9.4.2008 Journal officiel de l’Union européenne L 96/1 (Actes pris en application des traités CE/Euratom dont la publication est obligatoire) RÈGLEMENTS RÈGLEMENT (CE) N° 320/2008 DU CONSEIL du 7 avril 2008 abrogeant le droit compensateur institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» («dynamic random access memories», mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et clôturant la procédure LE CONSEIL DE L’UNION EUROPÉENNE, vu le traité instituant la Communauté européenne, vu le règlement (CE) n° 2026/97 du Conseil du 6 octobre 1997 relatif à la défense contre les importations qui font l’objet de subventions de la part de pays non membres de la Commu- nauté européenne (!) (ci-après dénommé le «règlement de base»), et notamment son article 19, vu la proposition présentée par la Commission après consulta- tion du comité consultatif, considérant ce qui suit: A. PROCÉDURE I. Mesures en vigueur (1) — Par le règlement (CE) n° 1480/2003 du Conseil (?) (ci- après dénommé le «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi. Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) n° 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provi- soire sur les importations de certains microcircuits élec- troniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (*) (ci-après dénommé «règlement provisoire»). (*) JO L 288 du 21.10.1997, p. 1. Règlement modifié en dernier lieu par le règlement (CE) n° 461/2004 (JO L 77 du 13.3.2004, p. 12). (?) JO L 212 du 22.8.2003, p. 1. Règlement modifié par le règlement (CE) n° 2116/2005 (JO L 340 du 23.12.2005, p. 7). () JO L 102 du 24.4.2003, p. 7. (2) — Comme suite à un rapport adopté par l’organe de règle- ment des différends de l’Organisation mondiale du commerce (*) (ci-après dénommé «Rapport du groupe spécial CE — DRAM coréens»), le Conseil a arrêté le règlement (CE) n° 584/2006 (*) mettant en œuvre les recommandations contenues dans ce rapport et abaissant le droit compensateur définitif à 32,9% (ci-après dénommé «règlement de mise en œuvre»). I. Ouverture sur initiative propre d’un réexamen intermédiaire partiel (83) — Les producteurs communautaires Micron Europe Ltd et Qimonda AG (connu auparavant sous le nom «Infineon Technologies AG») ont fourni à la Commission des éléments de preuve indiquant à première vue qu'Hynix Semiconductor Inc. («Hynix») a perçu de nouvelles subventions dans la période qui a suivi celle de l’enquête initiale. En outre, Hynix a présenté une demande de réexamen intermédiaire partiel en alléguant que les subventions dont il a été établi qu’elles étaient passibles de mesures compensatoires lors de l’enquête initiale avaient cessé d’exister. (4) — Compte tenu des observations ci-dessus, la Commission a décidé d’ouvrir une procédure de sa propre initiative. IL. Enquête (5) Ayant conclu, après consultation du comité consultatif, qu’il existait des éléments de preuve suffisants pour justi- fier l’ouverture d’un réexamen intermédiaire partiel, la Commission a annoncé le 18 mars 2006, par un «avis d'ouverture» publié au Journal officiel de l’Union euro- péenne (6), l'ouverture d'office d’un réexamen intermédiaire partiel, conformément à l’article 19 du règlement de base. (*) WT/DS299/R «Communautés européennes — mesures compensatoires frappant les semiconducteurs pour mémoires RAM dynamiques en prove- nance de Corée», rapport adopté le 3 août 2005. () JO L 103 du 12.4.2006, p. 1. (‘) JO C 67 du 18.3.2006, p. 16.