Arseniuro di gallio
# Arseniuro di gallio

L'arseniuro di gallio è un composto chimico inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs.

È caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.

## Caratteristiche strutturali e fisiche

In questo composto il gallio presenta il numero di ossidazione +3.

## Sintesi del composto

Il composto può essere sintetizzato come cristallo singolo, allo scopo di produrre dei wafer, o come film sottile.

Per produrre l'arseniuro di gallio in forma monocristallina è possibile usare il processo Czochralski, largamente utilizzato per produrre il silicio monocristallino. Un'altra possibilità è il metodo Bridgman-Stockbarger in cui la crescita del cristallo avviene all'interno di una fornace orizzontale, in cui vengono fatti reagire vapori di gallio e arsenico e il composto si deposita su un seme monocristallino.

Anche per produrre un film sottile esistono diverse possibilità:

* Deposizione chimica da vapore, a partire da gallio metallico gassoso e tricloruro di arsenico: 2 Ga + 2 $AsCl_3$ → 2 GaAs + 3 $Cl_2.$
* MOCVD da trimetilgallio e arsina: $Ga(CH_3)_3$ + $AsH_3$ → GaAs + 3 $CH_4.$
* Epitassia da fasci molecolari da gallio e arsenico: 4 Ga + $As_4$ → 4 GaAs oppure 2 Ga + $As_2$ → 2 GaAs.
