Consulteu el passatge següent i responu a la pregunta posteriorment en el mateix idioma que el passatge:  Passatge: El 1966 va inventar la memòria d'accés aleatori dinàmic (DRAM), per a la qual es va emetre una patent el 1968. Dennard també va ser un dels primers a reconèixer l'enorme potencial de la reducció de MOSFET. La teoria d'escalada que ell i els seus col·legues van formular el 1974 va postular que els MOSFETs continuen funcionant com interruptors controlats per tensió mentre que totes les figures clau de mèrit com la densitat de disposició, la velocitat d'operació i l'eficiència energètica milloren <unk> sempre que les dimensions geomètriques, les tensions i les concentracions de dopatge es redimensionin constantment per mantenir el mateix camp elèctric. Aquesta propietat és la base de l'assoliment de la llei de Moore i l'evolució de la microelectrònica en les últimes dècades.  Pregunta: En quin any va inventar la memòria d'accés aleatori dinàmic?
El 1966