25. 7. 90 De Europæiske Fællesskabers Tidende Nr. L 193/1 (Retsakter hvis offentliggørelse er obligatorisk) RÅDETS FORORDNING (EØF) Nr.: 2112/90 af 23. juli 1990 om indførelse af en endelig antidumpingtold på importen af visse typer elektro- niske mikrokredsløb, såkaldte DRAMs (Dynamic Random Access Memories), med. oprindelse i Japan og om endelig opkrævning af den midlertidige told RÅDET FOR DE EUROPÆISKE FÆLLESSKABER HAR — under - henvisning til Traktaten om Oprettelse -af Det” Europæiske Økonomiske Fællesskab, | under henvisning til Rådets forordning (EØF) nr. 2423/88 af 11. juli 1988 om beskyttelse mod dumpingimport eller subsidieret import fra lande, der ikke er medlemmer af Det Europæiske Fællesskab (?), særlig artikel 9 og 12, under henvisning til forslag fra Kommissionen og efter konsultation i det rådgivende udvalg, der er nedsat i henhold til nævnte forordning, og ud fra følgende betragtninger : A. Midlertidige foranstaltninger (1). Kommissionen indførte ved forordning (EØF) nr. 165/90 (?) en. midlertidig ' antidumpingtold  på importen af visse typer elektroniske mikrokredsløb, såkaldte DRAMs (Dynamic Random Access Memo- ries), med oprindelse i Japan, godtog tilsagn afgivet af visse eksportører i forbindelse med antidumping- proceduren vedrørende importen af disse varer og afsluttede - undersøgelsen for de  pågældende eksportørers vedkommende. Kommissionen offent- liggjorde senere to berigtigelser til denne forord- ning ”). Endvidere blev gyldighedsperioden for den midlertidige told forlænget med højst to måneder ved Rådets forordning (EØF) nr. 1361/90 (%). B. Efterfølgende procedure (2) — Efter indførelse af den midlertidige antidumping- told anmodede en uafhængig importør, som ikke tidligere havde givet sig til kende, om at blive hørt mundtligt af Kommissionen, hvilket blev-imøde- - kommet, . og han- tilkendegav endvidere sine - synspunkter skriftligt. En japansk producent/ (') EFT nr. L 209 af 2. 8. 1988, s. 1. () EFT nr. L 20 af 25. 1. 1990, s. S. () EFT nr. L 22 af 27. 1. 1990, s. 79 (kun den engelske tekst), og EFT nr. L 38 af 10. 2. 1990, s. 44. . (') EFT nr. L 131 af 23. 5. 1990, s. 6. eksportør tilkendegav ligeledes sine synspunkter skriftligt. (3) > Flere japanske > producenter/eksportører —har anmodet om, at der opføres en række yderligere forbundne selskaber i fortegnelsen i bilag I til forordning (EØF) nr. 165/90. (4) > Parternes mundtlige og sskriftlige indlæg og bemærkninger vurderedes nærmere, og resultaterne af Kommissionens undersøgelse ændredes i fornø- dent omfang for at tage hensyn hertil. (5) — På grund af DRAM-industriens indviklede karakter, navnlig internationaliseringen af fremstillingspro- cessen, den enorme  datamængde, der skulle behandles og efterprøves, og de utallige bemærk- ninger, der er fremsat, kunne denne undersøgelse ikke afsluttes inden for den i artikel 7, stk. 9, litra a), i forordning (EØF) nr. 2423/88 fastsatte frist. C. De af… undersøgelsen omfattede varer, samme vare og erhvervsgren i Fællesskabet a) De af undersøgelsen omfattede varer (6) — De varer, der er omfattet af undersøgelsen, er visse typer —elektroniske — mikrokredsløb, — såkaldte Dynamic. Random Access Memories (DRAMs) (, også samlet eller i form af forarbejdede wafers eller- dice, fremstillet under anvendelse af variationer af () En DRAM er et monolitisk integreret lagerkredsløb, som in- deholder tusinder af lagerceller (bits), som hver indeholder en transistor og en kondensator. Et program kan lagres i en DRAM ved ladning af udvalgte kondensatorer. Lagercellerne i - en DRAM er ordnet i en rektangulær array af søjler og rækker, som gør det muligt at få direkte adgang til hver celle (random access). Den elektriske ladning, der er lagret i cellerne, skal re- genereres, efter at der har været adgang til cellen, og i øvrigt feriodisk på grund af strømtab. Den krævede regenerering af- adningen i kondensatorerne gør kredsløbet »dynamisk«. DRAMs er forskellige alt efter bla. den hastighed, hvormed der kan opnås adgang til lagercellerne, »tilgangstid« (access ti- me), og den mængde informationer, der kan lagres »tæthed« (density), der udtrykkes som mangefold af 1 024 kondensato- rer, kilobits eller K.