২০১২ সালের এক হিসাব অনুযায়ী, টেরাহার্জ বিকিরণের টেকসই উৎস জাইরোট্রন, পশ্চাতমুখী অনগ্রসর তরঙ্গ দোলক ( "BWO"), জৈব গ্যাস পরিচালিত ইনফ্রারেড লেজার ("এফআইআর লেজার"), স্তকি ডায়োড মাল্টিপ্লায়ার, ভ্যারাকটার (varicap) মাল্টিপ্লায়ার, কোয়ান্টাম ক্যাস্কেড লেজার, মুক্ত ইলেক্ট্রন লেজার (FEL), সাইক্রোট্রন আলোক উৎস, ফটো মিক্সিং উৎস, একক চক্র বা পালসযুক্ত উৎসসমূহ যারা টেরাহার্জ সময় অঞ্চল স্পেক্ট্রস্কপিতে ব্যবহৃত হয় যেমন- আলোকসক্রিয়, পৃষ্ঠ ক্ষেত্র, ফটো হিসাবে উৎস, ফটো- ডেম্বার এবং আলোক শুদ্ধি এমিটার্স এবং ইলেকট্রনিক অসিলেটর যা রেজোনেন্ট টানেলিং ডায়োডের উপর ভিত্তি করে পরিচালিত হয় এবং ৭০০ গিগাহার্জ পর্যন্ত পরিচালনা করা যায়।

এছাড়াও অনেক বছর ধরেই মিলিমিটার এবং সাবমিলিমিটার তরঙ্গের জন্য সলিড-স্টেট উৎস রয়েছে। উদাহরণস্বরূপ, প্যারিসের এবি মিলিমিটার একটি সিস্টেম উৎপাদন করে যা ৮ গিগাহার্জ থেকে ১০০০ গিগাহার্জ পরিসীমা পর্যন্ত সলিড স্টেট উৎস এবং ডিটেক্টর দ্বারা পরিচালনা করতে পারে। আজকাল, অধিকাংশ সময় বিভিন্ন ডোমেইনের কাজ আল্ট্রা-ফাস্ট লেজারের মাধ্যমে সম্পন্ন করা হয়।

২০০৭ সালের মাঝামাঝি সময়ে আমেরিকান ডিপার্টমেন্ট অব এনার্জির অন্তর্গত এরগোন ন্যাশনাল ল্যাবরেটরির বিজ্ঞানীগণ তুরস্ক এবং জাপানের সহযোগীদের সঙ্গে নিয়ে, একটি কম্প্যাক্ট বহনযোগ্য, ব্যাটারি চালিত টেরাহার্জ বিকিরণের উৎপাদনক্ষম ডিভাইস তৈরির ঘোষণা দেন। এই বিজ্ঞানীদের নেতৃত্ব দেন এরগোনের বস্তুবিজ্ঞান বিভাগের উলরিখ অয়েল্প। এই ডিভাইসটি উচ্চ তাপমাত্রার অতিপরিবাহী স্ফটিক, যা জাপানে সুকবা বিশ্ববিদ্যালয়ে তৈরি করা হয়েছে, ব্যবহার করে। এই স্ফটিকসমূহ জোসেফসন সংযোগস্থলের স্তূপ দ্বারা গঠিত, যার মধ্যে জোসেফসন প্রভাব পরিলক্ষিত হয় যখন বাইরের ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়। যার মাধ্যমে তা সংযোগস্থলের মধ্যে তড়িৎ প্রবাহ পর্যায়ক্রমে পরিবর্তন করে তড়িৎ বিভব অনুসারে।এই পর্যায়ক্রমিক তড়িৎ প্রবাহই ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ফিল্ড তৈরি করে। ওয়েল্পের মতে, এমনকি একটি ছোট বিভবও ( প্রায় দুই মিলি ভোল্টের সমান) টেরাহার্জ সীমার মধ্যে ফ্রিকোয়েন্সি তৈরি করতে সক্ষম।

২০০৮ সালে হার্ভার্ড বিশ্ববিদ্যালয়ের ইঞ্জিনিয়াররা একটি অর্ধপরিবাহী সোর্স ব্যবহার করে রুম তাপমাত্রায় কয়েকশ ন্যানোওয়াটের সুসঙ্গত টেরাহার্জ বিকিরণ নির্গমন করতে সক্ষম হন।একটি মধ্য ইনফ্রারেড কোয়ান্টাম ক্যাসকেড লেজারের দুটি মোড অরৈখিকভাবে মেশানো দ্বারা টি-হার্জ বিকিরণ উৎপাদন করা হয়। পূর্ববর্তী সব প্রক্রিয়ায় ক্রায়োজেনিক শীতলীকরন প্রয়োজন হত, যা ব্যাপকভাবে দৈনন্দিন ব্যবহারের ক্ষেত্রে বাধা প্রদান করত।

২০০৯ সালে আবিষ্কৃত হয় যে, আঠালো টেপের ছাড়ানোর প্রক্রিয়ায় একটি অসমবর্তিত টেরাহার্জ বিকিরন তৈরি হয় যা ২টি-হার্জ সংকীর্ণ শিখর এবং ১৮ টি-হার্জ বৃহত্তর শিখর অর্জনে সক্ষম।এই প্রক্রিয়ার মেকানিজম হল আঠালো টেপের ট্রাইবোচারজিং এবং পরবর্তী তার ডিসচার্জ। এই ধারণা করা হয় যে কোন গ্যাসের অস্তরক ভাঙ্গনের সময় শোষণ বা শক্তি ঘনত্বের মাধ্যমে "bremsstrahlung" জড়িত করা।

২০১১ সালে, জাপানি ইলেকট্রনিক যন্ত্রাংশ নির্মাতা রম এবং ওসাকা বিশ্ববিদ্যালয়ের একটি গবেষক দল একটি চিপ তৈরিতে সক্ষম হয় যা ১.৫ জিবিট টেরাহার্জ বিকিরণ সঞ্চালনে সক্ষম।

২০১৩ সালে জর্জিয়া ইন্সটিটিউট অব টেকনোলজির ব্রডব্যান্ড ওয়্যারলেস নেটওয়ার্কিং ল্যাবরেটরি এবং ক্যাটালোনিয়া পলিটেকনিক বিশ্ববিদ্যালয়ের গবেষকরা গ্রাফিন এন্টেনা তৈরির একটি পদ্ধতি আবিষ্কার করে, যা ১০-১০০ ন্যানোমিটারের প্রস্থ এবং ১ মাইক্রোমিটার লম্বা গ্রাফিন স্ট্রিপে বিভক্ত থাকবে। এই এন্টেনা টেরাহার্জ ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমায় কাজ করবে।

কৃত্রিম
উৎসসমূহ
স্বাস্থ্যবিজ্ঞানের চিত্র
নিরাপত্তা