לקראת השקתם של צמד מכשירי Galaxy S8 (גלקסי אס 8), מלבד הדלפות על העיצוב והממשק, מגיעים גם דיווחים על הביצועים. בעוד שידוע כי סמסונג תפיץ חלק מהדגמים עם מערכת העל שבב Snapdagon 835 וחלק עם Exynos 8895 החדש, לא ידענו לומר מה ההבדלים בין השבבים.
במבחן שעלה לרשת לדגם SM-G955F, שהוא כפי הנראה הדגם המוגדל Galaxy S8 Plus (גלקסי S8 פלוס), עולה כי שבב ה-Exynos 8895 מראה יתרון קל על Snapdragon 835. המבחן שבוצע עם אפליקציית מבחני הביצועים Geeekbench 4 הציג תוצאה של 1972 נקודות למבחן הליבה הבודדת ו-6375 נקודות למבחן הריבוי ליבות. מוקדם יותר החודש הוצג מבחן דומה שבוצע ל-S8 הפועל על Snapdragon 835, שם הניקוד שהתקבל היה 1929 נקודות לליבה בודדת לעומת 6084 נקודות למבחן הריבוי ליבות.
מדובר אם כך בהפרש קל יחסית, לטובת שבב Exynos 8895 מתוצרת סמסונג. למרות כי שני השבבים בעלי מאפיינים דומים כמו גם שניהם פותחו על ידי סמסונג, ידו של Exynos 8895 על העליונה, כפי הנראה בזכות מיטוב שעשתה סמסונג ברמת התוכנה.
סמסונג אמרה בעת השקת סדרת Exynos 9 כי 8895 מציע עד 27 אחוז ביצועים טובים יותר ו-40 אחוז הפחתה בצריכת חשמל בהשוואה ל-Exynos 8890 אשר קיים ב-Galaxy S7 (גלקסי אס 7).
כמובן אלו לא נתונים סופיים, וסביר כי סמסונג תנצל את הזמן שנותר עד ההשקה לשפר כמה שניתן את התוכנה והחומרה.