En 1966 li inventis dinamikan hazardan aliron memoro (DRAM), por kiu patento estis eldonita en 1968. Dennard ankaŭ estis inter la unuaj por rekoni la grandegan potencialon de downsizing MOSFETs. La skalanta teorio li kaj liaj kolegoj formulis en 1974 postulis ke MOSFETs daŭre funkcias kiel tensio-kontrolita ŝaltiloj dum ĉiuj ŝlosilaj figuroj de merito kiel ekzemple enpaĝigo denseco, funkciiganta rapideco, kaj energio efikeco plibonigi <unk> provizis geometriaj dimensioj, tensioj, kaj dopado koncentriĝoj estas konstante skaligita por konservi la saman elektran kampon. Tiu posedaĵo subestas la atingo de la leĝo de Moore kaj la evoluo de mikroelektroniko dum la lastaj malmultaj jardekoj. Demando: En kiu jaro li inventis dinamikan hazardan aliron memoro?
1966-a jaro