Recuit thermique rapide
# Recuit thermique rapide

Le recuit thermique rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte, par exemple, le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1 200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.

## Procédé

Les wafers doivent être redescendus en température assez lentement, sinon ils se brisent à cause du choc thermique. De telles montées en température sont obtenues par des lampes à haute intensité ou par chauffage laser. Ces procédés sont utilisés dans une large variété d'applications dans la fabrication de semi-conducteurs incluant l'activation des dopants, l'oxydation thermique, la mise en forme de métaux et le dépôt par voie chimique.

