12.4.2006 Gazzetta ufficiale dell’Unione europea L 103/1 I (Atti per i quali la pubblicazione è una condizione di applicabilità) REGOLAMENTO (CE) N. 584/2006 DEL CONSIGLIO del 10 aprile 2006 che modifica il regolamento (CE) n. 1480/2003 che istituisce un dazio compensativo definitivo e riscuote definitivamente il dazio provvisorio istituito sulle importazioni di alcuni microcircuiti elettronici, detti DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), originarie della Repubblica di Corea IL CONSIGLIO DELL’UNIONE EUROPEA, visto il trattato che istituisce la Comunità europea, visto il regolamento (CE) n. 1515/2001 del Consiglio, del 23 luglio 2001, relativo ai provvedimenti che la Comunità può prendere facendo seguito a una relazione adottata dall’organo di conciliazione del’OMC (DSB) in materia di misure antidum- ping e antisovvenzioni (!), visto il regolamento (CE) n. 2026/97 del Consiglio, del 6 otto- bre 1997, relativo alla difesa contro le importazioni oggetto di sovvenzioni provenienti da paesi non membri della Comunità europea () («il regolamento di base»), vista la proposta presentata dalla Commissione dopo aver sen- tito il comitato consultivo, considerando quanto segue: A. PROCEDIMENTO 1. Misure in vigore (1) _ Con il regolamento (CE) n. 1480/2003 (3) (il regolamento definitivo), il Consiglio ha istituito un dazio compensa- tivo definitivo del 34,8 % sulle importazioni di alcuni (!) GU L 201 del 26.7.2001, pag. 10. () GU L 288 del 21.10.1997, pag. 1. Regolamento modificato da ultimo dal regolamento (CE) n. 461/2004 (GU L 77 del 13.3.2004, pag. 12). (3) GU L 212 del 22.8.2003, pag. 1. Regolamento modificato dal re- golamento (CE) n. 2116/2005 (GU L 340 del 23.12.2005, pag. 7). microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Ran- dom Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale) originari della Repubblica di Corea e prodotti da tutte le società ad eccezione della Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), per la quale è stato fissato un dazio compensativo pari allo 0 %. Il regolamento definitivo è stato preceduto dal regolamento (CE) n. 708/2003 della Commissione, del 23 aprile 2003, che istituisce un dazio compensativo provvisorio sulle importazioni di alcuni microcircuiti elettronici, detti DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso ca- suale), originarie della Repubblica di Corea (*) («il regola- mento provvisorio»). (2) — Due produttori esportatori attivi nella Repubblica di Co- rea hanno collaborato all’inchiesta che si è conclusa con l’istituzione delle misure in vigore («l’inchiesta iniziale»): la Samsung, che, come è emerso, non ha ricevuto sovven- zioni, e la Hynix Semiconductor Inc. («Hynix»). Nell’in- chiesta iniziale, l’industria comunitaria era costituita da due produttori responsabili della proporzione maggiori- taria della produzione comunitaria complessiva di DRAM, la Infineon Technologies AG, Monaco, Germania («Infineon»), e la Micron Europe Ltd, Crowthorne, Regno Unito («Micron»). (3) — L’inchiesta relativa alle sovvenzioni e al pregiudizio ha riguardato il periodo compreso tra il 1° gennaio 2001 e il 31 dicembre 2001 («il periodo dell’inchiesta» o «PD). L’analisi delle tendenze pertinenti per valutare il pregiu- dizio ha riguardato il periodo compreso tra il 1° gennaio 1998 e la fine del periodo dell’inchiesta («il periodo in esame»). 2. Relazione adottata dall’organo di conciliazione dell’OMC (4) - Il 3 agosto 2005, l’organo di conciliazione del’OMC ha adottato una relazione del panel relativa al dossier «Co- munità europee — misure compensative sulle DRAM in forma di chip originarie della Corea» (°). (4) GU L 102 del 24.4.2003, pag. 7. (5) WT/DS299/R.