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North America China Europe, Middle East and Africa India Japan LSI effectue la première démonstration publique de disques SSD dotés de mémoires Flash NAND de Toshiba (19 nm) et d’Intel (20 nm)
LSI effectue la première démonstration publique de disques SSD dotés de mémoires Flash NAND de Toshiba (19 nm) et d’Intel (20 nm)
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Follow LSI Twitter YouTube Linkedin Facebook Blog Page ContentLes processeurs de stockage Flash SandForce SF-2000 de LSI optimisent la fiabilité et les performances des puces Flash les plus sophistiquées à ce jour
Bracknell (Royaume-Uni), le 11 juin 2012 – LSI Corporation (NYSE : LSI) a présenté la semaine dernière ses processeurs de stockage Flash (FSP) SandForce® SF-2000 utilisant les mémoires Flash NAND de Toshiba (gravure 19 nm) et Intel (20 nm), les plus récentes technologies pour disques durs SSD. Les démonstrations ont eu lieu dans le cadre de l'exposition Computex Taipei 2012, qui s’est tenue la semaine dernière à Taipei (Taiwan). Les FSP SandForce de LSI sont conçus pour optimiser les performances, la fiabilité, la longévité et le rendement énergétique des SSD à mémoire Flash NAND. Dés à présent disponibles, les produits de LSI accélèrent la mise sur le marché de disques SSD plus abordables qui vont favoriser une large adoption du stockage Flash pour le Cloud, les applications d’entreprise et de poste client. Sur ce dernier marché, les livraisons de disques SSD devraient dépasser les 100 millions d’unités en 2015, soit une progression de 56 % par rapport à 2011.(1)
« Les utilisateurs de disques SSD veulent bénéficier des avantages des plus récentes mémoires Flash en termes de coût. Mais la plupart des contrôleurs SSD ne gèrent pas la complexité des puces les plus sophistiquées », explique Jim Handy, analyste SSD chez Objective Analysis. « Par sa compatibilité avec les gravures NAND les plus fines, LSI donne aux OEM et aux utilisateurs l’accès aux systèmes de mémoire Flash les plus économiques pour le stockage primaire comme pour un stockage de données exigeant en termes d’E/S à travers le Cloud et les applications d’entreprise et de poste client. »
L’augmentation de la finesse de gravure des mémoires Flash rend encore plus critique la nécessité d’intégrer les meilleures méthodes de correction des erreurs. En effet, la réduction de taille de chaque cellule diminue la capacité à retenir une charge donnée, ce qui réduit souvent les caractéristiques de fiabilité et d’intégrité des données et de rétention des informations des systèmes à mémoires Flash. Pour optimiser la fiabilité et la longévité des mémoires Flash en 19 et 20 nm, les FSP SandForce SF-2000 de LSI corrigent jusqu’à 55 bits d’erreurs par secteur de 512 octets, ce qui est idéal pour les applications d’entreprise et de poste client. Les FSP SandForce intègrent un moteur de correction d’erreurs sans équivalent, conçu pour s’adapter à l’évolution des besoins des mémoires Flash NAND, actuelles et futures.
« Notre collaboration avec les six principaux fabricants de mémoires Flash NAND nous permet d’optimiser nos processeurs Flash pour des gravures de plus en plus fines », déclare Michael Raam, vice-président et directeur général de la division Flash Components de LSI. « Les disques SSD démontrent leur fiabilité, leur longévité et un rendement énergétique exceptionnels dans des environnements informatiques critiques de Cloud ou d’entreprises du Fortune 1000. Nous constatons une large adoption de ces systèmes, et pensons qu’elle devrait se poursuivre.»
Pour répondre aux besoins de fiabilité et de longévité des disques à mémoires Flash en gravures fines, les FSP SandForce de LSI utilisent le système DuraClass® de gestion des mémoires NAND.
Il offre les fonctions suivantes:
DuraWrite™, qui optimise le nombre de cycles du programme Flash afin d’améliorer la longévité.
RAISE™ (Redundant Array of Independent Silicon Elements), qui améliore de façon significative la fiabilité des disques, aboutissant à une protection et une restauration de type RAID à partir d’un seul disque.
Advanced Wear Leveling and Monitoring, qui utilise des algorithmes optimisés de wear-leveling (répartition équitable de l’utilisation des cellules de mémoire) pour prolonger la durée de vie des systèmes.
Recycler, une méthode intelligente qui efface les données non valides tout en minimisant l’impact sur la durabilité des cellules Flash.
Pour plus d’informations sur les FPS SandForce de LSI, veuillez consulter le site www.lsi.com/sandforce.
À propos de LSI
LSI Corporation conçoit des semi-conducteurs et des logiciels qui accélèrent le stockage et le réseau dans les centres de données, les réseaux pour mobiles et l’informatique utilisateur. Ces technologies apportent l’intelligence nécessaire pour optimiser les performances des applications et s’appliquent à des solutions créées en collaboration avec nos partenaires. Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.lsi.com.
1. « IDC WW SSD 2011-2015 Forecast Update », mars 2012.
LSI, le logo LSI & Design, SandForce, DuraClass, DuraWrite et RAISE sont des marques ou des marques déposées de LSI Corporation.
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