12.4.2006 Journal officiel de l’Union européenne L 103/1 (Actes dont la publication est une condition de leur applicabilité) RÈGLEMENT (CE) N° 584/2006 DU CONSEIL du 10 avril 2006 modifiant le règlement (CE) n° 1480/2003 instituant un droit compensateur définitif et portant perception définitive du droit provisoire institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée LE CONSEIL DE L'UNION EUROPÉENNE, vu le traité instituant la Communauté européenne, vu le règlement (CE) n° 1515/2001 du Conseil du 23 juillet 2001 relatif aux mesures que la Communauté peut prendre à la suite d’un rapport adopté par l’organe de règlement des diffé- rends de l'OMC concernant des mesures antidumping ou anti- subventions (!), vu le règlement (CE) n° 2026/97 du Conseil du 6 octobre 1997 relatif à la défense contre les importations qui font l’objet de subventions de la part de pays non membres de la Commu- nauté européenne (?) (ci-après dénommé «règlement de base»), vu la proposition présentée par la Commission après consulta- tion du comité consultatif, considérant ce qui suit: A. PROCÉDURE 1. Mesures existantes (1) — Par le règlement (CE) n° 1480/2003 ( (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importa- tions de certains microcircuits électroniques dits (DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dyna- miques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co, Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi. Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) n° 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les () JO L 201 du 26.7.2001, p. 10. (?) JO L 288 du 21.10.1997, p. 1. Règlement modifié en dernier lieu par le règlement (CE) n° 461/2004 (JO L 77 du 13.3.2004, p. 12). () JO L 212 du 22.8.2003, p. 1. Règlement modifié par le règlement (CE) n° 2116/2005 (JO L 340 du 23.12.2005, p. 7). importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (*) (ci-après dénommé «règlement provisoire»). (2) — Deux producteurs-exportateurs établis en République de Corée ont coopéré à l'enquête qui a conduit à l'institution des mesures existantes (ci-après dénommée «enquête initiale»): Samsung, dont il s’est avéré qu’elle n’avait reçu aucune subvention, et Hynix Semiconductor Inc. (ci-après dénommée «Hynix»). Au moment de l’enquête initiale, l’industrie communautaire se composait de deux producteurs, Infineon Technologies AG, Munich, Alle- magne (ci-après dénommée «Infineon»), et Micron Europe Ltd, Crowthorne,  Royaume-Uni (ci-après dénommée «Micron»), qui représentaient une proportion majeure de la production communautaire totale de DRAM. (3) _ L'enquête relative aux subventions et au préjudice a porté sur la période comprise entre le 1° janvier et le 31 décembre 2001 (ci-après dénommée «période d’enquête»). L’examen des tendances utiles aux fins de l'évaluation du préjudice a couvert la période allant du 1 janvier 1998 à la fin de la période d'enquête (ci-après dénommée «période considérée»). 2. Rapport adopté par l’organe de règlement des différends de l'OMC (4) — Le 3 août 2005, l’organe de règlement des différends (ci- après dénommé «ORD») de l’Organisation mondiale du commerce (ci-après dénommée «OMC») a adopté un rapport du groupe spécial concernant l'affaire «Commu- nautés européennes — mesures compensatoires provi- soires frappant les semi-conducteurs pour mémoires RAM dynamiques en provenance de Corée» (°). () JO L 102 du 24.4.2003, p. 7. () WT/DS299/R.