Indi phosphide

Indi phosphua hay phosphua indi (InP) là một chất bán dẫn nhị phân bao gồm indi và phosphor. Nó có cấu trúc tinh thể hình khối đặt chính giữa mặt ("Zincblende"), giống hệt với GaAs và hầu hết các chất bán dẫn III-V. InP được sử dụng cùng với indi gali arsenua để tạo ra transistor lưỡng cực dị thể giả (pseudomorphic heterojunction bipolar transistor) có thể hoạt động ở tần số 604 GHz. ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản 87), Boca Raton, Florida: CRC Press, tr. 4–61, ISBN 0-8493-0594-2 ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu (1993), “The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry”, Journal of Materials Science Letters, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698. ^ “Basic Parameters of InP”. ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản 87), Boca Raton, Florida: CRC Press, tr. 5–20, ISBN 0-8493-0594-2 ^ Indium Phosphide at HSDB ^ Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. April 2005