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  Schottky-Dioden auf Basis von Siliciumcarbid (SiC) weisen eine Schwellenspannung von ca. 0,8 V auf, bieten aber in der Leistungselektronik gegenüber den konventionellen Siliciumdioden eine Reihe von Vorteilen. SiC-Schottky-Dioden sind bis zu Sperrspannungen von 1,7 kV verfügbar, womit sie insbesondere im Bereich der Leistungselektronik wie bei Schaltnetzteilen und Umrichtern eingesetzt werden. Da sie fast kein Vorwärts- und vor allem Rückwärts-Erholverhalten aufweisen, kommen sie der idealen Diode sehr nahe. Beim Einsatz als Kommutierungspartner für Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT) ist eine erhebliche Reduktion der Schaltverluste in der Diode selbst, aber auch im Transistor möglich, da dieser beim Wiedereinschalten keinen Rückwärts-Erholstrom zu übernehmen braucht. Die erlaubten Sperrschichttemperaturen liegen bei entsprechenden Gehäusen mit bis zu 200 °C deutlich höher als bei Silicium-Schottky-Dioden, was die Kühlung bei SiC-Dioden vereinfacht.[3]
  ↑ A. Lindemann, St. Knigge: Electrical Behaviour of a New Gallium Arsenide Power Schottky Diode. (PDF; 213 kB) IXYS, 26. Juli 1999, abgerufen am 13. Dezember 2013 (englisch).
  ↑ a b Power Electronics Technology@1@2Vorlage:Toter Link/powerelectronics.com (Seite nicht mehr abrufbar, Suche in Webarchiven) Info: Der Link wurde automatisch als defekt markiert. Bitte prüfe den Link gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis. Schottky Diodes: the Old Ones Are Good, the New Ones Are Better