25. 7. 90 Amtsblatt der Europäischen : Gemeinschaften Nr. L 193/1 (Veröffentlichungsbedürftige Rechtsakte) VERORDNUNG (EWG) Nr. 2112/90 DES-RATES vom 23. Juli 1990 zur Einführung eines endgültigen Antidumpingzolls auf die Einführen bestimmter elektronischer Mikroschaltungen‚ sogenannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher), mit Ursprung. in Japan und zur endgültigen Vere1n- nahmung des vorläufigen Zolls - DER RAT DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN : — gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft, gestützt auf die Verordnung (EWG) Nr. 2423/88 des Rates vom 11. Juli 1988 über den Schutz gegen gedumpte oder subventionierte Einfuhren aus nicht zur Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft gehörenden. Ländern ('), insbe- sondere auf die Artikel.9 und 12, auf. Vorschlag der .Kommission, nach Konsultationen in dem mit der vorgenannten‘ Verordnung eingesetzten Beratenden Ausschuß, in Erwägung nachstehender Gründe : A. Vorläufige Maßnahmen (1ı) Mit der Verordnung (EWG) Nr. .165/90 (*) hat die Kommission einen vorläufigen Antidumpingzoll auf die Einfuhren bestimmter- - elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter DRAMs : (dyna- mische Schreib-Lesespeicher), mit Ursprung in Japan - eingeführt, die Verpflichtungsangebote bestimmter Ausführer im Rahmen des Antidum- pingverfahrens betreffend die Einfuhren dieser Waren angenommen und das Verfahren gegenüber diesen. Ausführern eingestellt. Die. Kommission veröffentlichte in der Folge zwei Berichtigungen zu : dieser Verordnung (*). Ferner wurde . die ‘Geltungs- dauer des vorläufigen Zolls mit der Verordnung (EWG) Nr. 1361/90 -des Rates(*) um höchstens zwei Monate verlängert. B. Weiteres Verfahren (2) MNach: der Einführung des vorläufigen Antidum- pingzolls stellte ein unabhängiger Einführer, der sich vorher nicht gemeldet hatte, bei der Kommis- sion. einen Antrag auf-Anhörung, dem stattgegeben wurde, und legte seinen Standpunkt schriftlich dar. () ABl. Nr. L 209 vom 2. 8. 1988, S. 1. @) ABl. Nr. L 20 vom 25S. 1. 1990, S. S. () ABl. Nr. L 22 vom 27. 1. 1990, S. 79 (nur die englische Fas- sung), und ABIL. _ Nr. 'L 38 vom 10. 2. 1990,.5. 44. (*) ABl. Nr. L 131 vom 23. S. 1990, S. 6. Ein japanischer Hersteller/Ausführer legte ebenfalls seinen Standpunkt schriftlich dar. (3). Mehrere japanische Hersteller/Ausführer bean- tragten, weitere verbundene Unternehmen in die Liste in Anhang I der Verordnung (EWG) Nr. 165/90 aufzunehmen. (4)) Die mündlichen und schriftlichen Sachäußerungen und Kommentare der Parteien wurden in Erwä- gung: gezogen, und, soweit angemessen, wurde zu ihrer Berücksichtigung die Sachaufklärung der Kommission geändert. (5). Da die DRAM-Industrie ein sehr komplexer Indu- striezweig ist, zumal der Fertigungsprozeß immer mehr internationalisiert wird, und da eine. Vielfalt von. Zahlenangaben bearbeitet und nachgeprüft werden mußte und zahlreiche Argumente vorge- bracht wurden, konnte“die Untersuchung nicht innerhalb .der Frist nach. Artikel 7 Absatz 9 Buchstabe a) der Verordnung (EWG) Nr. 2423/88 abgeschlossen werden. C. Ware; gleichartige Ware und Industrie- zweig der Gemeinschaft a) Ware (6)  Bei.der Ware handelt es sich um bestimmte Typen von elektronischen Mikroschaltungen, sogenannte Schreib-Lesespeicher (DRAMs) (), sowohl montiert (*) Ein- DRAM-. ist eine monolithische integrierte Schaltung mit tausenden von Speicherzellen (bits). Jede Speicherzelle enthält einen Transistor und einen Kondensator. Der Speicherinhalt - kann in das DRAM-. eingeschrieben werden, indem bestimmte Kondensatoren aufgeladen werden. Die Spencherzellen sind in einem Rechteck mit‘Senkrechten und Waagerechten so :an- geordnet, daß jede Zelle einzeln ‚angewählt werden kann (ran- dom access). Der Informationsinhalt in den Speicherzellen muß .nach einem bestimmten Zeitintervall neu ‚eingeschrie- ben werden, damit er nicht verlorengeht. Wegen dieses Re- fresh-Zyklus handelt es sich um dynamische Speicher. DRAMs unterscheiden sich unter anderem durch die Ge- schwindigkeit, mit der die Speicherzellen angewählt werden können (Zugriffszeit), und durch die Zahl der Informationen, die eingespeichert werden können (Speicherdichte). Diese wird ausgedrückt als ein Vielfaches von 1 024 Kondensatoren, Kilobits oder K.