text: Die fotolithografische Strukturierung von mikro- und nanotechnischen Funktionsgruppen ist eine der Basistechnologien der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik. Diese Technologie ist integraler Bestandteil der Technologiekette für integrierter Bauelemente aller Art in den Bereichen integrierte Schaltungen, Mikrosystemtechnik, integrierte Optik/Mikrooptik, Solarzellen, Energieeffizienz, Sensorik usw.
  Die Standardgeräte zur Fotolithografie gestatten ausschließlich die hochpräzise Belichtung planarer Substrate. Belichtungen über Kanen und große Stufen hinweg sind mit den herkömmlichen Projektionsbelichtungsverfahren nur durch Mehrfachbelichtungen mit unterschiedlichen für die entsprechenden Fokusebenen angepassten Masken möglich. Ein direkt schreibendes Verfahren mit einer Fokusnachführung ermöglicht maximale Fokussiergenauigkeit an jeder Schreibposition. Die Tiefe und die Form von Strukturen begrenzen damit nicht mehr die Strukturierungsqualität (minimale Strukturgröße). Dadurch kann eine flexible, durchgängige 3D-Fotolithografie-Technologie mit heruasragender Abbildungsqualität für die Realisierung von 3D-MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), MOEMS (Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems) und innovativen (mikro-)optischen Bauelementen bereitgestellt werden.
  Die Beschaffung eines Laser Lithographie Systems zum Direktbelichten von Fotoresisten (Laserdirektbelichtungssystem) stellt eine essentielle Erweiterung der Forschungsinfrastruktur des IMN MacroNano und seines technologischen Zentrums, dem Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien (ZMN) dar. Sie erweitert die am ZMN etablierte konventionelle maskenbasierte UV-Lithografie auf planaren Strukturen. Das beantragte maskenlose Lithografiesystem eröffnet neue technologische Ansätze zur Realisierung von 3D Strukturen vor allem im Bereich life science, Aufbau- und Verbindungstechnik, Mikrosystemtechnik/Mikrooptik und dehnbahre Elektronik.