25. 7. 90 Journal officiel des Communautés européennes N° L 193/1 (Actes dont la publication est une condition de leur applicabilité) RÈGLEMENT (CEE) N° 2112/90 DU CONSEIL du 23 juillet 1990 instituant un droit antidumping définitif sur les importations de certains types de microstructures électroniques, dites « DRAM » (dynamic random access memories), originaires du Japon et portant perception. définitive du droit provisoire ' _LE CONSEIL DES COMMUNAUTÉS. EUROPÉENNES, vu le traité instituant la Communauté économique euro- péenne, vu le règlement (CEE) n° 2423/88 du Conseil, du 11 juillet 1988, relatif à la défense contre les importations qui font l’objet d’un dumping ou de subventions de la part de pays non membres de la Communauté économique euro- péenne (!), et notamment ses articles-9 et 12, vu la proposition de la Commission, présentée après consultation au sein du comité consultatif prévu par ledit règlement, considérant ce qui suit : A. Mesures provisoires (1) _ Par le règlement (CEE) n° 165/90 (, la Commis- sion a institué un droit antidumping -provisoire sur les importations de certains types de microstruc- tures électroniques, . dites « DRAM > (dynamic random access memories), originaires du Japon, a accepté les engagements offerts par certains expor- tateurs dans le cadre de la procédure antidumping- engagée à l’encontre des importations de ces produits et a clôturé l’enquête à leur égard. Elle a publié ensuite deux rectificatifs à ce règlement (*). En outre, par le règlement (CEE) n° 1361/90 du Conseil (*), la validité du droit provisoire a été prorogée d’une période n’excédant pas deux mois. B. Procédure ultérieure (2) — Après l’institution du droit provisoire, un importa- teur indépendant, qui ne s’était pas fait connaître précédemment, a demandé à être entendu orale- ment par la Commission et obtenu de l’être et a exposé son point-de vue par écrit. Un producteur/ () JO n° L 209 du 2. 8. 1988, p. 1. ( JO n° L 20 du 25. 1. 1990, p. 5. () JO n° L 22 du 27. 1. 1990, p. 79 (texte anglais uniquement), et JO n° L 38 du 10. 2. 1990, p. 44. () JO n° L 131 du 23. S. 1990, p. 6. exportateur japonais a lui aussi fait connaître sa position par écrit. (3).  Plusieurs producteurs/exportateurs japonais ont demandé que d’autres sociétés liées scient ajoutées - à la liste reproduite à l’annexe ! du règlement (CEE) n° 165/90. (4 Les observations et commentaires oraux ou écrits des parties ont été examinés et, le cas échéant, la Commission a modifié ses conclusions. pour en tenir compte. (5) En raison de la.complexité du secteur des DRAM, et en  particulier de l’internationalisation des procédés de fabrication, du volume élevé de données à dépouiller et à vérifier, ainsi que des nombreux arguments avancés, la présente enquête n’a pu être clôturée dans le délai prévu à l’article 7 paragraphe 9 point a) du règlement (CEE) n°"2423/88. C. Produits considérés, produits similaires et industrie communautaire a) Produits considérés (6) … Les produits considérés sont certains types de microstructures électroniques, dites « DRAM» (dynamic random -access memories)(*), qu’ils soient assemblés sous la forme de disques ou de micropla- quettes traités, fabriqués à l’aide de variantes du procédé métal-oxyde-semiconducteur  (MOS),. y ( Une DRAM est un circuit de mémoire intégré monolithique contenant des milliers de cellules de mémoire (bits) dont cha- cune contient un transistor et un condensateur. On peut créer dans la DRAM un programme enregistré en chargeant électri- quement certains condensateurs. Les cellules de mémoire dans.une DRAM sont disposées rectangulairement en co- lonnes et lignes, ce qui permet un accès indépendant à . chaque cellule (accès aléatoire). La charge électrique stockée dans les cellules doit être régénérée après accès, et ce périodi- quement en raison des pertes. La régénération requise de la charge des condensateurs rend le dispositif « dynatmique ». Les D diffèrent, entre autres, par la vitesse à laquelle peut se faire l’accès aux cellules de mémoire (temps d'accès) et par la quantité d’informations qui peut être enregistrée (densité), ex- primée en multiples de 1 024 condensateurs, kilobits ou K.