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  SDRAM在一个时钟周期内只传输一次资料,它是在时钟上升期进行资料传输;而DDR则是一个时钟周期内可传输两次资料,也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次资料。

  注意:上面列出的数据都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市规格的数据率不一定是JEDEC规范,往往是制造商自行最佳化,使用更严格的公差或overvolted芯片。  DDR SDRAM 之间有很大的设计上的差异,设计不同的时钟频率,例如,PC-1600被设计运行在100 MHz,至于PC-2100被设计运行在133 MHz。  DDR SDRAM 的模块用于台式电脑,被称为DIMMs,有184只引脚(而不是168针SDRAM,或240针脚的DDR2 SDRAM),并可以从不同notches数目来辨别(DDR SDRAM,有一个,SDRAM,SDRAM DIMMs的有两个)。笔记本电脑上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200只引脚,引脚相同数量的DDR2的SO-DIMMs。这两种规格的缺口也非常相似,如果不能确定正确的匹配,必须小心插入。

  H|zh:芯片;zh-hans:芯片;zh-hant:芯片;zh-cn:芯片;zh-tw:芯片;zh-hk:芯片;zh-sg:芯片;zh-mo:芯片;

  为了要增加内存的容量和带宽,芯片会利用模块结合。例如,有关 DIMMs 的64位元bus需要8个 8位的芯片并行处理。与常见的位址线(address lines)的多个芯片被称为memory rank。这个术语被引入,是要避免与芯片内部row和bank的混乱。

  PC3200是使用带宽 3200 MB / s的DDR - 400芯片设计,在200 MHz的DDR SDRAM 由于 PC3200内存的上升和下降时钟边沿的数据传输,其有效的时钟速率为 400 MHz。

  (DDR1)已被DDR2 SDRAM取代,其中有一些修改,以允许更高的时脉频率。与DDR2的竞争是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一个新的标准,提供更高的性能和新功能。  DDR 预取缓冲器(prefetch buffer)深度为2位元,而DDR2采用4位元。虽然DDR2的时钟速率高于DDR,但整体性能并没有提升,主要是由于DDR2高延迟(high latency)。直到2004年DDR2才有明显的提升。

  MDDR是Mobile DDR的缩写,在一些行动电子设备中使用,像是使用移动电话、手持设备、数字音频播放器等。通过包括降低电源电压和先进的刷新选项(advanced refresh options)技术,MDDR可以实现更高的电源效率。

  利用下列公式,就可以计算出DDR SDRAM时脉。  DDR I/II内存运作时脉:实际时脉*2。 (由于两笔资料同时传输,200MHz内存的时脉会以400MHz运作。)  内存带宽=内存速度*8 Byte  标准公式:内存除频系数=时脉/200→*速算法:外频*(除频频率/同步频率) (使用此公式将会导致4%的误差)
双倍数据率同步动态随机存取内存(英语:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称DDR SDRAM)为具有双倍资料传输率的SDRAM,其资料传输速度为系统时脉的两倍,由于速度增加,其传输效能优于传统的SDRAM。