Oxyde de gallium(I)
# Oxyde de gallium(I)

L’oxyde de gallium(I) est un composé chimique de formule $Ga_2O.$ Il s'agit d'un solide brun-noir diamagnétique stable au contact de l'air sec. Il se sublime à 660 °C dans un flux de gaz inerte sous une pression de 1 bar, et à partir de 500 °C dans un vide poussé, où il se décompose en gallium et oxyde de gallium(III) $Ga_2O_3$ à partir de 700 °C.

L'oxyde de gallium(I) peut être obtenu en faisant réagir de l'oxyde de gallium(III) avec du gallium chauffé sous vide :

    $Ga_2O_3$ + 4 Ga ⟶ 3 $Ga_2O.$

Il peut également être obtenu en faisant réagir du gallium avec du dioxyde de carbone $CO_2$ à basse pression et à 850 °C :

    2 Ga + $CO_2$ ⟶ $Ga_2O$ + CO.

Il se forme également lors de la fabrication de wafers d'arséniure de gallium par réaction du gallium avec le dioxyde de silicium des parois en verre de $quartz^,$ :

    4 Ga + $SiO_2$ ⟶ 2 $Ga_2O$ + Si.
