Can you summarize the following document?
        
  MLC闪存的主要好处是较高的数据密度带来的较低单元存储成本,而存储器读取软件可以补偿更大的比特误码率。更高的错误率需要前向错误更正(ECC)来纠正多个位元错误。例如,SandForce SF-2500闪存控制器可以纠正每个512字节扇区中最多55位元,从而使不可恢复读错误的发生率低于每读写10位元时一个扇区。最常被使用的算法是BCH码。与SLC闪存相比,MLC NAND的其他缺点是较低的写入速度、较低的编程擦除周期数和更高的功耗。  有少数存储器设备走向另一个方向,为每个位元使用两个单元,从而得到更低的误码率。 Intel 8087使用每个单元两个位元的技术,并是首个在1980年于市场上使用多层ROM单元的设备。一些固态磁盘使用MLC NAND中的部分晶粒模拟为单位元的SLC NAND,从而提供更高的写入速度。

  三星集团宣布了每个单元(cell)存储三位元信息的一种NAND闪存,具有共8种电压状态。这也称之为三层单元(Triple Level Cell,缩写TLC),首次应用于840系列SSD。三星将这项技术称之为3位元MLC。基于NAND存储器的SanDisk X4闪存存储卡在每个晶体管中使用16个离散电荷电平(状态)在每个单元存储四位元。MLC的缺点在TLC上同样存在并更为突出,但TLC也受益于更高的存储密度和更低的成本。

  闪存将数据存储在浮栅晶体管制成的各存储单元中。在传统上,每个单元有两种可能的状态,因此每个单元中存储一个位元数据的称之为单层单元,或者SLC闪存。SLC存储器具有高写入速度、低功耗、更长电池耐久的优点。但是,因为SLC存储器比MLC存储器在每个单元中存储的数据更少,它存储每兆字节的成本更高。由于更快的传输速度和更长使用寿命,SLC闪存技术更常被用于制造高性能存储卡。2016年2月的一项研究表示,SLC与MLC的可靠性在实践中几乎没有差异。
多层单元(英语:multi-level cell,缩写MLC)是一种存储多个位元信息的存储器元件。