text: Moses - Kristallzüchtung II - Methoden und Anwendungen
  #20362 / #1
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  12750 28010 Kristallzüchtung II - Methoden und Anwendungen
  Herstellung und Anwendungsgebiete wichtiger einkristalliner Materialien, Korrelation zwischen Züchtungsprozess und Materialeigenschaften. Herstellung von Silicium-Einkristallen und klassischen Verbindungshalbleitern (GaAs, InP) aus der Schmelze, Herstellung von SiC- und AlN-Kristallen aus der Gasphase, Gasphasenepitaxie (MOCVD, MBE), Schmelz- und Lösungszüchtung von Oxidkristallen; materialspezifische Anwendungsgebiete und deren Anforderungen an die Kristallqualität.
  Kristallzüchtung II - Methoden und Anwendungen IV 0235 L 709 WS Deutsch 2
  Kristallzüchtung II - Methoden und Anwendungen (IV):
  Im ersten Teil erfolgt die Vermittlung des Stoffes durch Frontalunterricht. Anschließend erarbeiten und präsentieren die Studierenden einen Vortrag und führen am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung einen Kristallzüchtungsversuch durch.
  Die Anmeldung zur Modulprüfung erfolgt über die zentrale Online-Prüfungsverwaltung.
  G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, M. Dudley (Eds.), Springer Handbook of Crystal Growth, Springer-Verlag 2010, DOI 10.1007/978-3-540-74761-1