অল্প মাত্রায় ডোপিত অর্ধপরিবাহকে, ইলেকট্রন ঘনীভবনের পরিমাণকে নিচের সমীকরণ দ্বারা প্রকাশ করা যায়, 

এখানে, হল ফার্মি স্তরের শক্তি, হল পরিবাহী ব্যান্ডের সর্বনিম্ন শক্তি এবং হল ঘনীভবন সহগ যার মান তাপমাত্রার উপর নির্ভরশীল। যেকোন আকারের পরিবাহী ব্যান্ডের জন্য প্রযোজ্য যদি ডোপিং () অনেক কম হয়। ম্যাক্সওয়েল - বোল্টজম্যান পরিসংখ্যান থেকে ফার্মি - ডিরাক পরিসংখ্যান এর দিকে যাওয়ার ফলে এই ফল পাওয়া যায়।

সরল নয় এমন ব্যান্ড স্ট্রাকচারযুক্ত অরধপরিবাহকের ক্ষেত্রে, এই কার্যকর ভরটিকে ইলেকট্রনের অবস্থা ঘনত্ব কার্যকর ভর বলা হয়। কে পরাবৃত্তিক ব্যান্ডের অবস্থা ঘনত্ব থেকে উপপাদন করায় "অবস্থা ঘনত্ব কার্যকর ভর" নামটি ব্যবহার করা হয়েছে।

বাস্তবে, এভাবে পাওয়া কার্যকর ভর তাপমাত্রার সাপেক্ষে ধ্রুব থাকে না (, এর সাথে একইভাবে পরিবর্তিত হয় না)। সিলিকনের ক্ষেত্রে ব্যান্ড স্ট্রাকচারের আকার পরিবর্তনের কারণে এই কার্যকর ভর শূন্য তাপমাত্রা থেকে কক্ষ তাপমাত্রার ক্ষেত্রে কয়েক শতাংশ পরিবর্তিত হয়। ইলেকট্রন-ফোননের মিথস্ক্রিয়ার কারণে ব্যান্ড স্ট্রাকচারটি এভাবে পরিবর্তিত হয়। এক্ষেত্রে তাপের সাথে ল্যাটিসের প্রসারণ গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।

একইভাবে, যোজ্যতা স্তরের হোলসংখ্যা এবং হোলের অবস্থা ঘনত্ব কার্যকর ভর নিম্নরুপে সংজ্ঞায়িত করা হয়।

এখানে, হল যোজ্যতা স্তরের সর্বোচ্চ শক্তি। বাস্তবিকে, শূন্য তাপমাত্রা থেকে কক্ষ তাপমাত্রার ক্ষেত্রে কার্যকর ভর অনেকখানি পরিবর্তন হয়( সিলিকনের ক্ষেত্রে দ্বিগুণ) । কারণ, অনেকগুলো যোজ্যতা ব্যান্ড একই শক্তির কাছে সর্বোচ্চ মান দেখায়।

জাড্য কার্যকর ভর টেন্সর
অবস্থা ঘনত্ব কার্যকর ভর (হালকাভাবে ডোপিত অর্ধপরিবাহকে)
সাইক্লোট্রন কার্যকর ভর
পরীক্ষামূলক নির্ণয়