிழ்ப்பான்" மற்றும் "சேகரிப்பான்" ஆகியவற்றுக்கிடையே வைக்கப்படுகிறது. அது குறைவாக மாசு கலக்கப்பட்டதால் அதிக மின் தடை கொண்டதாக உள்ளது. சேகரிப்பானானது உமிழ்ப்பான் பகுதியைச் சூழ்ந்துள்ளது. இதனால் அடிவாய் பகுதிக்கு செலுத்தப்படும் எலக்ட்ரான்கள் சேகரிக்கப்படுவதை கிட்டத்தட்ட முடியாததாக்குகிறது. இதனால் α இன் விளைவு மதிப்பு ஒன்றுக்கு நெருக்கமாகிறது. மேலும் இதனால் டிரான்சிஸ்டரின் β மதிப்பு அதிகமாகிறது. BJT இன் ஒரு குறுக்குவெட்டுத்தோற்றம் சேகரிப்பான்–அடிவாய் சந்தியானது உமிழ்ப்பான்–அடிவாய் சந்தியை விட அதிக பரப்பளவைக் கொண்டுள்ளதைக் காண்பிக்கிறது.

பிற டிரான்சிஸ்டர்களைப் போலன்றி இருமுனை சந்தி டிரான்சிஸ்டரானது சமச்சீரான சாதனமல்ல. அதாவது சேகரிப்பானையும் உமிழ்ப்பானையும் இடமாற்றி அமைத்தால் டிரான்சிஸ்டர் முன்னோக்கு செயல் பயன்முறையை விடுத்து எதிர் பயன்முறையில் இயங்கத் தொடங்கும். டிரான்சிஸ்டரின் உள்ளார்ந்த கட்டமைப்பானது வழக்கமாக முன்னோக்கு பயன்முறைக்கு உகந்த வகையிலேயே அமைக்கப்பட்டுள்ளதால் சேகரிப்பானையும் உமிழ்ப்பானையும் இடமாற்றுவதால் எதிர் செயல்பாட்டில் α மற்றும் β மதிப்புகள் எதிர் செயல்பாட்டிலான மதிப்பை விடக் குறைவாகிறது. பெரும்பாலும் எதிர் பயன்முறையின் α மதிப்பு 0.5 ஐ விடக் குறைவாகவே உள்ளது. உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பானின் மாசுக்கலப்பு விகிதமே இந்த சமச்சீரின்மை இல்லாததற்குக் காரணமாகும். உமிழ்ப்பான் அதிகமாக மாசு கலக்கப்படுகிறது. ஆனால் சேகரிப்பான் குறைவாகவே மாசு கலக்கப்படுகிறது. இதனால் சேகரிப்பான்–அடிவாய் சந்தி உடைவதற்கு முன் அதிக அளவிலான எதிர் மின் சார்புடைய மின்னழுத்தம் பயன்படுத்தப்பட முடிகிறது. வழக்கமான செயல்பாட்டில் சேகரிப்பான்–அடிவாய் சந்தி எதிர் மின்சார்புடையதாகும். உமிழ்ப்பான் செலுத்தல் செயல்திறனை அதிகரிப்பதே உமிழ்ப்பான் அதிகமாக மாசுக்கலக்கப்படுவதற்கான காரணமாகும்: உமிழ்ப்பானால் செலுத்தப்பட்ட கேரியர்களுக்கும் அடிவாயால் செலுத்தப்பட்ட கேரியர்களுக்கும் உள்ள விகிதம். அதிக மின்னோட்ட ஈட்டத்திற்கு உமிழ்ப்பான்–அடிவாய் சந்திக்கு செலுத்தப்படும் பெரும்பாலான கேரியர்கள் உமிழ்ப்பானிலிருந்தே வர வேண்டும்.

சில நேரங்களில் CMOS செயலாக்கங்களில் பயன்படுத்தப்படும் குறை-செயல்திறனுள்ள "பக்க" இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்கள் சில நேரங்களில் சமச்சீராக வடிவமைக்கப்படுகின்றன. அதாவது அதில் முன்னோக்கு மற்றும் எதிர் செயல்பாடு ஆகிய இரண்டிலும் எந்த வேறுபாடும் இருப்பதில்லை.

அடிவாய்–உமிழ்ப்பான் மின் முனைகளுக்கிடையே செலுத்தப்படும் மின்னழுத்தத்திலான சிறிய மாற்றங்களால் "உமிழ்ப்பான்" மற்றும் "சேகரிப்பான்" ஆகியவற்றுக்கிடையே பாயும் மின்னோட்டமானது குறிப்பிடத்தக்க அளவு மாறுகிறது. உள்ளீடு மின்னழுத்தம் அல்லது மின்னோட்டத்தைப் பெருக்க இந்த விளைவைப் பயன்படுத்தலாம். BJTகளை மின்னழுத்தத்தால் கட்டுப்படுத்தப்படும் மின் மூலங்களாகக் கருதலாம். ஆனால் மிகவும் எளிதாக மின்னோட்டத்தால்-கட்டுப்படுத்தப்படும் மின் மூலங்களாக அல்லது மின்னோட்டப் பெருக்கிகளாக விளக்கலாம். இதற்கு அடிவாயில் குறைவான மாசு கலப்பே காரணமாகும். 

பழைய டிரான்சிஸ்டர்கள் ஜெர்மானியத்தால் செய்யப்பட்டவை. மிக நவீன BJTகள் சிலிக்கானால் செய்யப்படுகின்றன. குறிப்பிடத்தக்க அளவு சிறுபான்மை அளவிலானவைகள் கேலியம் ஆர்சனைடிலும் செய்யப்படுகின்றன. குறிப்பாக உயர் வேக பயன்பாடுகளுக்கு (கீழே HBT, என்பதைக் காண்க).

ஜெர்மானியம் டிரான்சிஸ்டர்கள்
மின்னோட்டம்–மின்னழுத்தம் சிறப்பியல்புகள்
டிரான்சிஸ்டர் 'ஆல்ஃபா' மற்றும் 'பீட்டா'
கட்டமைப்பு