Rigardu la malsupran trairejon kaj poste respondu la demandon poste en la sama lingvo kiel la trairejo:  En 1966 li inventis dinamikan hazarda-aliran memoron (DRAM), por kiu estis eldonita patento en 1968. Dennard ankaŭ estis inter la unuaj, kiuj rekonis la grandegan potencialon de redukto de MOSFEToj. La skalanta teorio kiun li kaj liaj kolegoj formulis en 1974 postulis ke MOSFEToj daŭre funkcias kiel tensio-kontrolitaj ŝaltiloj dum ĉiuj ŝlosilaj valoraj figuroj kiel ekzemple enpaĝigo denseco, funkciiganta rapideco, kaj energio efikeco plibonigas <unk> provizis geometriajn dimensiojn, tensiojn, kaj dopantajn koncentriĝojn estas konstante skaligitaj por konservi la saman elektran kampon. Ĉi tiu trajto subestas la realigon de la leĝo de Moore kaj la evoluon de mikroelektroniko dum la lastaj jardekoj.  En kiu jaro li inventis la dinamikan hazardan memoron?
1966-a jaro