Base commune
# Base commune

En électronique, une base commune est un type d'amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. Le terme de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la masse. Dans cette configuration, le signal d'entrée est appliqué à l'émetteur, le signal de sortie étant récupéré au collecteur.

Ce circuit n'est pas le plus employé en basse fréquence, mais il est souvent utilisé pour les amplificateurs qui exigent une impédance d'entrée exceptionnellement basse, comme les microphones à bobine mobile. Ce circuit est très utilisé dans les amplificateurs à haute fréquence, comme pour la VHF ou l'UHF car sa capacité d'entrée n'est pas accrue par l'effet Miller, responsable de la chute du gain à haute fréquence du montage à émetteur commun. Il est aussi souvent utilisé dans les amplificateurs à plusieurs étages car son courant d'entrée dépend très peu de sa tension de sortie.

Une autre application de ce montage est le « buffer » de courant, le courant d'entrée $I_E$ étant quasiment égal au courant de sortie $I_C.$

## Caractéristiques en petits signaux

### Remarque

    Les lignes parallèles indiquent que les composants sont disposés en parallèle.

### Gain en tension

    $A_{v}={V_{\mathrm {out} } \over V_{\mathrm {in} }}=g_{m}(R_{\mathrm {C} }\|R_{\mathrm {load} })\,$
    Le gain en tension à vide (sans charge, $i_{\mathrm {out} }=0$) est donné par $A_{v0}=g_{m}R_{C}={\frac {\beta _{0}R_{C}}{r_{\pi }}}$

### Résistance d'entrée

    $r_{\mathrm {in} }=R_{\mathrm {E} }\left\|{r_{\pi } \over 1+\beta _{0}}\right.$

On néglige la résistance $R_1//R_2$ car en petits signaux le condensateur $C_B$ court-circuite $R_1//R_2.$ En général, ${\frac {r_{\pi }}{\beta _{0}+1}}<<R_{E}$ et on a donc $r_{\mathrm {in} }\approx {\frac {r_{\pi }}{\beta _{0}}}$ qui est donc très faible.

### Gain en courant

    $A_{i}={r_{\mathrm {in} } \over R_{\mathrm {load} }}$
    Le gain en courant en court-circuit ($v_{\mathrm {out} }=0$) du circuit est donné par $A_{i0}\approx 1$

### Résistance à la sortie

    $r_{\mathrm {out} }=R_{\mathrm {C} }\,$

Les variables non listées sur le schéma sont :

* $g_m$ : la transconductance en siemens, calculée grâce à $g_{m}={I_{\mathrm {C} } \over V_{\mathrm {T} }}\,$, avec :
   * $I_{\mathrm {C} }\,$ : le courant de polarisation du collecteur,
   * $V_{\mathrm {T} }={kT \over q}\,$ est la tension thermique. Elle dépend de la constante de Boltzmann k, de la charge élémentaire q, et de la température T du transistor en kelvins. À température ambiante elle est de 25 mV (cf. Google calculator).
* $\beta _{0}={I_{\mathrm {C} } \over I_{\mathrm {B} }}\,$ est le gain en courant à basse fréquence (communément appelé $h_{FE}).$ C'est un paramètre spécifique à chaque transistor. Il est indiqué dans sa fiche technique.
* $r_{\pi }={\beta _{0} \over g_{m}}={V_{\mathrm {T} } \over I_{\mathrm {B} }}\,$

### Courant à saturation

    $IcSat={\frac {Vcc}{\left(Rc+Re\right)}}$

### Courant collecteur

    $Ic={\frac {\left(\left({\frac {R2}{R1+R2}}\right)*Vcc\right)-0,7}{Re}}$

### Tension d'entrée du collecteur

    $Vce=Vcc-\left(Ic*\left(Rc+Re\right)\right)$

### Résistance d'entrée

    $Ren=Re'//Re$

### Résistance d'entrée "prime"

    $Re'={\frac {25}{Ie}}\simeq {\frac {25}{Ic}}$
