25.7. 90 Diario Oficial de las Comunidades Europeas N? L 193/1 (Actos cuya publicación es una condición para su aplicabilidad) REGLAMENTO (CEE) N” 2112/% DEL CONSEJO. de 23 de julio de 1990 por el que se establece un derecho antidumping definitivo sobre las importa- ciones de determinados tipos de microcircuitos electrónicos conocidos como DRAMS (dynamic random acces memories), originarios de Japón, y por el que se percibe definitivamente el derecho provisional EL CONSEJO DE LAS COMUNIDADES EUROPEAS, Visto el Tratado constitutivo de la Comunidad Económica Europea, . - Visto el Reglamento (CEE) n* 2423/88 del Consejo, de 11 de julio de 1988 relativo a la defensa contra las importa- ciones que sean objeto de dumping o de subvenciones por parte de países no miembros de la Comunidad Económica Europea () y, en particular, sus artículos 9 y 12, Vista la propuesta presentada por la Comisión, previas consultas en el seno del Comité consultivo previsto en dicho Reglamento, " Considerando lo que sigue: A. Medidas . provisionales (1) - La Comisión, por Reglamento (CEE) n* 165/90 (3), estableció un derecho : antidumping provisional sobre las importaciones de determinados tipos de microcircuitos — electrónicos conocidos ñcomo DRAMS (dynamic randoms acces memories), origi- narios de Japón; aceptó compromisos ofrecidos: por determinados exportadores en relación con el procedimiento antidumping relativo a las importa- ciones de estos productos y concluyó la investiga- ción correspondiente. Posteriormente, la Comisión publicó dos corrigenda a este Reglamento (. Además, la validez del derecho provisional se pro- rrogó por un período no:superior a dos meses mediante Reglamento (CEE) del: Consejo n* 1361/90 (9. B. Procedimiento posterior (2): Tras-el establecimiento del derecho antidumping provisional, un importador independiente que no. se había dado a conocer antes pidió a la Comisión - que le diera la oportunidad de explicarse oralmente () DO n* L 209 de 2. 8. 1988, p. 1. () DO n* L 20 de 25. 1. 1990, p. $. () DO n* L 22 de 27. 1. 1990, p. 79 (únicamente texto inglés), y DO n'* L 38 de 10. 2. 1990, p. 44. () DO n* L 131 de 23. 5. 1990, p. 6. y de dar a conocer sus puntos de.vista por escrito, lo cual le fue concedido: Otro productor/exportador japonés dio- a conocer sus puntos de vista por escrito. (3) — Varios productores/exportadores japoneses pidieron que se añadiera a la lista que figura en el Anexo I del Reglamento (CEE) n* 165/90 otras compañías afectadas. ' (4) Se consideraron los comentarios y observaciones orales y escritas de las partes y, en su caso, se modi- ficaron las conclusiones de la Comisión para tenerlos en cuenta.- (5) Debido a la complejidad de la industria DRAM, especialmente la internacionalización de los procesos: de fabricación, el enorme volumen de datos que debían procesarse y verificarse y a los numerosos argumentos empleados, la investigación no se pudo concluir en el plazo previsto en-la letra a) del párrafo: 9 del artículo.7 del Reglamento (CEE) no 2423/88. . C. Producto objeto de la investigación, producto similar e industria comunitaria a) Productos objeto de investigación (65 Los productos objeto de investigación son determi- nados tipos de microcircuitos electrónicos cono-. cidos como- memorias dinámicas de acceso directo (DRAMS) (5 montados, en -forma de obleas. proce- () .Un DRAM es un circuito- de memoria integrado monolítico que contiene miles de elementos de almacenamiento en me- moria (bits) cada uno de los cuales contiene un transistor y un condensador. Puede crearse un programa de memoria en el DRAM cargando condensadores seleccionados. Los elementos de memoria están dispuestos en el DRAM en una serie rectan- gular de columnas y filas, que permite que se acceda indepen- dientemente a cada elemento (acceso directo). La carga eléctri- ca almacenada en los elementos debe regenerarse después del acceso y periódicamente debido a las fugas: La necesidad: de regenerar la carga de los condensadores hace que el dispositi- vo sea « dinámico ». Los DRAMS varían entre sí a una veloci- dad a que pueden accederse los elementos de memoria (tiempo de acceso) y en la cantidad de información que puede almacenarse (densidad), expresada en múltiplos de 1024 condensadores, kilobits o K.